处理掩模布置的方法、用于掩模布置的光学检查的参考基板和真空沉积系统与流程

本公开内容的实施方式涉及一种用于处理掩模布置的方法。本公开内容的实施方式涉及一种用于掩模布置的光学检查的参考基板，尤其是一种在用于处理掩模布置的方法中使用的参考基板。本公开内容的实施方式涉及一种真空沉积系统，具体是一种用于处理掩模布置的真空沉积系统，更具体是一种用于执行用于处理掩模布置的方法的真空沉积系统。本公开内容的实施方式涉及用于处理掩模布置的方法和系统、以及用于掩模布置的光学检查的基板，具体是在显示器制造中，更具体是在oled显示器制造中。

背景技术：

用于在基板上进行层沉积的技术包括例如热蒸发、物理气相沉积(pvd)和化学气相沉积(cvd)。可以在若干应用和若干技术领域中使用涂覆基板。例如，可以在有机发光二极管(oled)装置领域中使用涂覆基板。oled可以用于制造用于显示信息的电视机屏幕、计算机监视器、移动电话、其它手持装置和类似者。oled装置，诸如oled显示器，可包括置于两个电极之间的一个或多个有机材料层，一个或多个有机材料层都沉积在基板上。

在oled装置的生产中，为了实现高分辨率oled装置，存在技术挑战。具体是在沉积期间，基板布置相对于掩模布置的准确对准对于实现高质量处理结果(例如，生产高分辨率oled装置)是关键的。

基板布置相对于掩模布置的对准可能受各种因素的影响，例如处理条件、真空沉积系统质量、还有基板布置的质量和掩模布置的质量。

鉴于上述，克服本领域中的至少一些问题的新颖方法、设备和系统是有益的。本公开内容具体旨在提供一种用于处理掩模布置的新颖方法。本公开内容进一步旨在有益地提供一种改善的真空系统。本公开内容旨在有益地提供用于掩模布置的光学检查的新颖参考基板，尤其是供在用于处理掩模布置的方法中使用。

技术实现要素：

鉴于上述，提供了一种用于处理掩模布置的方法、一种用于掩模布置的光学检查的参考基板、以及一种真空沉积系统。本公开内容的另外方面、益处和特征从权利要求书、说明书和附图中显而易见。

根据本公开内容的一方面，提供了一种用于处理掩模布置的方法。所述方法包括将掩模布置接收在设有参考基板的检查腔室中。此外，所述方法包括将所述掩模布置相对于所述参考基板对准。另外，所述方法包括用光学检查装置检查所述掩模布置的至少一部分与所述参考基板的至少一部分之间的相对定位以获得关于所述掩模布置的信息数据。

根据本公开内容的又一方面，提供了一种用于掩模布置的光学检查的参考基板。所述参考基板包括设有参考图案的参考基板基底。此外，所述参考图案包括多个参考像素，所述参考像素中的至少一个设有提供参考像素信息的光学可读标签。

根据本公开内容的另一方面，提供了一种在如本文所述的方法中使用的参考基板。所述参考基板包括设有参考图案的参考基板基底。此外，所述参考图案包括多个参考像素，所述参考像素中的至少一个设有提供参考像素信息的光学可读标签。

根据本公开内容的又一方面，提供了一种真空沉积系统。所述真空沉积系统包括检查腔室。此外，所述检查腔室设有第一对准系统，所述第一对准系统被配置为将掩模布置相对于参考基板对准。另外，所述检查腔室设有光学检查装置，所述光学检查装置被配置为光学地检查所述掩模布置。所述真空沉积系统进一步包括沉积腔室，所述沉积腔室设有沉积源，所述沉积源被配置为通过所述掩模布置将材料沉积在基板上。另外，所述真空沉积系统包括运输系统，所述运输系统被配置为将所述掩模布置从所述检查腔室运输到所述沉积腔室。

根据本公开内容的又一方面，提供了一种如本文所述的真空沉积系统。此外，所述参考基板设置在所述检查腔室中，并且包括设有参考图案的参考基板基座。具体地，如本文所述的用于掩模布置的光学检查的所述参考基板设置在所述检查腔室中。

附图说明

为了能够详细地理解本公开内容的上述特征所用方式，上文简要地概述的本公开内容的更具体描述可以参考实施方式进行。附图涉及本公开内容的实施方式，并且描述于下：

图1示出了根据本文所述的实施方式的用于掩模布置的光学检查的参考基板的示意性侧视图；

图2示出了根据本文所述的实施方式的用于处理掩模布置的方法的流程图；

图3示出了根据图2的实施方式的用于处理掩模布置并进一步包括在接收掩模布置之前准备和调节的方法的流程图；

图4示出了根据图3的实施方式的用于处理掩模布置并在检查之后进一步包括运输和利用掩模布置的方法的流程图；

图5示出了根据图3的实施方式的检查的详细的流程图；

图6示出了根据本文所述的实施方式的真空沉积系统的示意性剖视图；

图7示出了根据本文所述的实施方式的用于将基板布置相对于掩模布置对准的系统的示意性剖视图；

图8a和8b示出了根据本文所述的又一些实施方式的真空沉积系统的示意性剖视图；

具体实施方式

现将详细地参考本公开内容的各种实施方式，这些实施方式的一个或多个示例示于图中。在各图的以下描述中，相同的参考数字是指相同的部件。仅描述相对于各个实施方式的差异。每个示例以解释本公开内容的方式提供，而不表示对本公开内容的限制。此外，示出或描述为一个实施方式的部分的特征可以在其他实施方式上或结合其他实施方式使用，以产生又一实施方式。本说明书旨在包括这样的修改和变化。

本文所述的实施方式可以用于检查例如用于制造的显示器的大面积涂覆基板。本文所述的设备和方法被配置用于的基板或基板接收区域可以是具有例如1m²或更大的大小的大面积基板。例如，大面积基板或载体可以是第4.5代(其对应于约0.67m²基板(0.73×0.92m))、第5代(其对应于约1.4m²基板(1.1m×1.3m))、第7.5代(其对应于约4.29m²基板(1.95m×2.2m))、第8.5代(其对应于约5.7m²基板(2.2m×2.5m))、或甚至第10代(其对应于约8.7m²基板(2.85m×3.05m))。可以类似地实现甚至更高代(诸如第11代和第12代)以及对应的基板面积。例如，对于oled显示器制造，可以通过用于蒸发材料的设备的蒸发来涂覆上述各代的基板(包括第6代)的一半大小。该代基板的一半大小可以得自在全基板大小上进行的一些工艺、以及在先前处理的基板的半部上进行的后续工艺。

在本公开内容中，术语“掩模布置的处理”可包括限定利用掩模布置的任何术语。换句话说，术语“掩模布置的处理”可以是指活动，并且可以涵盖诸如使用、利用和类似的术语，而且还包括附接、连接、运输、移动、传送、取向、调节或类似者。

