一种低掺杂金属纳米类金刚石涂层的制备方法与流程

本发明属于低温等离子体材料处理技术领域，具体涉及一种金刚石涂层的制备方法。

背景技术：

类金刚石涂层是指一系列含有sp²(石墨键)、sp³(金刚石键)键的非晶碳膜。它的许多性质也和金刚石相似，例如高硬度、耐磨损、低摩擦系数、化学惰性、高弹性模量、电绝缘性、导热性、生物相容性和光学特性等。因此被广泛的应用于机械、化工、声学、电子、光学和生物医学等领域。类金刚石涂层具有金刚石和石墨的杂化结构，是一种亚稳态的长程无序的非晶碳。其中的碳原子有sp¹、sp²(石墨键)、sp³(金刚石键)三种键合组态，且sp¹键比例较小，常常可以忽略。类金刚石涂层的性质主要由sp²和sp³杂化的相对含量所决定，由于sp³键的含量变化范围较大，因而不同工艺制备的类金刚石涂层的性能也不尽相同。一般根据薄膜中碳离子的键合方式和各种键合方式比例的不同，类金刚石涂层可分为含氢类金刚石涂层和无氢类金刚石涂层两大类。其中氢的含量与碳sp³/sp²键的比例是决定类金刚石涂层性能的两个关键因素。

伴随着科技发展的进步，对类金刚石涂层的要求也越来越苛刻。在许多的领域，更是亟需涂层具有特殊的性能来解决问题，例如高档五金浴件领域工件本身耐温较低，同时即要求耐磨耐腐蚀又要求色泽一致(特别是高黑度涂层)。类金刚石涂层具有许多优越的性能，考虑如何提高膜层和基体间的结合强度、满足特殊性能需求和优化工艺，更好更广泛地应用于实际生产中，实现各领域对类金刚石涂层的迫切需求是重中之重。

技术实现要素：

本发明的目的是提供一种低掺杂金属纳米类金刚石涂层的制备方法，其制备的到的低金属掺杂纳米类金刚石涂层性能优异。

本发明的技术方案如下：

一种低掺杂金属纳米类金刚石涂层，包括自下而上依次沉积的金属中间层、金属碳化物中间层和类金刚石涂层，其中金属中间层沉积在工件表面。

所述的金属中间层为通过磁控溅射方式沉积的铝、镁、钛、钒、铬、锰、镍、铜、锌、锆、钼、钽、钨或金的纯金属涂层。

所述的金属碳化物中间层为铝、镁、钛、钒、铬、锰、镍、铜、锌、锆、钼、钽、钨或金的单一金属碳化物，或者铝、镁、钛、钒、铬、锰、镍、铜、锌、锆、钼、钽、钨和金其中的2种以上金属的复合金属碳化物。

所述的类金刚石涂层中掺杂金属元素，所述的金属元素为铝、镁、钛、钒、铬、锰、镍、铜、锌、锆、钼、钽、钨和金其中一种或多种金属元素，且所述的类金刚石涂层颗粒直径小于100nm，金属元素百分比含量低于10％。

