1.一种用于制备氮化硅膜的PECVD设备，具有石英反应管（1）、向所述石英反应管（1）通气的通气管（2），其特征在于，还包括和所述通气管（2）连接的气体混合器（3），所述气体混合器（3）包括第一混合腔（31）、第二混合腔（32）、设在所述第一混合腔（31）与所述第二混合腔（32）之间的连接腔（33）、设在所述连接腔（33）中的用于混合的搅拌装置（34）、设在所述第一混合腔（31）上的第一进气口（35）以及第二进气口（36）。
2.根据权利要求1所述的一种用于制备氮化硅膜的PECVD设备，其特征在于，所述第一混合腔（31）中固定设有竖向设置的固定杆（311），所述固定杆（311）通过多个固定支架与第一混合腔（31）的腔壁连接，所述固定杆（311）上设置有多个自下而上呈螺旋线分布的用于混合的折流板（312）。
3.根据权利要求1所述的一种用于制备氮化硅膜的PECVD设备，其特征在于，所述连接腔（33）包括和所述第一混合腔（31）连接的呈筒状的竖直腔壁（331）以及口径逐渐变小的锥形腔壁（332）。
4.根据权利要求1所述的一种用于制备氮化硅膜的PECVD设备，其特征在于，所述搅拌装置（34）包括旋转轴套（341）、多个均布在所述旋转轴套（341）上的搅拌叶片（342）、设在所述转轴套（341）内部的轴承（343）、和所述轴承（343）相连的固定轴（344）。
5.根据权利要求1所述的一种用于制备氮化硅膜的PECVD设备，其特征在于，所述第一进气口（35）以及第二进气口（36）上均设有流量调节阀。