在本公开内容中，术语“掩模布置”可包括形成掩模布置的任何装置，具体是术语“掩模布置”可包括掩模以及掩模框架、掩模载体还有直接地或间接地用于组装掩模、掩模框架和掩模载体中的至少一个的任何其它装置(诸如像磁板)中的至少一个。

根据本公开内容，掩模可理解为适于oled显示器制造的任何掩模。如本文所述的掩模可包括多个沉积开口。换句话说，掩模可包括设有多个沉积开口的掩模图案。多个沉积开口可以具体地理解为多个孔。

此外，根据本公开内容的掩模可以是指用于蓝色像素沉积的掩模、用于红色像素沉积的掩模和用于绿色像素沉积的掩模中的至少一个。

在本公开内容中，如本文所用的“检查腔室”可理解为这样的腔室：设有被配置为使如本文所述的掩模布置相对于参考基板布置对准的至少第一对准系统，以及被配置为光学地检查掩模布置的光学检查装置。

此外，如本文所述的“第一对准系统”可理解为被配置为使掩模布置相对于参考基板布置对准的任何装置，具体是被配置为使掩模载体相对于参考基板载体对准的任何装置，以及更具体地，被配置为使掩模相对于参考基板对准的任何装置。

在本公开内容中，如本文所用的设置在检查腔室中的“光学检查装置”可理解为被配置为光学地检查掩模布置的任何装置。此外，术语“检查(检查)”还可以涵盖其它术语，诸如检查、控制、验证、分析、测量、计算、评估或类似者，以便获得关于掩模布置的信息数据。光学检查装置可包括一个或多个图像捕获装置、用于处理捕获图像的一个或多个处理装置和一个或多个光学装置中的至少一个。

在本公开内容中，术语“参考”可以是指定义可进行比较、评价、评估、计算或分析的基础的任何术语。另外，术语“参考”可以具体地理解为指提供用于比较的信息的(物理)实体。

在下文中，术语“参考”可以具体地分配给可形成如本文所述的参考基板布置的一部分的实体。此外，如本文所述的术语“参考”还可以涵盖诸如标准、模板或类似术语。

在本公开内容中，如本文所用的“参考基板布置”可理解为包括参考基板和承载参考基板的参考基板载体的布置。

参考基板载体可以是承载参考基板的基板载体。参考基板可以是基板，其包括参考图案，参考图案至少部分地或在某些区段上对应于要在真空沉积系统中制造的基板的像素图案。这允许参考基板用于检查待用于沉积像素图案的掩模的开口图案的精度和质量。例如，参考基板可以是具有沉积在其上的像素图案的规则基板，像素图案以目标配置提供，用于将基板用作为显示器。在其它实施方式中，参考基板可以不是具有像素图案的规则基板，而是具有由设置在其上的另一种材料(诸如金属)制成的参考图案的基板，其中该图案的“参考像素”设置在将定位要制造的基板的真实像素的位置处。

在一些实施方式中，参考图案包括在其中将局部检查掩模布置与参考基板之间的相对定位的多个检查区域中的每个中的至少一个参考像素。例如，参考图案可以包括四个或更多个参考像素、10个或更多个参考像素、100个或更多个参考像素、或1000个或更多个参考像素。例如，至少一个参考像素布置在参考基板的每个角落区域中。每个参考像素可以设有光学可读标签或标示。

在一些实施方式中，参考图案包括布置在要沉积绿色像素的基板位置处的多个参考像素。可以检查配置用于沉积绿色像素的掩模布置。参考图案可包括布置在要沉积红色像素的基板位置处的第二多个参考像素和/或布置在要沉积蓝色像素的基板位置处的第三多个参考像素。因此，可以利用相同的参考基板来检查用于沉积不同材料的掩模。

在可与本文所述的任何实施方式组合的另外的实施方式中，参考基板布置可理解为适用于基本上再现沉积腔室的基板布置的条件，基板布置设有“要处理的”基板。如本文所用的，术语“再现”还可以涵盖其它术语，诸如模拟、模仿和较小程度的复制。在一些实施方式中，参考基板布置可以被配置为在沉积腔室内基本上再现设有要处理的基板的基板布置的条件。

在另外的实施方式中，如本文所述的参考基板布置和设置在沉积腔室中的基板布置可以仅在设置于其中的基板的性质上有所不同。具体地，参考基板布置和基板布置在形状、尺寸、大小、表面、密度、重量和/或类似者中的至少一个方面可以是基本上类似的。然而，具有多个参考像素的参考图案可以与要沉积在待处理的基板上的实际像素图案不同。例如，参考图案可以由与实际像素材料不同的材料制成，参考像素可以设有光学可读标签，有限数量的参考像素(例如，小于100.000或小于100)可以设置在参考基板上，和/或参考像素的大小和尺寸可以与要沉积的实际像素的大小和尺寸不同。

在本公开内容中，术语基板布置可理解为包括基板、以及基板框架、基板框架支撑件和基板载体中的至少一个。

此外，如本文所用的术语“基板”可以是指设置在如本文所述的基板布置上的基板，基板布置设置在真空沉积系统的沉积腔室中。此外，术语“基板”可以具体地指“要处理的基板”。术语基板可具体地涵盖实质上非柔性基板，例如，晶片、透明晶体(诸如蓝宝石或类似物)的切片、或玻璃板。

然而，本公开内容不限于此，并且术语“基板”也可以涵盖柔性基板(诸如卷材或箔)。术语“实质上非柔性”应理解为区分于“柔性”。具体地，实质上非柔性基板可以具有一定程度的柔性，例如具有0.5mm或更小的厚度的玻璃板，与柔性基板相比，实质上非柔性基板的柔性小。

另外，基板可以由适于材料沉积的任何材料制成。例如，基板可以由选自由以下项组成的组的材料制成：玻璃(例如，钙钠玻璃、硼硅玻璃等)、金属、聚合物、陶瓷、复合材料、碳纤维材料、金属或可通过沉积工艺涂覆的任何其它材料或材料组合。在另外的实施方式中，基板或“要处理的基板”可以有益地由玻璃制成。

在本公开内容中，如本文所述的术语“参考基板”可适用于掩模布置的光学检查。具体地，参考基板可以有益地配置用于如本文所述的掩模布置的光学检查。更具体地，参考基板可以被配置为设置在如本文所述的检查腔室中，以用于掩模布置的光学检查。

图1示出了根据本文所述的实施方式的用于掩模布置20的光学检查的参考基板10的示意性侧视图。如图1中示例性示出的，参考基板10包括设有参考图案12的参考基板基底11。此外，参考图案12包括多个参考像素13。参考像素13中的至少一个，具体是参考像素中的多个，更具体是参考像素13中的每个，设有提供参考像素信息的光学可读标签14。

