技术特征：
技术总结
本发明公开了一种利用化学气相沉积制备单层金刚石磨料工具的方法；该方法针对碳化硅基体，将金刚石磨料混入光刻胶溶液并将其超声振荡，利用旋转甩胶均匀分散金刚石磨粒，实现其在基体衬底均匀分布，采用CVD方法在金刚石磨粒和碳化硅基体之间沉积金刚石涂层结合剂，将磨料与基体牢固的连结起来，同时磨粒生长成为高品级立方八面体单晶颗粒。本发明制备的单层金刚石磨料工具磨粒把持力强，出露高度高，容屑空间大，避免了电镀和钎焊单层金刚石磨料工具缺点，适用于制备细粒度(5‑100μm)单层金刚石磨料工具。本发明制备的单层金刚石磨料工具在半导体、光学晶体、人造蓝宝石、玻璃等脆硬材料的高精密磨削加工领域，具有广阔应用前景。
技术研发人员：孙方宏;申笑天;王新昶;郭松寿;张文骅;郭睿
受保护的技术使用者：上海交通大学;上海交友钻石涂层有限公司
技术研发日：2017.02.08
技术公布日：2017.07.07