1.一种石墨和铝硅合金复合电子封装材料，其特征在于：该封装材料由鳞片石墨和铝硅合金组成，其中，鳞片石墨的重量百分比为35～70wt％，铝硅合金的重量百分比为30～65wt％；鳞片石墨片层方向与压制方向垂直分布，石墨片呈非连续平行排列，铝硅合金分布于石墨片层间隙，石墨片与铝硅合金呈叠层结构；该封装材料的密度为2.42～2.55g/cm3，平行于石墨片层X-Y方向热导率为240～280W/(m.K)，27℃～100℃的热膨胀系数为10.2～13.9×10-6/K，弯曲强度为120～160MPa。
2.根据权利要求1所述的一种石墨和铝硅合金复合电子封装材料，其特征在于，所述铝硅合金，按重量百分比：硅含量9～14wt％，铜含量1～5wt％，镁含量为0.5～2.5wt.％，锡含量为0.1～1.5wt.％，余量为铝；所述鳞片石墨的纯度大于等于99.9wt.％，粒度为100目～32目。
3.一种权利要求1所述的石墨和铝硅合金复合电子封装材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)气雾化制备铝硅合金粉末：铝硅合金在高纯氩气气体氛围下，利用气雾化设备制备雾化粉末；
(2)鳞片石墨表面预处理：经过一次浸锌、二次浸锌及化学镀镍，在鳞片石墨表面镀一层镍层，使用去离子水清洗和无水乙醇清洗，抽滤后采用液氮经过低温升华，去除部分水分，再使用真空烘干箱在95～120℃烘干2～6h去除水分；
(3)粉末混合：预处理后鳞片石墨与铝硅合金雾化粉末按照重量百分比配料，预混合后，放入混料罐中混合均匀制成混合粉末；
(4)混合粉末真空热压：将混合好的粉末装入钢制包套内，使用双向压机经过预压、真空除气、真空热压过程将复合粉末致密化，制备成封装材料；
(5)机加工：对真空热压后的封装材料进行机加工形成零部件。
4.根据权利要求3所述的一种石墨和铝硅合金复合电子封装材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述的铝硅合金的雾化温度为580～660℃。
5.根据权利要求3所述的一种石墨和铝硅合金复合电子封装材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)制备的铝硅合金雾化粉末粒度为200目～800目，纯度大于等于99.8wt.％，铁含量小于等于0.008wt.％，雾化粉末中初生硅颗粒≤90um。
6.根据权利要求3所述的一种石墨和铝硅合金复合电子封装材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述一次浸锌的溶液及工艺为：氢氧化钠450～580g/L，氧化锌75～120g/L，酒石酸钾钠8～20g/L，三氯化铁0.5～4g/L，硝酸钠0.2～2g/L，浸锌温度35～80℃，浸锌时间15～60s；所述二次浸锌的溶液及工艺为：氢氧化钠50～130g/L，氧化锌15～65g/L，酒石酸钾钠10～35g/L，三氯化铁1～4.5g/L，硝酸钠0.5～2.5g/L，浸锌温度35～80℃，浸锌时间15～60s；所述化学镀镍的溶液及工艺为：七水合硫酸镍15～65g/L，一水合次磷酸钠14～56g/L，柠檬酸钠14～60g/L，碳酸氢钠2～12g/L，三乙醇胺15～65mL/L，氨水调节pH值8～10，镀镍温度35～70℃，镀镍时间为10～35min。
7.根据权利要求3所述的一种石墨和铝硅合金复合电子封装材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述鳞片石墨表面镍层的厚度为0.5～12um。
8.根据权利要求3所述的一种石墨和铝硅合金复合电子封装材料的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述混料罐转速20～80r/min，球料质量比2～6，混料时间16-32h。
9.根据权利要求3所述的一种石墨和铝硅合金复合电子封装材料的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述预压压力20～40MPa，保压时间0.5～2h；所述真空除气为常温下抽真空至2～5×10-2Pa；所述真空热压为升温同时抽真空，升温速率≤50℃/h，在80～130℃、150～200℃、400～450℃、500～600℃之间分别保温1～4h，保温结束后，真空度≤1×10-2Pa，在580～660℃保温4～6h，真空度≤8×10-3Pa时，开始压制，压制压力80～140MPa，单次压下量为3～5mm，每次保压时间10～40min，到达最大压下量时，保压时间2～5h。
10.根据权利要求3所述的一种石墨和铝硅合金复合电子封装材料的制备方法，其特征在于，步骤(5)所述机加工为车、铣、磨和电火花切割中的一种或几种。