在本公开内容中，术语“参考基板基底”可理解为定义适合或适于接收和/或包括参考图案的任何支撑件，以便形成如本文所述的参考基板。此外，术语“参考基板基底”可以涵盖任何术语，例如参考基板支撑件和类似者。

此外，如本文所述的参考基板基底可以由适于如本文所述的基板的任何材料制成。

在本公开内容中，如本文所用的术语“参考图案”12可理解为符合如上定义的术语“参考”的定义的任何图案。换句话说，参考图案12可以具体地是指配置用于进行如本文所述的掩模布置的光学检查的图案。

在一些实施方式中，参考图案12可以设置在参考基板基底11上或上方。参考图案12可以直接地设置在参考基板基底11的外表面上。

在另外的实施方式中，参考图案12可以嵌入参考基板基底11中。具体地，参考图案12可以嵌入参考基板基底11中，以便保持可检测到。通过提供嵌入在参考基板基底11内的参考图案12，参考图案12可以有益地承受处理条件，诸如温度、压力和类似条件。

根据另外的实施方式，参考图案12可以部分地嵌入参考基板基底11中。

在本公开内容中，包括“多个参考像素”的参考图案12可理解为限定适于oled显示器的像素图案。换句话说，参考基板10的参考图案12可以在像素数量、像素密度、像素尺寸、相邻像素之间的距离、像素形状和/或像素空间布置方面基本上对应于oled显示器的像素图案。在上文中，oled显示器可理解为通过如本文所述的真空沉积系统制造的产品。换句话说，参考图案12可对应于要沉积在用于制造oled显示器的基板上的一个或多个像素的目标图案。

在另外的实施方式中，参考图案12可以被配置为基本上再现oled显示器的像素图案。

通过提供具有如本文所述的参考图案12的参考基板10，可以有效地进行掩模布置的光学检查。此外，可以相对于参考基板布置光学地检查掩模布置。具体地，可以相对于参考基板布置、参考基板和参考基板的参考图案中的至少一个光学地检查掩模。更具体地，可以相对于参考基板的参考图案有益地光学地检查掩模。

如图1中示例性示出的，参考图案12包括多个参考像素13。具体地，参考图案12可以仅由多个参考像素13制成。换句话说，参考图案12可以是指多个参考像素13在参考基板基底11上的空间布置，具体是像素相对于其它像素和像素子集相对于其它像素中的至少一个的空间布置。

在可与本文所述的实施方式组合的实施方式中，如本文所述的多个参考像素13中的至少一个参考像素的最大尺寸可以在5μm和30μm之间，具体是在10μm和20μm之间。

在可与如本文所述的实施方式组合的另外的实施方式中，多个参考像素13可以以一个或多个子集布置。具体地，多个参考像素13可包括至少一个第一参考像素子集。更具体地，参考像素的至少一个第一子集可以以对应于oled显示图案的至少一个像素子集的目标图案的图案布置。

可以以如上所述的方式具体地理解术语“目标图案”。换句话说，目标图案可以基本上对应于oled显示器的像素图案。

在另外的实施方式中(图1中未示出)，参考像素的至少一个第一子集可以以对应于oled显示器的蓝色像素、oled显示器的红色像素和oled显示器的绿色像素的至少一个子集的目标图案的图案布置。

在可与本文所述的实施方式组合的另外的实施方式中，参考图案可包括以对应于oled显示器的蓝色像素的至少一个子集的目标图案的图案布置的参考像素的至少一个子集。另外，参考图案可包括以对应于oled显示器的红色像素的至少一个子集的目标图案的图案布置的参考像素的至少一个子集。此外，参考图案可包括以对应于oled显示器的绿色像素的至少一个子集的目标图案的图案布置的参考像素的至少一个子集。

在一些实施方式中，参考基板的参考图案可包括以对应于oled显示器的蓝色像素的目标图案的图案布置的第一参考像素子集、以对应于oled显示器的红色像素的目标图案的图案布置的第二参考像素子集、和以对应于oled显示器的绿色像素的目标图案的图案布置的第三参考像素子集。

如图1中所示，多个参考像素13中的至少一个或多个参考像素设有提供参考像素信息的光学可读标签14。

如图1中示例性示出的，光学可读标签14可包括线性条形码(诸如upc码)和2d条形码(诸如qr码)中的至少一个，以及提供像素信息的光学可读标记或标示。具体地，光学可读标签14(标示)可以是qr码并有益地提供参考像素信息。通过提供qr码，可以增加关于至少一个参考像素的信息的量，以便增强如本文所述的掩模布置的光学检查。

如本文所用的术语“参考像素信息”可理解为是指关于至少一个参考像素的任何类型的信息。具体地，接收到的参考像素信息可以专指经过光学检查的参考像素的信息。在本公开内容中，术语“参考像素信息”不限于此，而是可以具体地包括像素类型、像素颜色、像素位置、像素相对位置、像素绝对位置、像素行、像素列或像素坐标中的至少一个。

根据本公开内容的另一方面，提供了一种用于处理掩模布置的方法。方法可包括将掩模布置接收在检查腔室中，所述检查腔室设有参考基板布置。方法可进一步包括将掩模布置相对于参考基板布置对准。另外，方法可包括用光学装置检查掩模布置的至少一部分与参考基板布置的至少一部分之间的相对定位，以获得关于掩模布置的信息数据。

此外，可以利用如本文所述的掩模布置、检查腔室和参考基板中的至少一个来执行如本文所述的方法。具体地，方法100可以利用如本文所述的任何掩模布置、任何检查腔室和任何参考基板布置来执行。

在本公开内容中，“掩模布置的至少一部分”和“参考基板的至少一部分”可理解为两个不同部分，这两部分被布置成彼此相邻，具体是当沿着基本上垂直于由至少一个掩模布置和基板布置形成的平面的至少一个方向观察时彼此相邻。换句话说，掩模布置的至少一部分朝向参考基板布置的投影可以基本上限定和/或重叠参考基板布置的至少一部分，反之亦然。

此外，如本文所用的术语“检查”可以类似于上面在参考基板的上下文中定义的术语“检查(检查)”来理解。

图2示出了根据本文所述的实施方式的用于处理掩模布置的方法100的流程图。如图2中示例性示出的，方法100包括将掩模布置接收(101)在检查腔室中，参考基板设置在检查腔室中。方法100进一步包括将掩模布置相对于参考基板对准(102)。另外，方法100包括用光学装置检查(103)掩模布置的至少一部分与参考基板的至少一部分之间的相对定位，以获得关于掩模布置的信息数据。

根据本文所述的方法的另外的实施方式，关于掩模布置获得的信息数据可包括关于掩模布置的质量的信息、关于掩模与掩模载体之间的相对定位的信息和掩模布置相对于参考基板布置、具体是参考基板的偏移值中的至少一个。

