气化器及元件结构体的制造装置的制作方法

本发明涉及一种气化器及元件结构体的制造装置，特别是涉及一种适于制造元件结构体的技术，该元件结构体具有从氧气或水分等中保护器件等的层叠结构。

本申请基于2017年2月21日在日本申请的专利申请2017-030319号要求优先权，并且在此援用其内容。

背景技术：

作为包含具有因水分或氧气等而容易变差性质的化合物的元件，例如已知有有机el(electroluminescence，电致发光)元件等。关于这种元件，尝试通过形成经层叠包含化合物的层和覆盖该层的保护层而成的层叠结构来抑制水分等向元件内侵入。例如，在下述专利文献1中记载了发光元件，该发光元件在上部电极层上具有由无机膜和有机膜的层叠膜形成的保护膜。

作为上述有机膜，可使用丙烯酸树脂等，通过对树脂材料进行气化并供给而进行成膜。

专利文献1：日本特开2013-73880号公报

专利文献2：国际公开第2014/196137号公报

本发明人发现通过将液状树脂喷雾到经加热的气化器内并进行加热使之气化，即使不过度提升温度也稳定地供给蒸汽。然而，有时喷雾出的一部分树脂材料不在加热面上蒸发，而是形成液体膜，由此加热面的气化面积因液状树脂材料而减少。由此，气化效率变差，从气化器供给到成膜室的树脂材料的供给量减少，因此存在沉积率(成膜率)变差的问题。特别是，如果经液化的树脂材料以附着在气化器底面上的状态与喷雾到该面的树脂材料接触，则该树脂材料不会在该部分上蒸发，促进气化面积的减少。

此外，如果处理时间变长，则经液化的树脂材料不仅附着到气化器底面而且储存在气化器底面中，从而气化率极低。因此，由于未使用于成膜的树脂材料增加，不仅降低气化效率，而且经液化的树脂材料未被使用于成膜而浪费，因此要求降低液化量以提高气化率。

在此，当为了提高气化率而使气化器的加热温度比树脂材料的蒸发温度大幅上升时，具有树脂材料在气化器内因热而聚合并硬化且成膜率进一步下降的问题，从而不现实。

另外，由于未进行充分的气化而导致从气化器供给到成膜室的树脂材料的供给量减少，有可能无法充分地进行成膜。在该情况下，具有如下的问题：即，在具有器件层的基板表面上存在凹凸等时，无法由树脂膜充分覆盖该凹凸的边界部，例如在之后成膜的无机膜中有可能在凹凸的边界上发生覆盖不良。如果发生这种无机膜的覆盖不良，则由于无法阻止水分从发生覆盖不良的部位侵入，因此难以确保充分的阻隔性。

技术实现要素：

本发明是鉴于上述情况而提出的，想要实现以下至少一个目的。

1、稳定气化率。

2、改善树脂材料蒸气的供给状态。

2、防止因气化率下降引起的成膜缺陷。

3、确保阻隔性。

本发明的第一方式的气化器用于对元件结构体的制造装置供给经气化的树脂材料，具备：气化槽，具备用于对液状树脂材料进行气化的内部空间；吐出部，用于在所述内部空间中喷雾出所述液状树脂材料；加热部，在所述内部空间中与所述吐出部相对配置，并且用于对喷雾出的所述液状树脂材料进行加热使之气化；和储存部，在所述内部空间中配设在所述加热部的下方，并且未由该加热部气化的所述液状树脂材料滴落而保管到所述储存部。

在本发明的第一方式的气化器中，从所述吐出部观察时，所述加热部的与由所述吐出部喷雾出的所述液状树脂材料相接的一面也可以从该加热部的中央区域朝向外周区域向下倾斜。

在本发明的第一方式的气化器中，也可以在所述加热部的外周区域配设有从所述吐出部连通到所述储存部的贯穿孔。

在本发明的第一方式的气化器中，所述储存部的温度也可以低于所述加热部的温度。

在本发明的第一方式的气化器中，所述气化槽也可以具备温度控制装置，所述温度控制装置用于控制与该气化槽的内部空间相接的壁面的温度。

在本发明的第一方式的气化器中，也可以具备：第一管道，用于向构造所述元件结构体的制造装置的处理室(成膜室)导入由所述气化槽气化的所述树脂材料；第二管道，用于向与所述成膜室不同的部分导出由所述气化槽气化的所述树脂材料；和切换部，配设在所述气化槽与所述成膜室之间，所述切换部能够在所述第一管道和所述第二管道中进行选择。

