本实用新型涉及表面处理领域，尤其涉及一种用于抛光的吸附垫。
背景技术：
目前，对于陶瓷、蓝宝石等材料的单侧表面抛光处理，通常采用粘蜡方式，即将陶瓷、蓝宝石等晶片(本实用新型中以晶片指代上述材料产品)需要抛光表面的相对面刷蜡，并粘在托盘上，然后在抛光机上进行旋转式研磨抛光，之后将托盘放在烤箱上加热，使晶片和托盘分离。
该方式操作流程复杂，使用不便，并且托盘多为陶瓷材质，反复加热、冷却，容易导致其破裂、报废。
技术实现要素：
本实用新型的目的是针对上述问题，提供一种吸附垫，以替代粘蜡方式，从而无需对托盘进行加热、冷却等繁琐操作。
本实用新型采用的技术方案如下：
一种吸附垫，包括：
第一环氧树脂板、第一胶层、第二环氧树脂板以及第二胶层；
所述第一环氧树脂板通过所述第一胶层与所述第二环氧树脂板的一面固接，且在所述第二环氧树脂板远离所述第一胶层的另一面设有第二胶层，所述第二胶层用于所述第二环氧树脂板与托盘固接；
所述第一环氧树脂板设有多个用于容置晶片的型腔；
所述第二环氧树脂板的中心设有用于释放应力的通孔。
优选地，所述第一胶层的厚度0.005mm～0.01mm。
优选地，所述第二胶层的厚度0.005mm～0.01mm。
优选地，所述第二环氧树脂板的厚度为0.6mm～1.2mm。
优选地，所述型腔贯穿于所述第一环氧树脂板。
优选地，所述第一胶层设有与所述型腔相对应的无胶区域。
优选地，所述第一胶层和第二胶层均为双面胶。
优选地，所述第二环氧树脂板上分别与所述第一胶层和所述第二胶层接触的两面为经过打磨的平面。
通过本实用新型提供的吸附垫，无需在晶片和托盘之间粘蜡，从而使得抛光流程更为简便，且可大幅延长托盘的使用寿命；尤其是，采用了材质较硬的两片环氧树脂板，并在与托盘相接的第二环氧树脂板上开设用于卸力的通孔，进而在抛光处理时使环氧树脂板受力更为均匀，由离心力产生的应力相对不会过于集中，因此能够克服环氧树脂板发生形变，也使得晶片的抛光面更为平整，并能够有效、精确地控制晶片的厚度变化。
附图说明
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型作进一步描述，其中：
图1为本实用新型实施例提供的吸附垫的侧视示意图；
图2为本实用新型实施例提供的吸附垫的俯视示意图。
附图标记说明：
1第一环氧树脂板 2第一胶层 3第二环氧树脂板 4第二胶层
5托盘 11型腔 31通孔
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能解释为对本实用新型的限制。
本实用新型提供了一种吸附垫，如图1和图2所示的实施例，该吸附垫包括第一环氧树脂板1、第一胶层2、第二环氧树脂板3以及第二胶层4，其中第一胶层2和第二胶层4的选择可以是多样的，例如复合胶膜、热熔胶或者是成本低廉、使用方便的双面胶。具体而言，第一环氧树脂板1通过第一胶层2与第二环氧树脂板3的一面固接，并且，在第二环氧树脂板3远离第一胶层2的另一面设有第二胶层4，第二胶层4的作用是将第二环氧树脂板3与托盘5固接，为了进一步保证晶片的抛光效果，第二环氧树脂板3的分别与前述第一胶层2和第二胶层4相接触的两个表面，可以是经过打磨处理的较为平整的平面，并且其总厚度可以控制在0.6mm～1.2mm，例如0.7mm；接续上文，第一环氧树脂板1还均匀地设有多个用于容置晶片的型腔11(图1中以虚线透视方式示意)，而第二环氧树脂板3的中心设有用于释放由旋转离心力产生的应力的通孔31(图1中以虚线透视方式示意)。
需要说明的是，第一环氧树脂板1和第二环氧树脂板3可以通过机床加工为与托盘5外形一致的形状，例如附图中的圆柱形，但实际操作中并不限于实施例中的圆柱形；型腔11的规格和尺寸也可根据晶片的构造而定，同样地，可以是附图中的圆形，也可以是诸如矩形、菱形、椭圆形等，在本实用新型的一个较佳方案中，型腔11的内壁与放置其中的晶片之间的间隙为0.05mm，以此保证较小的间隙配合，以防在旋转抛光时晶片在型腔11内存在较大位移；当然，本领域技术人员可以理解的是型腔11的深度同样是由晶片决定，保证晶片在抛光前后有局部突出于型腔11之外即可，且为了避免晶片脱落，晶片的大部分应置于型腔11之内；如图1所示，型腔11可以贯穿于第一环氧树脂板1，也即是型腔11的深度即为第一环氧树脂板1的厚度，当然，在其他实施方式中，型腔11也可以是非贯通结构，本实用新型对此不予限定；针对本实施例，还可以进一步考虑的是，第一胶层2设有与贯通的型腔11相对应的无胶区域，以便取放晶片。
此外，通孔31的作用是减小吸附垫在旋转抛光过程中过于集中的应力，因而其尺寸无需很大，可以根据晶片尺寸进行调整，一般小于晶片尺寸即可，例如在本实用新型的另一个实施例中通孔31的尺寸为型腔11尺寸的四分之一。
最后，还可以指出的是，为了便于较薄的晶片抛光，还可以将第一胶层2的厚度设置在0.005mm～0.01mm(例如0.006mm或0.009mm)，当然，为更佳地控制吸附垫的整体厚度，第二胶层4的厚度同样也可以设置在0.005mm～0.01mm(例如0.006mm或0.009mm)。
以上依据图式所示的实施例详细说明了本实用新型的构造、特征及作用效果，但以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，需要言明的是，上述实施例及其优选方式所涉及的技术特征，本领域技术人员可以在不脱离、不改变本实用新型的设计思路以及技术效果的前提下，合理地组合搭配成多种等效方案；因此，本实用新型不以图面所示限定实施范围，凡是依照本实用新型的构想所作的改变，或修改为等同变化的等效实施例，仍未超出说明书与图示所涵盖的精神时，均应在本实用新型的保护范围内。