在本公开内容中，术语“偏移”可以具体地理解为偏移值。

在一些实施方式中，掩模布置相对于基板布置的偏移值可以具体地对应于参考基板的参考图案与掩模的多个沉积开口之间的偏移。此外，该偏移值可以更具体地对应于参考基板的参考图案的一部分与掩模的多个沉积开口的一部分之间的局部偏移。

根据图2的实施方式的方法100可进一步包括在将掩模布置接收在检查腔室中之前进行以下操作中的至少一个：准备掩模布置和调节掩模布置。

在可与本文所述的实施方式组合的另外的实施方式中，方法100可进一步包括在将掩模布置接收(101)在检查腔室中之前进行以下操作中的至少一个：将掩模附接(104)到掩模载体以提供掩模布置、改变(105)掩模取向、具体是从基本上水平的取向改变为基本上竖直的取向和调节(106)掩模。

图3示出了方法100的流程图，该方法100可包括在将掩模布置接收(101)在检查腔室中之前，将掩模附接(104)到掩模载体以提供掩模布置。术语“附接”可包括任何术语，诸如组装、安装、固定、稳固和紧固。

此外，如图3所示的方法100可包括改变(105)掩模取向。改变(105)取向可以具体地从基本上水平的取向进行到基本上竖直的取向。在一些实施方式中，可以在附接(104)之前进行改变(105)。

鉴于上述，在接收(101)在检查腔室中之前，掩模布置可以处于基本上竖直的取向。此外，掩模布置可以有益地在检查腔室中保持在基本上竖直的取向上，具体是在对准(102)和检查(103)期间。

另外，如图3中所示的方法100可包括调节(106)掩模布置。调节(106)可以是指掩模布置可经受oled显示器制造领域中常见的各个条件(例如，就温度和压力方面)的任何阶段，以便准备掩模布置以用于进一步处理。例如，调节(106)可包括在真空条件下暂时地存储掩模布置，以便允许掩模除气。

一些因素可能不利地影响掩模和掩模布置中的至少一个。如本文所用的术语“不利地影响”可以涵盖定义掩模布置的“质量”恶化的任何术语，具体是掩模的“质量”的恶化，诸如劣化、变形、扭曲、退化、损坏和类似者。通过“不利地影响”，还可以理解掩模布置、具体是掩模相对于基板布置的定位偏差(偏移)。它可以涵盖掩模布置的可直接地或间接地影响oled显示器的生产中的高处理质量的任何方面。

术语“质量”还可以是指掩模相对于掩模框架和掩模载体中的至少一个的“相对质量”。更具体地，术语“相对质量”还可以是指掩模的多个沉积开口的质量和掩模相对于掩模框架和掩模载体中的至少一个的相对定位中的至少一个。术语“相对质量”还可以是指掩模的多个沉积开口中的至少一个相对于多个沉积开口的目标图案和掩模相对于掩模载体的定位偏差(偏移)。

如本文所述的分别不利地影响掩模布置和掩模的“质量”和“相对质量”的因素可以非穷尽地涵盖掩模布置的安装(组装)、掩模在掩模框架上、掩模在掩模载体上的至少一者的安装(固定)，以及掩模取向的变化(角度变化不同于0°)、具体是掩模从基本上水平的位置到基本上竖直的位置的变化。这些因素不限于此，还可以涵盖重力、温度和压力条件、在掩模布置从一个腔室处理到另一个腔室期间的运输振动和类似因素。例如，由于因重力引起的竖直地取向的掩模的中心部分的下垂，可能出现与掩模的目标图案的偏差。

在准备和/或调节掩模布置之后，根据图1的实施方式的方法100可以有益地提供关于掩模布置、具体是掩模的质量的数据信息。另外，可以使用掩模布置的数据信息，以便提高制造oled显示器的高质量。

在可与本文所述的实施方式组合的另外的实施方式中，如本文所述的方法可包括进一步处理关于掩模布置的信息数据，并将信息数据发送回到准备和/或调节腔室。术语“发送回到”可理解为关于掩模布置的信息数据向准备腔室和/或调节腔室的“反馈”。换句话说，可以处理关于掩模布置的质量的信息数据并将其发送回到准备和/或调节腔室，以便基于掩模布置的信息数据有益地调整和/或校正相应参数。

鉴于上述，可以根据基于从先前处理的掩模布置获得的数据信息的一些调整和/或校正来准备和/或调节另外掩模布置，并且可以增强oled显示器的生产质量。

根据图3的实施方式的方法100可进一步包括：在获得关于掩模布置的信息数据之后，进一步处理掩模布置，具体是从检查腔室处理到沉积腔室。

图4示出了方法100的流程图，方法100可进一步包括在获得关于掩模布置的信息数据之后，将检查的掩模布置从检查腔室运输(107)到沉积腔室，并且利用(108)掩模布置在沉积腔室中在基板上沉积材料。

在可与本文所述的实施方式组合的另外的实施方式中，在获得信息数据之后并在运输(107)之前，方法可包括基于掩模布置的信息数据而决定(图4中未示出)掩模布置的质量以进一步处理。另外，就偏差、变形和类似者而言，决定可以是基于例如预定公差。具体地，决定可以是基于检查掩模布置的至少一部分是否基本上对应于oled显示器的目标像素图案的至少一部分。

具体地，决定可进一步包括基于关于掩模布置的数据信息、具体是基于掩模布置的质量而接受或拒绝掩模布置进行进一步处理。一方面，当接受掩模布置时，可以进一步进行运输(107)和利用(108)。

在可与本文所述的实施方式组合的另外的实施方式中，如本文所述的方法可包括处理关于掩模布置的信息数据，并且进一步将信息数据发送到沉积腔室，具体是设置在沉积腔室中的第二对准系统。术语“向前发送”可理解为将关于掩模布置的信息数据“前馈”到设置在沉积腔室中的第二对准装置。换句话说，关于掩模布置的信息数据可以进行处理并进一步向前发送到沉积腔室，具体是设置在沉积腔室中的第二对准系统。

此外，方法100可包括基于信息数据或基于从信息数据确定的对准数据而在沉积腔室中将基板布置(具体是基板)相对于掩模布置对准。具体地，关于掩模布置的信息数据可以用于通过适当地对准基板布置来校正和/或补偿掩模布置的偏差，例如在定位方面。

通过基于信息数据或基于从信息数据确定的对准数据而在沉积腔室中提供对准，可以进一步增强oled显示器的生产质量。

在可与本文所述的方法100的实施方式组合的另外的实施方式中，基板布置和掩模布置中的至少一个可以设有参考标记，具体是基准标记(fiducialmarker)，它们被用作对准的参考点。