一种低掺杂金属纳米类金刚石涂层的制备方法，包括如下步骤：

(1)工件表面清洗

(2)将工件安装到真空室工件架固定夹具上；

(3)工件高真空烘烤除气

(4)等离子体清洗

(5)沉积金属中间层

s5.1开启金属磁控溅射靶电源在工件表面沉积厚度为20-100nm金属涂层a1；

s5.2开启金属磁控溅射靶电源在金属涂层a1表面沉积厚度为150-600nm的金属涂层b1；

(6)沉积金属碳化物中间层

s6.1开启金属磁控溅射靶电源在金属中间层表面沉积厚度为20-80nm金属碳化物涂层a；

s6.2开启金属磁控溅射靶电源在金属碳化物涂层a表面沉积厚度为20-80nm的金属碳化物涂层b；

s6.3开启金属磁控溅射靶电源在金属碳化物涂层b表面沉积厚度为20-80nm的金属碳化物涂层c；

s6.4开启金属磁控溅射靶电源在金属碳化物涂层c表面沉积厚度为20-80nm的金属碳化物涂层d；

s6.5开启金属磁控溅射靶电源在金属碳化物涂层d表面沉积厚度为20-80nm的金属碳化物涂层e；

s6.6开启金属磁控溅射靶电源在金属碳化物涂层e表面沉积厚度为20-80nm的金属碳化物涂层f；

s6.7开启金属磁控溅射靶电源在金属碳化物涂层f表面沉积厚度为20-80nm的金属碳化物涂层g；

s6.8开启金属磁控溅射靶电源在金属碳化物涂层g表面沉积厚度为20-80nm的金属碳化物涂层h；

s6.9开启金属磁控溅射靶电源在金属碳化物涂层h表面沉积厚度为20-80nm的金属碳化物涂层i；

s6.10开启金属磁控溅射靶电源在金属碳化物涂层i表面沉积厚度为20-80nm的金属碳化物涂层j。

(7)在金属碳化物涂层j上沉积类金刚石涂层；

(8)待真空室温度冷却至70℃后将工件取出。

所述的步骤(5)沉积金属中间层，具体为：

s5.1真空室内通入氩气，维持工作真空度为1.0×10^-1～6.0×10^-1pa，调节脉冲偏压为700～1000v，占空比为60％～80％，直流电压100～150v，开启金属磁控溅射靶电源在工件表面沉积厚度为20-100nm金属涂层a1；

s5.2气体氛围和工作真空度不变，调节脉冲偏压为200～500v，占空比为15％～30％，直流电压30～80v，开启金属磁控溅射靶电源在金属涂层a1表面沉积厚度为150-600nm的金属涂层b1。

所述的步骤(6)沉积金属碳化物中间层，具体为：

s6.1真空室内通入一定比例的碳氢化合物和氩气，维持工作真空度为2.0×10^-1～1pa，调节脉冲偏压为700～1000v，占空比为60％～80％，直流电压100～150v，开启金属磁控溅射靶电源在金属中间层表面沉积厚度为20-80nm金属碳化物涂层a；

s6.2继续调节碳氢化合物和氩气的比例，调节脉冲偏压为500～700v，占空比为50％～60％，直流电压80～100v，开启金属磁控溅射靶电源在金属碳化物涂层a表面沉积厚度为20-80nm的金属碳化物涂层b；

s6.3继续调节碳氢化合物和氩气的比例，调节脉冲偏压为400～500v，占空比为30％～50％，直流电压60～80v，开启金属磁控溅射靶电源在金属碳化物涂层b表面沉积厚度为20-80nm的金属碳化物涂层c；

s6.4继续调节碳氢化合物和氩气的比例，调节脉冲偏压为300～400v，占空比为20％～30％，直流电压50～60v，开启金属磁控溅射靶电源在金属碳化物涂层c表面沉积厚度为20-80nm的金属碳化物涂层d；

s6.5继续调节碳氢化合物和氩气的比例，调节脉冲偏压为200～300v，占空比为15％～20％，直流电压50～60v，开启金属磁控溅射靶电源在金属碳化物涂层d表面沉积厚度为20-80nm的金属碳化物涂层e；

s6.6继续调节碳氢化合物和氩气的比例，调节脉冲偏压为100～200v，占空比为15％～20％，直流电压50～60v，开启金属磁控溅射靶电源在金属碳化物涂层e表面沉积厚度为20-80nm的金属碳化物涂层f；

s6.7继续调节碳氢化合物和氩气的比例，调节脉冲偏压为80～100v，占空比为15％～20％，直流电压30～50v，开启金属磁控溅射靶电源在金属碳化物涂层f表面沉积厚度为20-80nm的金属碳化物涂层g；

s6.8继续调节碳氢化合物和氩气的比例，调节脉冲偏压为80～100v，占空比为15％～20％，直流电压30～50v，开启金属磁控溅射靶电源在金属碳化物涂层g表面沉积厚度为20-80nm的金属碳化物涂层h；

s6.9继续调节碳氢化合物和氩气的比例，调节脉冲偏压为80～100v，占空比为15％～20％，直流电压30～50v，开启金属磁控溅射靶电源在金属碳化物涂层h表面沉积厚度为20-80nm的金属碳化物涂层i；

s6.10继续调节碳氢化合物和氩气的比例，调节脉冲偏压为80～100v，占空比为15％～20％，直流电压30～50v，开启金属磁控溅射靶电源在金属碳化物涂层i表面沉积厚度为20-80nm的金属碳化物涂层j。