本发明的第二方式的元件结构体的制造装置具有：第一层形成部，用于形成第一层，所述第一层覆盖配设在基板的一面侧的功能层，并且具有局部凸部且由无机材料形成；树脂成膜部，能够供给由第一方式的气化器气化的所述树脂材料，从而在所述第一层上形成由所述树脂材料构成的树脂材料膜，并且通过使所述树脂材料膜硬化而形成树脂膜；局部存在化处理部，在从侧剖面观察所述第一层时，残留位于包括所述凸部的外侧面与所述基板的一面之间的边界部在内的位置上的一部分所述树脂膜，并且去除位于其他位置上的该树脂膜；和第二层形成部，以覆盖位于所述一面侧的所述凸部、残留一部分所述树脂膜而成的树脂材及因所述去除而露出的所述第一层的方式，形成由无机材料构成的第二层。

在本发明的第二方式的元件结构体的制造装置中，所述局部存在化处理部也可以使用干式蚀刻法且以露出所述凸部的外侧面中的包括顶部在内的区域的方式去除所述树脂膜。

根据本发明的第一方式的气化器，液状树脂材料从加热部向储存部流下，喷雾到加热部的液状树脂材料不会滞留在加热部的一面上。因此，能降低喷雾到加热部的一面上的树脂材料再次液化的量。同时，喷雾到加热部的液状树脂材料不会滞留在加热部的一面上。因此，在加热部的一面上因加热而聚合的树脂材料向下部的储存部流下，能降低因加热而聚合的树脂材料附着在加热部的一面上的量，并且能防止阻碍树脂材料在加热部的一面上气化的现象。因此，能抑制气化槽内的气化率的下降，并且稳定地供给经气化的树脂材料。

根据本发明的第一方式的气化器，由于所述加热部的与由所述吐出部喷雾出的所述液状树脂材料相接的一面从该加热部的中央区域朝向外周区域向下倾斜，因此液状树脂材料在加热部的一面上因该加热部的倾斜而流下，喷雾到加热部的液状树脂材料不会滞留在加热部的一面上。因此，能降低喷雾到该加热部的一面上的树脂材料再次液化的量。同时，喷雾到加热部的液状树脂材料不会滞留在该加热部的一面上。因此，在该加热部的一面上因加热而聚合的树脂材料向下部的储存部流下，能降低因加热而聚合的树脂材料附着在加热部的一面上的量，并且能防止阻碍树脂材料在加热部的一面上气化的现象。因此，能抑制气化槽内的气化率的下降，并且稳定地供给经气化的树脂材料。

根据本发明的第一方式的气化器，由于配设有从所述吐出部连通到所述储存部的贯穿孔，因此所述内部空间被所述加热部分割为上部空间和下部空间，所述加热部的下侧为所述储存部，并且经由贯穿孔喷雾到加热部的液状树脂材料中的未气化的树脂材料向储存部流下而不会滞留在该加热部的一面上。同时，未气化的树脂材料不会在加热部的一面上因长时间过度加热而聚合，即使该一部分树脂材料聚合也通过液状树脂材料而向下部的储存部流下。另外，由于在被加热部分割为上部空间和下部空间的内部空间上侧进行气化，因此能够使气化状态稳定。因此，不会阻碍树脂材料在加热部的一面上气化，能抑制气化槽内的气化率的下降，并且稳定地供给经气化的树脂材料。

根据本发明的第一方式的气化器，由于所述储存部的温度低于所述加热部的温度，因此向储存部流下的液体树脂材料不会在储存部中被加热而聚合，并且不会增加经聚合的树脂材料。此外，通过使储存部的温度低于加热部的温度，能降低储存部对加热部的温度状态的影响。

根据本发明的第一方式的气化器，由于所述气化槽具备与其内部空气相接的壁面的温度控制装置，因此能够将壁面温度设定为适于气化的温度。此外，由于壁面竖立设置，因此液状树脂材料从壁面流下，不会滞留在壁面上。另外，由于因加热而固化在壁面的树脂材料向下部的储存部流下，因此能够通过加热部在内部空间上侧稳定地进行气化，能够使气化状态稳定。

另外，由于本发明的第一方式的气化器具备第一管道、第二管道和切换部，因此能够将树脂材料稳定地供给到成膜室，能够使成膜速率稳定，并且形成具有期望的膜特性的树脂材料膜。

另外，根据本发明的第二方式的元件结构体的制造装置，将树脂材料从气化器稳定地供给到成膜室，能够使成膜速率稳定，并且形成具有期望的膜特性的树脂材料膜。由此，通过局部存在化的树脂材，能够切实地进行第一层和第二层对功能层的封装，制造阻隔特性高的元件结构体。

