技术特征：
技术总结
本发明公开了一种采用磁控溅射技术高通量制备Co‑Al‑W基合金薄膜的方法，包括如下步骤：(1)以Co‑Al‑W基多元合金元素为合成原料，利用真空非自耗电弧熔炼技术，制备靶材A、靶材B和靶材C，靶材A包括特征元素X，靶材B包括特征元素Y，靶材C包括除特征元素X和特征元素Y之外的Co‑Al‑W基多元合金元素；(2)选取基体并将其安装在磁控溅射设备的夹具上，将步骤(1)制备的靶材A、靶材B和靶材C分别放置在磁控溅射设备的三个靶位上，利用磁控溅射技术，制备Co‑Al‑W基合金薄膜。本方法作为Co‑Al‑W基合金材料的高通量制备技术操作简单，且得到的薄膜材料便于高通量表征工作的开展。
技术研发人员：沙江波;管琪;李艳;周春根
受保护的技术使用者：北京航空航天大学
技术研发日：2018.11.14
技术公布日：2019.02.05