所述的步骤(1)具体为：

工件表面首先利用酒精超声波清洗5～20分钟，然后用去离子水超声波清洗5～10分钟，再用酒精超声波清洗5～20分钟，最终用无纺布擦拭干净。

所述的步骤(3)工件高真空烘烤除气，具体为：

当真空室真空度达到8.0×10^-3pa时，真空室开始加热，加热温度为100-200℃，并保温120分钟。

所述的步骤(4)等离子体清洗，具体为：

真空室通入氩气，真空度为2.0×10^-1～6.0×10^-1pa，霍尔离子源电压300～500v，时间为15～25分钟。

所述的步骤(7)在金属碳化物涂层j上沉积类金刚石涂层，具体为：

通入工作气体，维持真空室真空度为2.0×10^-1～1pa，脉冲偏压为30～80v，占空比为15％～30％，直流电压30～120v，同时开启霍尔离子源和金属磁控溅射靶电源，霍尔离子源电压为1200～3000v，霍尔离子源与磁控溅射技术相结合沉积厚度为800～5000nm。

本发明的显著效果如下：利用霍尔离子源与磁控溅射技术相结合的沉积类金刚石涂层的方法，可以获得膜基结合强度高、摩擦系数低、耐腐蚀性能优越和色泽一致(特别是高黑度)的综合性能优良的纳米类金刚石涂层。通过本发明，可以在低温和高温条件下制备综合性能优异的纳米类金刚石涂层。该类金刚石涂层颗粒尺寸小于100nm，金属元素百分比含量低于10％，表面颜色均匀，特别是能够获得高黑度涂层，同时涂层表面均匀致密，膜/基结合强度大，硬度高，摩擦系数低，耐腐蚀性能优异，sp³键含量较大，适合大型工业化生产

附图说明

图1为低掺杂金属纳米类金刚石涂层示意图；

图2为低掺杂金属纳米类金刚石涂层制备方法流程图；

具体实施方式

下面通过附图及具体实施方式对本发明作进一步说明。

如图1所示，低掺杂金属纳米类金刚石涂层，自下而上依次包括金属中间层、金属碳化物中间层和类金刚石涂层。其中金属中间层附着在工件表面。

金属中间层为通过磁控溅射方式沉积的铝、镁、钛、钒、铬、锰、镍、铜、锌、锆、钼、钽、钨和金纯金属涂层；

所述的金属碳化物中间层为通入碳氢化合物后通过磁控溅射反应镀沉积方式制备的铝、镁、钛、钒、铬、锰、镍、铜、锌、锆、钼、钽、钨和金相应的单一金属碳化物或复合金属碳化物；

所述的类金刚石涂层中掺杂的金属元素，包括铝、镁、钛、钒、铬、锰、镍、铜、锌、锆、钼、钽、钨和金其中一种或多种金属元素，且所述的类金刚石涂层颗粒尺寸小于100nm，金属元素百分比含量低于10％。

如图2所示，一种低掺杂金属纳米类金刚石涂层的制备方法，包括如下步骤：

(1)工件表面清洗

工件表面首先利用酒精超声波清洗5～20分钟，然后用去离子水超声波清洗5～10分钟，再用酒精超声波清洗5～20分钟，最终用无纺布擦拭干净。

(2)工件安装

将工件安装到真空室工件架固定夹具上，且满足工件架公转、自转要求。

(3)工件高真空烘烤除气

当真空室真空度达到8.0×10^-3pa时，真空室开始加热，加热温度为100-200℃，并保温120分钟。

(4)等离子体清洗

真空室通入氩气，真空度为2.0×10^-1～6.0×10^-1pa，霍尔离子源电压300～500v，时间为15～25分钟。

(5)沉积金属中间层

沉积金属中间层分为以下两个步骤：

s1真空室内通入氩气，维持工作真空度为1.0×10^-1～6.0×10^-1pa，调节脉冲偏压为700～1000v，占空比为60％～80％，直流电压100～150v，开启金属磁控溅射靶电源在工件表面沉积厚度为20-100nm金属涂层a1；

s2气体氛围和工作真空度不变，调节脉冲偏压为200～500v，占空比为15％～30％，直流电压30～80v，开启金属磁控溅射靶电源在金属涂层a1表面沉积厚度为150-600nm的金属涂层b1。

