1.一种ICP增强多靶磁控溅射装置，其特征在于：包括真空室、设于所述真空室顶部的三个溅射靶、设于所述真空室内的ICP线圈和基片台以及与所述真空室相连通的泵机组，三个所述溅射靶的直径均为60mm，三个所述溅射靶的轴线与水平面之间的夹角均为20°-50°，三个所述溅射靶沿周向均匀间隔分布，三个所述溅射靶均聚焦于所述基片台的中心，三个所述溅射靶分别与第一射频电源、第二射频电源、第三射频电源相连接，所述ICP线圈设于所述溅射靶与所述基片台之间，所述ICP线圈连接有第四射频电源，所述基片台连接有直流稳压电源。
2.根据权利要求1所述的ICP增强多靶磁控溅射装置，其特征在于，三个所述溅射靶与所述第一射频电源、第二射频电源、第三射频电源之间分别连接有第一匹配器、第二匹配器、第三匹配器，所述ICP线圈与所述第四射频电源之间连接有第四匹配器。
3.根据权利要求1所述的ICP增强多靶磁控溅射装置，其特征在于，所述ICP线圈的直径为180mm，所述ICP线圈中心与所述溅射靶之间的距离为40mm。
4.根据权利要求1所述的ICP增强多靶磁控溅射装置，其特征在于，所述基片台采用不锈钢材质制成，所述基片台的直径为150mm，所述基片台中心与所述溅射靶之间的距离为80mm。
5.根据权利要求1所述的ICP增强多靶磁控溅射装置，其特征在于，所述真空室侧壁上安装有朗缪尔探针，所述朗缪尔探针连接有第一控制器。
6.根据权利要求1所述的ICP增强多靶磁控溅射装置，其特征在于，所述基片台上放置有减速场能量分析仪探头，所述减速场能量分析仪探头连接有第二控制器。
7.根据权利要求1所述的ICP增强多靶磁控溅射装置，其特征在于，所述ICP线圈外套有绝缘陶瓷包覆层。