可以考虑基准参考点以用于对准，具体是在沉积腔室和检查腔室中的至少一个中对准掩模布置和/或基板布置。基准点可理解为图案识别标记，其例如可以是掩模开口。例如，基准点可以位于基板布置和掩模布置中的至少一个的角落边缘附近，并且可以使用图像检测系统来识别，图像检测系统将检测到的图像与存储的信息数据进行比较。

通过测量基板布置的参考标记相对于掩模布置的位置(例如存储在系统的存储器中)，可以计算零件(例如，基板布置)将相对于掩模布置移动的程度，以确保准确对准。

根据可与本文所述的实施方式组合的另外的实施方式，检查(103)相对定位可包括用光学检查装置捕获显示掩模布置的至少一部分和参考基板布置的至少一部分的至少一个图像并确定掩模布置的至少一部分与参考基板布置的至少一部分之间的局部偏移。

图5示出了检查(103)根据图2的实施方式的方法的相对定位的详细流程图。掩模可包括多个沉积开口，并且参考基板可以设有参考图案。检查(103)相对定位可包括用光学检查装置捕获(110)显示参考图案的至少一部分和多个沉积开口的至少一部分的至少一个图像，并且确定(111)多个沉积开口的至少一部分与参考图案的至少一部分之间的局部偏移。

此外，在捕获(110)期间，掩模布置的至少一部分和参考基板布置的至少一部分可以如上面所定义的那样理解。此外，掩模布置的至少一部分可以是指多个沉积开口的至少一部分。另外，参考基板布置的至少一部分可以是指参考图案的至少一部分。

检查装置可以捕获显示参考图案的布置在多个沉积开口的一部分后方的至少一部分的至少一个图像。术语“在……后方”可理解为当从掩模布置侧观察时，参考图案相对于掩模的相对定位。

根据图5中所示的方法的另外的实施方式，参考图案可包括多个参考像素，多个参考像素中的至少一个子集以对应于掩模的多个沉积开口的目标图案的至少一个子集的图案布置。具体地，多个参考像素中的至少一个子集可包括蓝色参考像素子集、绿色参考像素子集和红色参考像素子集中的至少一个。

在可与本文所述的实施方式组合的另外的实施方式中，可以利用根据图1的实施方式的参考基板来执行方法100。

图6示出了根据本文所述的实施方式的真空沉积系统200的示意性剖视图。如图6中示例性示出的，真空沉积系统200包括检查腔室201。检查腔室201设有第一对准系统202和光学检查装置203，第一对准系统202被配置为将掩模布置20相对于参考基板布置30对准，光学检查装置203被配置为光学地检查掩模布置20。真空沉积系统200进一步包括沉积腔室204，沉积腔室204设有沉积源212，沉积源212被配置为通过掩模布置20将材料沉积在要处理的基板40上。另外，真空沉积系统200包括运输系统206，运输系统206被配置为将掩模布置20从检查腔室201运输到沉积腔室204。

如图6所示，检查腔室201可以进一步设有掩模载体207，掩模载体207被配置为承载掩模60。此外，检查腔室201可以设有参考基板载体208，参考基板载体208被配置为承载参考基板50。参考基板载体208可包括静电吸盘装置(e-吸盘)，静电吸盘装置被配置为将参考基板50保持在参考基板载体208处。

在可与本文的实施方式组合的另外的实施方式中，光学检查装置203可包括用于拍摄掩模布置20和参考基板布置30的一个或多个图像的至少一个或多个图像捕获装置，以及用于处理捕获图像的处理装置。

此外，一个或多个图像捕获装置可以是一个或多个相机。具体地，一个或多个图像捕获装置可被配置为拍摄掩模布置20的至少一部分和参考基板布置30的至少一部分的一个或多个图片。

在可与本文所述的实施方式组合的另外的实施方式中，光学检查装置203可被配置为在基本上竖直的取向上光学地检查掩模布置20。

光学检查装置203可被配置为检测关于掩模布置20的信息数据。该信息数据可包括关于掩模布置20的质量的信息，关于掩模60和掩模载体207之间的相对定位的信息和掩模布置20相对于参考基板布置30的偏移中的至少一个。

在另外的实施方式中，光学检查装置203和检查腔室201中的至少一个可以设有至少一个光源，用于照射掩模布置20和参考基板布置30中的至少一个。

根据可与本文所述的其它实施方式组合的一些实施方式，参考基板50可以由参考基板载体208支撑，参考基板载体208可以连接到第一对准系统202的第一保持布置220。

如图6中示例性示出的，第一保持布置220可被配置为保持参考基板布置30，具体是参考基板载体208此外，第一保持布置220可被配置为保持掩模布置20，具体是掩模载体207。具体地，在掩模布置20的检查期间，第一保持布置220可以保持掩模载体207和参考基板载体208。

此外，第一保持布置220可包括一个或多个保持装置，诸如配置用于保持掩模载体207的一个或多个第一保持装置225和/或配置用于保持参考基板载体208的一个或多个第二保持装置226。一个或多个保持装置可被配置为可在与掩模布置运输方向不同的移动方向上移动。例如，一个或多个保持装置可被配置为可在基本上垂直于掩模布置表面的平面的方向上(例如在第一方向和第二方向上)移动。

具体地，第一保持布置220可以是第一对准系统202的一部分，第一对准系统202配置用于调整掩模布置20相对于参考基板布置30的位置。掩模布置20可以相对于参考基板布置30移动，以便在检查期间提供参考基板布置30与掩模布置20之间的准确对准。可以提供一个或多个压电致动器，用于相对于掩模布置20移动参考基板布置30以进行对准。

根据可与本文所述的其它实施方式组合的另外的实施方式，保持掩模的掩模载体可以连接到第一保持布置220。因此，掩模60可以相对于参考基板50进行定位，参考基板可以相对于掩模进行定位，或掩模60和基准基板50都可以相对于彼此定位，以便提供掩模与基板之间的预定相对定位。

如图6所示，沉积腔室204可包括至少一个另外腔室210，至少一个另外腔室210具有运输布置211。至少一个另外腔室210可以是旋转模块、转接模块(transitmodule)或它们的组合。在旋转模块中，轨道布置和布置在其上的载体可以围绕旋转轴(诸如竖直旋转轴)旋转。例如，载体可以从沉积腔室204的左侧传送到沉积腔室204的右侧，反之亦然。转接模块可包括交叉轨道，使得载体可以在不同方向(例如，垂直于彼此的方向)上传送通过转接模块。

沉积腔室204可以配置用于沉积有机材料。沉积源212，具体是蒸发源，可以设置在沉积腔室204中。沉积源212可以设置在轨道或线性导件213上，如图6中示例性示出的。线性导件213可被配置用于沉积源212的平移移动。此外，可以提供用于提供沉积源212的平移移动的驱动器。具体地，可以提供用于沉积源212的非接触运输的运输设备。