(6)沉积金属碳化物中间层

沉积金属碳化物中间层分为如下几个步骤：

s1真空室内通入一定比例的碳氢化合物和氩气，维持工作真空度为2.0×10^-1～1pa，调节脉冲偏压为700～1000v，占空比为60％～80％，直流电压100～150v，开启金属磁控溅射靶电源在金属中间层表面沉积厚度为20-80nm金属碳化物涂层a；

s2继续调节碳氢化合物和氩气的比例，调节脉冲偏压为500～700v，占空比为50％～60％，直流电压80～100v，开启金属磁控溅射靶电源在金属碳化物涂层a表面沉积厚度为20-80nm的金属碳化物涂层b；

s3继续调节碳氢化合物和氩气的比例，调节脉冲偏压为400～500v，占空比为30％～50％，直流电压60～80v，开启金属磁控溅射靶电源在金属碳化物涂层b表面沉积厚度为20-80nm的金属碳化物涂层c；

s4继续调节碳氢化合物和氩气的比例，调节脉冲偏压为300～400v，占空比为20％～30％，直流电压50～60v，开启金属磁控溅射靶电源在金属碳化物涂层c表面沉积厚度为20-80nm的金属碳化物涂层d；

s5继续调节碳氢化合物和氩气的比例，调节脉冲偏压为200～300v，占空比为15％～20％，直流电压50～60v，开启金属磁控溅射靶电源在金属碳化物涂层d表面沉积厚度为20-80nm的金属碳化物涂层e；

s6继续调节碳氢化合物和氩气的比例，调节脉冲偏压为100～200v，占空比为15％～20％，直流电压50～60v，开启金属磁控溅射靶电源在金属碳化物涂层e表面沉积厚度为20-80nm的金属碳化物涂层f；

s7继续调节碳氢化合物和氩气的比例，调节脉冲偏压为80～100v，占空比为15％～20％，直流电压30～50v，开启金属磁控溅射靶电源在金属碳化物涂层f表面沉积厚度为20-80nm的金属碳化物涂层g；

s8继续调节碳氢化合物和氩气的比例，调节脉冲偏压为80～100v，占空比为15％～20％，直流电压30～50v，开启金属磁控溅射靶电源在金属碳化物涂层g表面沉积厚度为20-80nm的金属碳化物涂层h；

s9继续调节碳氢化合物和氩气的比例，调节脉冲偏压为80～100v，占空比为15％～20％，直流电压30～50v，开启金属磁控溅射靶电源在金属碳化物涂层h表面沉积厚度为20-80nm的金属碳化物涂层i；

s10继续调节碳氢化合物和氩气的比例，调节脉冲偏压为80～100v，占空比为15％～20％，直流电压30～50v，开启金属磁控溅射靶电源在金属碳化物涂层i表面沉积厚度为20-80nm的金属碳化物涂层j。

(7)沉积纳米类金刚石涂层

在金属碳化物涂层j上沉积类金刚石涂层；

通入工作气体(氢气、氩气和碳氢化合物)，调节气体间的比例，维持真空度为2.0×10^-1～1pa，脉冲偏压为30～80v，占空比为15％～30％，直流电压30～120v，同时开启霍尔离子源和金属磁控溅射靶电源，霍尔离子源电压为1200～3000v，霍尔离子源与磁控溅射技术相结合沉积厚度为800～5000nm。

(8)取出工件

镀膜工艺结束后，保持真空室高真空状态或者通入适量氩气，待真空室温度缓慢冷却至70℃后将工件取出。

为了使本发明采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，将通过下面优选的实施例对本发明作进一步的详细说明。这些实例仅仅是应用本发明技术方案的典型范例，凡采取等同替换或者等效变换而形成的技术方案，均为本发明权利要求的保护范围之内。

实施例1

以铜基合金五金浴件表面沉积纳米类金刚石涂层为实施例，具体制备过程为：

(1)将铜基合金五金浴件(下简称浴件)放入超声波清洗槽内，先用酒精超声波清洗10分钟，再用去离子水超声波清洗10分钟，再用酒精超声波清洗脱水10分钟，最终用无纺布将浴件表面擦拭干净。

