本发明涉及技术领域，具体涉及一种用于amoled显示屏半导体薄膜。
背景技术：
当下电子产品更新换代迅速，对显示技术提出了更高的要求。透明显示、大尺寸、柔性显示是技术发展的必然趋势。作为平面显示驱动电路的控制单元，性能优异的薄膜场效应晶体管(tft)对于显示技术的发展进步具有重要意义。
工业上最早被用作薄膜晶体管沟道层的是非晶硅和多晶硅材料。非晶硅可以在较低的温度条件下大面积沉积，衬底的选择范围很宽；其制备工艺与集成电路工艺相似，技术成熟且有技术优势；但是非晶硅具有光照条件下性能不稳定、载流子迁移率低等缺点。多晶硅虽然具有很高的载流子迁移率(30-100cm2/vs)，但是，由于晶粒尺寸不均匀造成其电学性能的不均一，进而影响显示效果。同时，晶界存在导致的性能衰退，限制了其在柔性显示领域的应用。
技术实现要素：
本发明旨在提供了一种用于amoled显示屏半导体薄膜。
本发明提供如下技术方案：
一种用于amoled显示屏半导体薄膜制备方法，包括以下步骤：
(1)用丙酮对amoled玻璃基板进行超声清洗5～10min，然后用甲醇超声清洗5～10min，再次用异丙醇超声清洗5～10min，最后用去离子水反复冲洗，干燥后将amoled玻璃基板置于衬底台上；
(2)以纯度不低于99.99％的tio2、zno、sno2氧化物粉末为原料，按照原子比ti：zn：sn＝3：2：2，比例混合，经过球磨、干燥、成型、烧结，
(3)利用射频磁控溅射方法，在amoled玻璃基板上溅射薄膜，溅射压强为4×10-4～5×10-4torr，负极偏置电压为600～700v，溅射气体为氩气，气体流量为30sccm～50sccm，溅射时间30～50min，测得所沉积薄膜的厚度，计算得到当前参数下硅薄膜的沉积速率。
所述步骤(1)中衬底可以为硅片、氧化硅片、蓝宝石、石英、玻璃、苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯或聚酰亚胺。
所述磁控溅射的气体流量为20标准ml/min。
所述步骤(3)中磁控溅射的溅射功率为100w。
所述磁控溅射的溅射时间为30～150min。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明薄膜相比于非晶硅薄膜具有更高的载流子迁移率，相比于多晶硅薄膜具有更好的性能稳定性，可用于高分辨率、高帧频显示；使用射频磁控溅射方法制备非晶半导体氧化物薄膜，薄膜均匀性好，与工业上普遍使用的磁控溅射镀膜工艺兼容，适合大面积生产。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一种用于amoled显示屏半导体薄膜制备方法，包括以下步骤：
(1)用丙酮对amoled玻璃基板进行超声清洗5～10min，然后用甲醇超声清洗5～10min，再次用异丙醇超声清洗5～10min，最后用去离子水反复冲洗，干燥后将amoled玻璃基板置于衬底台上；
(2)以纯度不低于99.99％的tio2、zno、sno2氧化物粉末为原料，按照原子比ti：zn：sn＝3：2：2，比例混合，经过球磨、干燥、成型、烧结，
(3)利用射频磁控溅射方法，在amoled玻璃基板上溅射薄膜，溅射压强为4×10-4～5×10-4torr，负极偏置电压为600～700v，溅射气体为氩气，气体流量为30sccm～50sccm，溅射时间30～50min，测得所沉积薄膜的厚度，计算得到当前参数下硅薄膜的沉积速率。
所述步骤(1)中衬底可以为硅片、氧化硅片、蓝宝石、石英、玻璃、苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯或聚酰亚胺。
所述磁控溅射的气体流量为20标准ml/min。
所述步骤(3)中磁控溅射的溅射功率为100w。
所述磁控溅射的溅射时间为30～150min。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于所述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是所述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。