可以提供配置用于沿着线性导件213平移移动沉积源的源支撑件214。源支撑件214可以支撑蒸发坩埚215和设置在蒸发坩埚215顶部的分配组件216。因此，蒸发坩埚215中产生的蒸气可以向上移动并从分配组件的一个或多个出口移出。分配组件216被配置用于从分配组件216向基板40提供蒸发的有机材料，具体是蒸发的源材料的羽流(plume)。

如图6中示例性示出的，沉积腔室204可以具有闸阀217，沉积腔室204可以经由闸阀217连接到相邻另外腔室210，例如，输送模块或相邻服务模块。具体地，闸阀217允许对相邻另外腔室210进行真空密封，并且可以打开和关闭以将基板和/或掩模移入或移出沉积腔室204

示例性参照图6，根据可与本文所述的任何其它实施方式组合的实施方式，两个基板，例如第一基板40a和第二基板40b，可以支撑在相应的运输轨道上，诸如如本文所述的相应的第一轨道布置218。此外，可以提供用于在其上提供掩模载体的两个轨道，例如，如本文所述的两个第二轨道布置219。在一些实施方式中，基板涂覆可包括使用相应掩模来掩蔽基板，例如，使用边缘排除掩模或阴影掩模。根据一些实施方式，掩模，例如，用于掩蔽第一基板40a的第一掩模60a和用于掩蔽第二基板40b的第二掩模60b，设置在沉积腔室204中的相对布置的沉积区域中。

另外，第二对准系统223(在图7中详细地示出)可以允许基板布置相对于沉积腔室204中的掩模布置的适当对准，这有益于oled显示器制造中的高质量。第二对准系统223可以基本上以与本文所述的第一对准系统类似的方式配置。在沉积腔室204中，第二对准系统可被配置为将基板布置相对于掩模布置对准。

在可与本文所述的实施方式组合的另外的实施方式中，第二保持布置设置在沉积腔室中。第二保持布置可以是第二对准系统223的一部分。第二保持布置可以基本上以与如本文所述的第一保持布置类似的方式配置。具体地，第二保持布置可被配置为将掩模布置和基板布置彼此相邻地保持在沉积腔室204中。可以提供至少一个压电致动器，用于在由第二保持布置保持的掩模布置与基板布置之间提供相对对准。

如图6中示例性示出的，运输系统206被配置为将掩模布置20从检查腔室201运输到沉积腔室204。具体地，运输系统206可包括至少一个轨道布置，轨道布置被配置为将掩模布置20从检查腔室201运输至真空沉积系统200的沉积腔室204。更具体地，至少一个轨道布置可以从检查腔室201延伸穿过真空沉积系统200到达沉积腔室204。运输系统206可包括磁悬浮系统，磁悬浮系统被配置为将掩模布置20从检查腔室201非接触运输到沉积腔室204。

鉴于上述，运输系统206可以不限于此，而是还可以包括设置在真空沉积系统200中、具体是设置在沉积腔室204中和/或在至少一个另外腔室210中的任何轨道。

鉴于上述，掩模布置20从检查腔室201运输到沉积腔室204可以限定掩模布置运输路径d(图8b中所示)。在本公开内容中，术语“路径”不限于此，并且可以涵盖定义至少检查腔室201与沉积腔室204之间的路径的任何术语，掩模布置20可以沿着该路径运输。

在下文中，如本文所述的术语“上游/下游”可以关于本文定义的“掩模布置运输路径d”进行理解。例如，给定至少一个特定点，“上游”可以具体地理解为掩模布置运输路径d的在起始点与所述至少一个特定点之间的部分。术语“下游”可理解为掩模布置运输路径d的在至少一个特定点与端点之间的部分。

鉴于上述，真空沉积系统可以被限定为包括相对于掩模布置运输路径d布置在沉积腔室204的“上游”的检查腔室201。

此外，真空沉积系统200可被配置为首先检查检查腔室201中的掩模布置20，并且然后将掩模布置运输到沉积腔室204。换句话说，真空沉积系统可被配置为使得在检查腔室201中对掩模布置20的检查可以在沉积腔室204中沉积“之前”进行。鉴于上述，真空沉积系统200可理解为包括布置在沉积腔室204“之前”的检查腔室201。

在可与本文所述的实施方式组合的另外的实施方式中，检查腔室201和沉积腔室204可以彼此“间接地连接”。换句话说，检查腔室201和沉积腔室204可以由至少第一另外腔室(诸如传送腔室)分开。另外，运输系统206可被配置为将掩模布置20从检查腔室201运输到沉积腔室204，并且延伸通过至少第一另外腔室。

在可与如本文所述的实施方式组合的另外的实施方式中，检查腔室201和沉积腔室204可以彼此“直接地连接”。换句话说，检查腔室201和沉积腔室204可以接触。

真空沉积系统200还可以包括准备和/或调节区域，准备和/或调节区域被配置为提供掩模布置20。另外，准备和/或调节区域可以定位在检查腔室201的上游。准备和/或调节掩模布置20可以在掩模布置20的光学检查之前发生。

准备和/或调节区域可包括掩模处理工具(未示出)，掩模处理工具被配置为通过至少将掩模60连接到掩模载体207来提供掩模布置20。在一些实施方式中，掩模处理工具可以“直接地连接”到检查腔室201。在另外的实施方式中，掩模处理工具和检查腔室201可以彼此“间接地连接”，具体是可以由至少第二另外腔室分开。

掩模布置20的准备和/或调节可以在掩模处理工具中进行，然后掩模布置20可以被运输到检查腔室中。掩模处理工具可被配置用于将掩模附接到掩模载体以提供将在检查腔室中检查的掩模布置。

如本文所述，当进入检查腔室201时，掩模布置20可以变形，具体是掩模60可以变形。如本文所述的变形可能导致掩模布置的偏差，具体是掩模60的多个沉积开口中的至少一个相对于掩模框架和掩模载体207中的至少一个的相对定位的偏差。

鉴于上述，图7示出了根据如本文所述的实施方式的用于将基板布置相对于掩模布置20对准的系统300的示意性剖视图。如图7中示例性所示的，真空沉积系统200可以设有设置在沉积腔室204中的第二对准系统223，第二对准系统223被配置为将基板布置(具体是基板40)相对于掩模布置20对准。另外，真空沉积系统还可以包括处理装置301，处理装置301被配置为从光学检查装置203获得的信息数据确定关于掩模布置20的对准数据并将对准数据向前发送到第二对准系统223。

系统300可包括光学检查装置203，光学检查装置203用于光学地检查掩模布置20相对于基板40的相对位置，掩模布置20用于在沉积腔室204中在基板40上沉积材料，并且光学检查装置203定位在沉积腔室204的“上游”。

此外，系统包括：处理装置301，处理装置301用于计算掩模布置的相应偏移值；和调整装置302，调整装置302用于基于掩模布置的所述计算的偏移值而调整基板40相对于掩模布置20的位置。

