技术特征：
技术总结
本发明公开了一种半导体材料的制备方法，包括：以乙烯和/或乙炔为碳源，采用化学气相沉积法于未负载金属催化剂的基底上生长形成含表面缺陷的石墨烯；以及，以形成在所述基底上的、含表面缺陷的石墨烯作为衬底，并直接于所述衬底上外延生长半导体材料。本发明采用化学气相沉积方法直接制备含大量缺陷的石墨烯，无需对石墨烯表面额外做化学处理，可以提高其表面化学活性，获得具有大尺寸、均匀分布大量缺陷的石墨烯；获得石墨烯直接作为衬底生长半导体材料，不需要转移，避免了在衬底转移过程中引入污染而造成生长的半导体材料产生宏观缺陷的问题。
技术研发人员：徐俞;王建峰;徐科
受保护的技术使用者：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
技术研发日：2017.07.28
技术公布日：2019.02.05