技术总结
本实用新型涉及一种ICP增强多靶磁控溅射装置，包括真空室、设于真空室顶部的三个溅射靶、设于真空室内的ICP线圈和基片台以及与真空室相连通的泵机组，三个溅射靶的直径均为60mm，三个溅射靶的轴线与水平面之间的夹角均为20°‑50°，三个溅射靶沿周向均匀间隔分布，三个溅射靶均聚焦于基片台的中心，三个溅射靶分别与第一射频电源、第二射频电源、第三射频电源相连接，ICP线圈设于溅射靶与基片台之间，ICP线圈连接有第四射频电源，基片台连接有直流稳压电源。本实用新型拥有三个溅射靶，三个溅射靶靶位中心聚焦于基片台中心，实现了共聚焦磁控溅射，可获得均匀、较大面积的薄膜，制备出的薄膜致密、纯度高。
技术研发人员：杨佳奇;胡一波;金成刚;吴雪梅;诸葛兰剑
受保护的技术使用者：苏州大学
文档号码：201620802147
技术研发日：2016.07.28
技术公布日：2016.12.14