调整装置302可以耦接至第二对准系统223，具体是耦接至第二对准系统223的对准致动器303、304。对准致动器303、304可被配置为控制和改变基板40相对于掩模布置20的位置。如图7中示例性示出的，调整装置302可以与对准致动器303、304分开。根据本公开内容的另外的实施方式，调整装置302可以集成在对准致动器303、304中的一个或两个中，对准致动器303、304由处理装置301直接地控制。

数据信息，具体是关于掩模布置20的对准数据，可以“向前发送”到第二对准系统223，如本文所述的。基于接收到的对准数据，第二对准系统223可被配置成将基板布置相对于掩模布置20对准，具体是将基板40相对于掩模布置20对准。换句话说，系统300可理解为“前馈”系统。

鉴于上述，掩模布置20(具体是掩模)的偏差可以在沉积腔室204中有益地补偿。可以有益地提高oled制造的高质量。

图8a和8b示出了根据本文所述的又一些实施方式的真空处理系统1100的示意性剖视图。图8a是根据本公开内容的实施方式的真空处理系统的示意图，真空处理系统具有两个或更多个真空群集腔室和连接到一个或多个真空群集腔室的多个处理腔室。图8b是图8a的真空处理系统的示意图，示出了真空处理系统内的基板运输或基板流动的示例。真空处理系统1100提供群集布置和直列布置(in-linearrangement)的组合。提供多个处理腔室1120。处理腔室1120可以连接到真空旋转腔室1130。真空旋转腔室1130以直列布置提供。真空旋转腔室1130可以旋转基板以移入和移出处理腔室1120。群集布置和直列布置的组合可以被认为是混合布置(hybridarrangement)。具有混合布置的真空处理系统1100允许多个处理腔室1120。真空处理系统的长度仍不超过一定限度。

根据本公开内容的实施方式，群集腔室或真空群集腔室是被配置为具有与之连接的两个或更多个处理腔室的腔室，例如传送腔室。因此，真空旋转腔室1130是群集腔室的示例。可以在混合布置中以直列布置提供群集腔室。

真空旋转腔室或旋转模块(在本文中也被称为“输送模块”或“输送腔室”)可理解为配置用于改变一个或多个载体的运输方向的真空腔室，可以通过旋转位于旋转模块中的轨道上的一个或多个载体来改变。例如，真空旋转腔室可包括旋转装置，旋转装置被配置用于旋转轨道，轨道被配置用于围绕旋转轴(例如，竖直旋转轴)支撑载体。在一些实施方式中，旋转模块包括至少两个轨道，至少两个轨道可以围绕旋转轴旋转。第一轨道，具体是第一基板载体轨道，可以布置在旋转轴的第一侧上，并且第二轨道，具体是第二基板载体轨道，可以布置在旋转轴的第二侧上。

在一些实施方式中，旋转模块包括四个轨道，具体是可围绕旋转轴旋转的两个掩模载体轨道和两个基板载体轨道。

当旋转模块旋转x°的角度(例如90°)时，布置在轨道上的一个或多个载体的运输方向可以改变x°的角度，例如90°。旋转模块旋转180°的角度可对应于轨道开关，即旋转模块的第一基板载体轨道的位置和旋转模块的第二基板载体轨道的位置可以互换或交换，和/或旋转模块的第一掩模载体轨道的位置和旋转模块的第二掩模载体轨道的位置可以互换或交换。

在本公开内容中，参考彼此连接的腔室。连接腔室可以直接地连接，例如，其中一个腔室的凸缘连接到相邻腔室的凸缘。或者，腔室可以通过连接单元彼此连接，连接单元提供例如真空密封件或其它连接元件，或提供设置在两个相邻腔室之间的狭缝阀或其它元件。与大面积基板的长度相比，连接单元非常短，并且可以与真空腔室区分开。例如，连接单元具有为基板长度的20％或更小的长度。根据可与本文所述的其它实施方式组合的实施方式，连接到第二腔室的第一腔室可理解为第一腔室与第二腔室相邻，例如没有中间腔室。如上所述，第一腔室可以直接地连接到第二腔室或经由连接单元连接到第二腔室。

图8a示出了真空处理系统1100，并且图8b示出了真空处理系统中的基板运输。基板例如在真空摆动模块1110处进入真空处理系统1100。根据另外的实施方式，装载锁定腔室可以连接到真空摆动模块，以用于将基板装载和卸载到真空处理系统中。真空摆动模块典型地直接地接收基板或经由装载锁定腔室从装置制造工厂接口接收基板。典型地，接口在水平取向上提供基板，例如大面积基板。真空摆动模块将基板从由工厂接口提供的取向移动到基本上竖直的取向。在真空处理系统1100中处理基板期间保持基板的基本上竖直的取向，直到基板移动例如回到水平取向。摆动、以一角度移动、或旋转基板是由图8b中的箭头1191示出的。

根据本公开内容的实施方式，真空摆动模块可以是用于从第一基板取向移动到第二基板取向的真空腔室。例如，第一基板取向可以是非竖直取向，诸如水平取向，并且第二基板取向可以是非水平取向，诸如竖直取向或基本上竖直的取向。根据可与本文所述的其它实施方式组合的一些实施方式，真空摆动模块可以是基板重新定位腔室，基板重新定位腔室被配置为选择性地将其中的基板相对于水平取向定位在第一取向上和相对于水平取向定位在第二取向上。

在另外的实施方式中，真空处理系统1100可包括如本文所述的检查腔室。具体地，真空处理系统1100可包括适于检查掩模布置的质量的检查腔室，具体是被配置为检查掩模布置的质量的检查腔室。

根据上述实施方式的检查腔室(图8a和8b中未示出)可以布置在处理腔室的上游，具体是沿着掩模运输路径布置在沉积腔室的上游。

基板移动通过缓冲腔室1112(参见图8a)，例如如箭头1192所示。基板进一步移动通过群集腔室，诸如真空旋转腔室1130，进入处理腔室1120。处理腔室可以是沉积腔室，被配置为分别通过掩模将材料沉积在基板上。

在本公开内容中，参考oled平板显示器的制造，具体是用于移动装置的oled平板显示器的制造。然而，也可以针对其它基板处理应用提供类似考虑、示例、实施方式和方面。对于oled移动显示器的示例，在处理腔室1120-i中提供公共金属掩模(cmm)。cmm针对每个移动显示器提供边缘排除掩模。用一个开口掩蔽每个移动显示器，并且基板上的与显示器之间的区域相对应的区域主要由cmm覆盖。