(2)将工件安装到真空室工件架固定夹具上，实现工件架公转、自转要求。

(3)对真空室抽高真空，当真空室真空度达到8.0×10^-3pa时，真空室开始加热，加热温度设定为100℃，当温度达到100℃时，保温120分钟。

(4)向真空室内通入氩气，保持真空度为0.5pa，霍尔离子源电压500v，对浴件进行等离子体清洗，时间为15分钟。

(5)等离子体清洗完成后，分两个步骤进行金属中间层沉积。

s1真空室内通入氩气，维持工作真空度为5.0×10^-1pa，调节脉冲偏压为1000v，占空比为80％，直流电压150v，开启钛金属磁控溅射靶电源，功率6.4kw，时间3分钟；

s2气体氛围和工作真空度不变，调节脉冲偏压为500v，占空比为30％，直流电压80v，开启钛金属磁控溅射靶电源，功率6.4kw，时间5分钟；

(6)关闭钛金属磁控溅射靶电源，通入一定比例的氩气和乙炔混合气体，调节真空度和偏压电源参数，再次开启钛金属磁控溅射靶电源，分别进行如下步骤沉积金属碳化物中间层。

s1真空室内通入碳氢化合物和氩气比例为1:1的混合气体，保持工作真空度为5.0×10^-1，调节脉冲偏压为1000v，占空比为80％，直流电压150v，开启钛金属磁控溅射靶电源，调节功率为6.4kw，时间为3分钟；

s2继续调节碳氢化合物和氩气比例为1.2:1，调节脉冲偏压为700v，占空比为60％，直流电压100v，开启钛金属磁控溅射靶电源，调节功率为6.4kw，时间为3分钟；

s3继续调节碳氢化合物和氩气比例为1.4:1，调节脉冲偏压为500v，占空比为40％，直流电压80v，开启钛金属磁控溅射靶电源，调节功率为6.4kw，时间为3分钟；

s4继续调节碳氢化合物和氩气比例为1.6:1，调节脉冲偏压为400v，占空比为30％，直流电压60v，开启钛金属磁控溅射靶电源，调节功率为6.4kw，时间为3分钟；

s5继续调节碳氢化合物和氩气比例为1.8:1，调节脉冲偏压为300v，占空比为20％，直流电压60v，开启钛金属磁控溅射靶电源，调节功率为6.4kw，时间为3分钟；

s6继续调节碳氢化合物和氩气比例为2.0:1，调节脉冲偏压为200v，占空比为20％，直流电压60v，开启钛金属磁控溅射靶电源，调节功率为6.4kw，时间为3分钟；

s7继续调节碳氢化合物和氩气比例为2.2:1，调节脉冲偏压为100v，占空比为20％，直流电压50v，开启钛金属磁控溅射靶电源，调节功率为6.4kw，时间为3分钟；

s8继续调节碳氢化合物和氩气比例为2.4:1，调节脉冲偏压为90v，占空比为20％，直流电压50v，开启钛金属磁控溅射靶电源，调节功率为6.4kw，时间为3分钟；

s9继续调节碳氢化合物和氩气比例为2.6:1，调节脉冲偏压为80v，占空比为20％，直流电压50v，开启钛金属磁控溅射靶电源，调节功率为6.4kw，时间为3分钟；

s10继续调节碳氢化合物和氩气比例为2.8:1，调节脉冲偏压为100v，占空比为20％，直流电压50v，开启钛金属磁控溅射靶电源，调节功率为6.4kw，时间为3分钟；

(7)打开氢气截止阀，调节真空室中氢气、氩气和乙炔比例为3：2：1，真空度为8.0×10^-1pa，钛金属磁控溅射靶功率保持不变，仍为6.4kw，脉冲偏压为80v，占空比为15％，直流电压30v，霍尔离子源电压为1300v，霍尔离子源与磁控溅射技术相结合沉积时间为110分钟。

(8)镀膜工艺结束后，真空室内通入氩气，真空度为2.0×10^-1pa，待真空室温度缓慢冷却至70℃后将浴件取出。

对上述实施例的浴件进行检测分析，通过组织、结构和成分分析，该类金刚石涂层表面色泽一致、黑度高、粗糙度低(ra＝7nm)、微观颗粒细小(﹤60nm)、类金刚石涂层钛金属元素含量﹤6％、sp³键含量高(57％)、摩擦系数低(≈0.1)，且耐腐蚀性能(astmb117-02)、粘附力试验(astmb571-2003)及化学腐蚀性能等均满足高档五金浴件的相关要求。

实施例2

以压缩机导磁环部件内表面表面沉积纳米类金刚石涂层为实施例，具体制备过程为：

(1)将压缩机导磁环部件(下简称导磁环)放入超声波清洗槽内，先用酒精超声波清洗15分钟，再用去离子水超声波清洗10分钟，再用酒精超声波清洗脱水15分钟，最终用无纺布将浴件表面擦拭干净。

