金属掩膜板框架的制作方法

本发明涉及蒸镀加工领域，尤其涉及一种金属掩膜板框架。

背景技术：

有机发光二级管显示器(organiclightemittingdiode，oled)是一种极具发展前景的平板显示技术，它具有十分优异的显示性能，特别是自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性，被誉为“梦幻显示器”，再加上其生产设备投资远小于tft-lcd，得到了各大显示器厂家的青睐，已成为显示技术领域中第三代显示器件的主力军。

oled具有依次形成于基板上的阳极、有机发光层和阴极。在制备oled显示器件时，需要将oled中的各层材料通过蒸镀工艺蒸镀到阵列基板上，而且在蒸镀过程中，需要使用到相应的精细金属掩膜板(finemetalmask，fmm)，通过fmm上的开孔使oled材料蒸镀到设计的位置，具体地，通过加热oled材料，使得oled材料慢慢变成气态升华，然后穿过fmm的开孔沉积在基板表面形成薄膜。当前投入商业化生产的进行彩色显示的oled显示器件主要有rgb三色oled显示器件和白光oled搭配彩色滤光片(colorfilter，cf)的显示器件。其中，rgb三色oled显示器件当前广泛应用于移动显示设备，其fmm技术是显示器件解析度的决定因素。

如图1-2所示，在进行oled蒸镀用fmm的张网工艺制程中，施力机构的施力端300会对金属掩膜板框架(metalmaskframe)100施加反形变作用力(counterforce，c/f)，然后，每完成一片条形精细金属掩膜板(fmmsheet)会释放一次c/f，受条形精细金属掩膜板拉力、金属掩膜板框架结构内应力以及金属掩膜板框架本身无法做到完全对称等影响，释放c/f过程中，金属掩膜板框架易发生偏移，如图3所示，虚线为c/f施加后金属掩膜板框架的状态，实线为释放c/f后金属掩膜板框架的状态。这种偏移随释放次数逐渐累加，最终将导致fmm最终像素位置精度(pixelpositionaccuracy，ppa)超出蒸镀使用规格。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种金属掩膜板框架，能改善反形变作用力引起的偏移问题，保证fmm最终像素位置精度符合蒸镀使用规格。

为实现上述目的，本发明提供一种金属掩膜板框架，在其两侧分别设有一施力槽用于与反形变作用力施力机构的施力端配合。

所述的金属掩膜板框架呈矩形，所述施力槽位于矩形的两长边上。

所述施力槽用于容纳施力机构的施力端，并受该施力端限制而使得金属掩膜板框架不能相对于施力机构的施力端发生偏移。

所述施力槽与该施力端包裹接触以限制金属掩膜板框架相对于施力机构的施力端发生偏移。

所述施力槽呈圆柱形。

所述施力槽呈球形。

所述的金属掩膜板框架用于oled蒸镀。

所述的金属掩膜板框架用于fmm。

所述两侧的施力槽呈对称设置。

所述的金属掩膜板框架呈对称设置。

本发明的有益效果：本发明金属掩膜板框架通过设置施力槽与c/f施力机构的施力端匹配对接，施加c/f时，c/f施力机构的施力端伸入金属掩膜板框架上的施力槽，施加c/f后两者包裹接触，释放c/f时，除了施力方向，金属掩膜板框架在垂直于施力方向上也受c/f施力机构的施力端的限制而无法发生偏移，从而利用c/f施力机构的施力端改善了释放c/f引起的金属掩膜板框架偏移问题。

附图说明

为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图中，

图1为现有金属掩膜板框架的示意图；

图2为现有金属掩膜板框架施加c/f后的状态示意图；

图3为现有金属掩膜板框架释放c/f后的状态示意图；

图4为本发明金属掩膜板框架的示意图；

图5为本发明金属掩膜板框架施加c/f后的状态示意图；

图6为本发明金属掩膜板框架释放c/f后的状态示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。

请参阅图4-5，本发明金属掩膜板框架2在其两侧分别设有一施力槽20用于与反形变作用力的施力机构的施力端30配合，以利于施力机构在此处进行施力，并限制金属掩膜板框架2相对于施力机构的施力端30发生偏移。

所述金属掩膜板框架2呈矩形，所述施力槽20位于矩形的两长边10上。所述金属掩膜板框架2呈对称设置。所述金属掩膜板框架2两侧的施力槽20呈对称设置。

所述施力槽20用于容纳施力机构的施力端30，并受该施力端30限制而使得金属掩膜板框架2不能相对于施力机构的施力端30发生偏移。

所述施力槽20与该施力端30包裹接触以限制金属掩膜板框架2相对于施力机构的施力端30发生偏移。

所述施力槽20的形状对应施力端30的形状而设计，在本实施例中，施力端30呈圆柱形，所述施力槽20对应呈圆柱形，以容纳并包裹接触施力端30。

作为一种可供选择的实施例，当施力端30呈球形，所述施力槽20也相应呈球形。

所述金属掩膜板框架2用于oled蒸镀，特别是用于fmm。张网机设备上有c/f施力机构，位置是固定的。本发明金属掩膜板框架2在对应c/f施力处的位置上形成施力槽20，且施力槽20设计成对应c/f施力机构的施力端30的形状，使c/f施力机构可以伸入金属掩膜板框架2上的施力槽20并匹配对接。施加c/f时，如图5所示，c/f施力机构伸入金属掩膜板框架2上的施力槽20，施加c/f后两者包裹接触。释放c/f时，如图6所示，释放c/f后金属掩膜板框架2的状态与c/f施加后金属掩膜板框架2的状态是相同的，除了施力方向，金属掩膜板框架2在垂直于施力方向上也受c/f施力机构的限制而无法发生偏移，从而利用c/f施力机构改善了释放c/f引起的金属掩膜板框架2偏移问题。

综上所述，本发明金属掩膜板框架通过设置施力槽与c/f施力机构的施力端匹配对接，施加c/f时，c/f施力机构的施力端伸入金属掩膜板框架上的施力槽，施加c/f后两者包裹接触，释放c/f时，除了施力方向，金属掩膜板框架在垂直于施力方向上也受c/f施力机构的施力端的限制而无法发生偏移，从而利用c/f施力机构的施力端改善了释放c/f引起的金属掩膜板框架偏移问题。

以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

技术特征：

技术总结
本发明提供一种金属掩膜板框架，在其两侧分别设有一施力槽用于与反形变作用力施力机构的施力端配合。本发明金属掩膜板框架通过设置施力槽与C/F施力机构的施力端匹配对接，施加C/F时，C/F施力机构的施力端伸入金属掩膜板框架上的施力槽，施加C/F后两者包裹接触，之后释放C/F时，除了施力方向，金属掩膜板框架在垂直于施力方向上也受C/F施力机构的施力端的限制而无法发生偏移，从而利用C/F施力机构的施力端改善了释放C/F引起的金属掩膜板框架偏移问题。

技术研发人员：万永超
受保护的技术使用者：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2018.11.22
技术公布日：2019.03.12