随后，基板从处理腔室1120移出到相邻群集腔室(例如真空旋转腔室1130)中，通过第一传送腔室1182，通过另一个群集腔室，并且进入处理腔室1120-ii。这由图8b中的箭头1194所示。在处理腔室1120-ii中，空穴传输层(htl)沉积在基板上。与空穴注入层类似，用公共金属掩模制造空穴传输层，公共金属掩模针对每一移动显示器具有一个开口。此外，基板从处理腔室1120-ii移出到相邻群集腔室，例如真空旋转腔室1130，通过第二传输腔室1184，通过另一个群集腔室，并且进入处理腔室1120-iii。这由图8b中的另外箭头1194所示。

传送腔室或转接模块可理解为可插入至少两个其它真空模块或真空腔室之间(例如真空旋转腔室之间)的真空模块或真空腔室。载体，例如掩模载体和/或基板载体，可以在传送腔室的长度方向上运输通过传送腔室。传送腔室的长度方向可对应于真空处理系统的主运输方向，即群集腔室的直列布置。至少一个传送腔室可被配置为检查腔室，检查腔室被配置为检查根据本文所述的实施方式的掩模布置。

在处理腔室1120-iii中，电子阻挡层(eb)沉积在基板上。可以用精细金属掩模(ffm)沉积电子阻挡层。精细金属掩模具有多个开口，例如，其大小为在微米范围内。多个精细开口对应于移动显示器的像素或移动显示器的像素的颜色。因此，ffm和基板需要相对于彼此高度准确地对准，以使显示器上的像素在微米范围内对准。

基板从处理腔室1120-iii移动到处理腔室1120-iv，随后移动到处理腔室1120-v并移动到处理腔室1120-vi。对于每个运输路径，基板从处理腔室移出到例如真空旋转腔室，通过传送腔室，通过真空旋转腔室并进入下一个处理腔室。例如，用于红色像素的oled层可以在腔室1120-iv中沉积，用于绿色像素的oled层可以在腔室1120-v中沉积，并且用于蓝色像素的oled层可以在腔室1120-vi中沉积。用精细金属掩模沉积彩色像素的每个层。各个精细金属掩模是不同的，使得不同颜色的像素点在基板上彼此相邻，以给出一个像素的外观。如从处理腔室1120-vi延伸到处理腔室1120-vii的另外箭头1194所示，基板可以从处理腔室移出到群集腔室，通过传送腔室，通过另一个群集腔室，并且进入后续处理腔室。在处理腔室1120-vii中，可以用公共金属掩模(cmm)沉积电子传输层(etl)。

上面针对一个基板描述的基板运输对于多个基板来说是类似的，这些基板在真空处理系统1100中同时地处理。根据可与本文所述的其它实施方式组合的一些实施方式，系统的节拍时间(tacttime)，即时间段，可以是180秒或更短，例如从60秒至180秒。因此，基板在该时间段内，即在第一示例性时间段t内处理。在上述处理腔室和下述后续处理腔室中，在第一时间段t内处理一个基板，在第一时间段t内从处理腔室移出刚处理好的另一个基板，并且在第一时间段t内将另一个要处理的基板移入处理腔室。可以在处理腔室中的每个中处理一个基板，而另外两个基板参与相对于该处理腔室的基板运输，即，在第一时间段t期间，从相应处理腔室卸载一个另外基板，并且向相应处理腔室装载一个基板。

示例性基板从处理腔室1120-i到处理腔室1120-vii的上述路线设置在真空处理系统1100的一排处理腔室中，例如图8a和8b中的下排。真空处理系统的排或下部由图8b中的箭头1032所示。

根据可与本文所述的其它实施方式组合的一些实施方式，基板可以在真空处理系统的一排或一个部分中从群集腔室的直列布置的一端运输到真空处理系统的群集腔室的直列布置的相对端。在直列布置的相对端(例如，在图8a中的右侧的真空旋转腔室1130)处，基板被传送到真空处理系统的另一排或另一部分。这由图8b中的箭头1195所示。在真空处理系统的另一排或另一部分中，如图8b中的箭头1034所示，基板在后续处理腔室中被处理，同时从群集腔室的直列布置的相对端移动到群集腔室的直列布置的另一端，即，起始端。

在图8a中所示的示例中，示例性基板移动到处理腔室1120-viii，并且随后移动到处理腔室1120-ix。例如，可示例性形成oled装置的阴极的金属化层可以在处理腔室1120-viii中沉积，例如用如上所述的公共金属掩模来进行沉积。例如，以下金属中的一种或多种可以在沉积模块中的一些中沉积：al、au、ag、cu。至少一种材料可以是透明导电氧化物材料，例如ito。至少一种材料可以是透明材料。此后，在处理腔室1120-ix中沉积覆盖层(cpl)，例如用公共金属掩模来沉积。

根据可与本文所述的其它实施方式组合的一些实施方式，可以提供另一个处理腔室1120-x。例如，该处理腔室可以是替代其它处理腔室中的一个的替代处理腔室，而另一个处理腔室处于维护状态。

在最后处理之后，基板可以通过缓冲腔室1112移动到真空摆动模块1110，即基板重新定位腔室。这由图8b中的箭头1193所示。在真空摆动模块中，基板从处理取向(即，基本上竖直的取向)移动到对应于工厂接口的基板取向，例如水平取向。

图8a和8b示出了传送腔室，所述传送腔室例如设置在群集腔室(诸如旋转进行腔室)之间。图8a和8b示出了第一传送腔室1182和第二传送腔室1184。减小相邻或后续处理腔室之间的距离以及减小真空处理系统的占地面积似乎表明传送腔室的长度的减小。根据本文所述的实施方式，真空处理系统包括至少第一类型的传送腔室，即第一长度的第一传送腔室1182，以及第二类型的传送腔室，即具有与第一长度不同的第二长度的第二传送腔室1184。

根据本公开内容的实施方式，可以提供用于在基板上沉积多个层的真空处理系统。真空处理系统包括：第一传送腔室，所述第一传送腔室具有第一长度并连接到真空腔室；第二传送腔室，所述第二传送腔室连接到真空腔室，所述第二传送腔室具有小于第一长度的第二长度。

在可与本文所述的实施方式组合的另外的实施方式中，真空沉积系统可以设有如本文所述的参考基板，参考基板包括设有参考图案的参考基板基底，更具体是根据图1的实施方式的参考基板。

在可与如本文所述的实施方式组合的另外的实施方式中，如本文所述的真空沉积系统可被配置为进行如本文所述的用于处理掩模布置的方法，具体是根据图2-5的实施方式的方法。

根据本文所述的实施方式，用于处理掩模布置的方法可以使用计算机程序、软件、计算机软件产品、以及可具有cpu、存储器、用户界面和与成像设备和/或用于真空处理的系统的对应部件通信的输入和输出装置的相关的控制器来进行。

虽然前述针对本公开内容的实施方式，但是在不脱离本公开内容的基本范围的情况下，可以设计出本公开内容的其它和进一步的实施方式，并且本公开内容的范围由所附权利要求书确定。