(2)将导磁环安装到真空室工件架固定夹具上，实现工件架公转、自转要求。

(3)对真空室抽高真空，当真空室真空度达到8.0×10^-3pa时，真空室开始加热，加热温度设定为200℃，当温度达到200℃时，保温120分钟。

(4)向真空室内通入氩气，保持真空度为0.3pa，霍尔离子源电压300v，对浴件进行等离子体清洗，时间为25分钟。

(5)等离子体清洗完成后，分两个步骤进行金属中间层沉积。

s1真空室内通入氩气，维持工作真空度为1pa，调节脉冲偏压为1000v，占空比为60％，直流电压120v，开启钨金属磁控溅射靶电源，功率7.2kw，时间3分钟；

s2气体氛围和工作真空度不变，调节脉冲偏压为300v，占空比为20％，直流电压30v，开启钛金属磁控溅射靶电源，功率8.0kw，时间6分钟；

(6)关闭钨金属磁控溅射靶电源，通入一定比例的氩气和乙炔混合气体，调节真空度和偏压电源参数，再次开启钨金属磁控溅射靶电源，分别进行如下步骤沉积金属碳化物中间层。

s1真空室内通入碳氢化合物和氩气比例为1:1的混合气体，保持工作真空度为1pa，调节脉冲偏压为800v，占空比为80％，直流电压100v，开启钨金属磁控溅射靶电源，调节功率为7.2kw，时间为3分钟；

s2继续调节碳氢化合物和氩气比例为1.2:1，调节脉冲偏压为500v，占空比为70％，直流电压90v，开启钨金属磁控溅射靶电源，调节功率为7.2kw，时间为3分钟；

s3继续调节碳氢化合物和氩气比例为1.4:1，调节脉冲偏压为400v，占空比为30％，直流电压80v，开启钨金属磁控溅射靶电源，调节功率为7.2kw，时间为3分钟；

s4继续调节碳氢化合物和氩气比例为1.6:1，调节脉冲偏压为300v，占空比为30％，直流电压60v，开启钨金属磁控溅射靶电源，调节功率为7.2kw，时间为3分钟；

s5继续调节碳氢化合物和氩气比例为1.8:1，调节脉冲偏压为200v，占空比为20％，直流电压60v，开启钨金属磁控溅射靶电源，调节功率为7.2kw，时间为3分钟；

s6继续调节碳氢化合物和氩气比例为2.0:1，调节脉冲偏压为100v，占空比为20％，直流电压60v，开启钨金属磁控溅射靶电源，调节功率为7.2kw，时间为3分钟；

s7继续调节碳氢化合物和氩气比例为2.2:1，调节脉冲偏压为80v，占空比为20％，直流电压50v，开启钨金属磁控溅射靶电源，调节功率为7.2kw，时间为3分钟；

s8继续调节碳氢化合物和氩气比例为2.4:1，调节脉冲偏压为80v，占空比为20％，直流电压50v，开启钨金属磁控溅射靶电源，调节功率为7.2kw，时间为3分钟；

s9继续调节碳氢化合物和氩气比例为2.6:1，调节脉冲偏压为80v，占空比为20％，直流电压30v，开启钨金属磁控溅射靶电源，调节功率为6.4kw，时间为3分钟；

s10继续调节碳氢化合物和氩气比例为2.8:1，调节脉冲偏压为80v，占空比为20％，直流电压30v，开启钨金属磁控溅射靶电源，调节功率为7.2kw，时间为3分钟；

(7)打开氢气截止阀，调节真空室中氢气、氩气和乙炔比例为4：3：1，真空度为1pa，钨金属磁控溅射靶功率保持不变，仍为7.2kw，脉冲偏压为30v，占空比为15％，直流电压50v，霍尔离子源电压为1800v，霍尔离子源与磁控溅射技术相结合沉积时间为90分钟。

(8)镀膜工艺结束后，真空室内通入氩气，真空度为2.0×10^-1pa，待真空室温度缓慢冷却至70℃后将浴件取出。

对上述实施例的导磁环进行检测分析，通过组织、结构和成分分析，该类金刚石涂层表面色泽一致、粗糙度低(ra＝12nm)、微观颗粒细小(﹤90nm)、类金刚石涂层钛金属元素含量﹤8％、sp³键含量高(53％)、摩擦系数低(≈0.1)，且耐腐蚀性能(astmb117-02)、粘附力试验(astmb571-2003)及化学腐蚀性能等均满足压缩机导磁环的相关技术要求。