另外，在本发明的第二方式的元件结构体的制造装置中，由于所述局部存在化处理部使用干式蚀刻法来去除所述树脂膜，从而所述凸部的外侧面中的包括顶部在内的区域露出，因此能够容易形成第一层、树脂材和第二层，其中，所述第一层覆盖基板和配设在所述基板的一面侧的功能层，并且具有局部凸部且由无机材料形成，所述树脂材在从侧剖面观察所述第一层时覆盖所述第一层，并且(只)配置在包括所述凸部的外侧面与所述基板的一面之间的边界部在内的位置附近且由有机物形成，所述第二层覆盖位于所述一面侧的所述凸部、所述树脂材以及在所述树脂材不存在的区域中露出的所述第一层且由无机材料形成。通过该局部存在化的树脂材，切实地进行第一层及第二层对功能层的封装，并且不会对第一层带来不必要的损伤。此时，能够容易通过去除树脂材的不必要的部分而仅使封装所需的部分局部存在化，能制造阻隔特性高的元件结构体。

所述局部存在化处理部使用干式蚀刻法来去除一部分所述树脂膜，一部分树脂膜局部存在化的树脂材残留在基板上。树脂材残留在凸部的周边和凹部内等。去除树脂膜中的所述凸部的上表面或平坦部的树脂膜。

在本发明的第二方式的元件结构体的制造装置中，所述局部存在化处理部优选具有检测装置，所述检测装置检测对所述树脂膜进行蚀刻处理的条件中的特定条件的变化，并且将检测出的结果用作该蚀刻处理的终点。

在本发明的第二方式的元件结构体的制造装置中，所述树脂成膜部优选具有基板冷却装置，所述基板冷却装置用于将所述基板冷却至比所述树脂材料的气化温度更低的温度。

在本发明的第二方式的元件结构体的制造装置中，所述树脂成膜部优选具有uv照射装置，所述uv照射装置通过对所述基板的正面的所述树脂材料照射紫外线而对所述树脂材料进行uv硬化。

本发明的第二方式的元件结构体的制造装置优选具有运送装置，所运送装置在所述第一层形成部、所述树脂成膜部、所述局部存在化处理部与所述第二层形成部之间运送所述基板。

本发明的方式能取得如下的效果：即，能抑制气化槽内的气化率的下降，并且稳定地供给经气化的树脂材料，能制造阻隔特性高的元件结构体。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式的元件结构体的制造装置的示意图。

图2是表示本发明的第一实施方式的元件结构体的制造装置中的树脂成膜部的示意性剖面图。

图3是表示本发明的第一实施方式的气化器的示意性剖面图。

图4是表示本发明的第一实施方式的气化器及元件结构体的示意性剖面图。

图5是表示由本发明的第一实施方式的元件结构体的制造装置制造的元件结构体的俯视图。

图6是上述元件结构体的主要部分的放大剖面图。

图7是表示本发明的第一实施方式的元件结构体的制造方法中的工序的工序图。

图8是表示本发明的第一实施方式的元件结构体的制造方法中的工序的工序图。

图9是表示本发明的第一实施方式的元件结构体的制造方法中的工序的工序图。

图10是表示本发明的第一实施方式的元件结构体的制造方法中的工序的工序图。

图11是表示本发明的第一实施方式的元件结构体的制造方法中的工序的工序图。

图12是表示由本发明的第一实施方式的元件结构体的制造装置制造的元件结构体结构的变形例的示意性剖面图。

图13是表示由本发明的第一实施方式的元件结构体的制造装置制造的元件结构体结构的变形例的示意性剖面图。

图14是表示由本发明的第一实施方式的元件结构体的制造装置制造的元件结构体结构的变形例的示意性剖面图。

具体实施方式

下面，基于附图对本发明的第一实施方式的气化器及元件结构体的制造装置进行说明。

图1是表示本实施方式的元件结构体的制造装置的示意图。图2是表示本实施方式的元件结构体的制造装置的示意图。图3是表示本实施方式的气化器的示意图。在图1中，附图标记1000为元件结构体的制造装置。

如后述，本实施方式的元件结构体的制造装置1000进行有机el元件等元件结构体的制造。如图1所示，制造装置1000具有第一层形成部201、树脂成膜部100、局部存在化处理部202、第二层形成部203、形成作为有机el层的功能层的功能层形成部204、芯室200和与外部连接的装载锁定室210。芯室200与第一层形成部201、树脂成膜部100、局部存在化处理部202、第二层形成部203、功能层形成部204及装载锁定室210连结。

在装载锁定室210的内部插入从其他装置等运送到元件结构体的制造装置1000中的基板。在芯室200中配置有例如未图示的基板运送机器人。由此，能够在芯室200与第一层形成部201、树脂成膜部100、局部存在化处理部202、第二层形成部203、功能层形成部204及装载锁定室210之间运送基板。能够经由该装载锁定室210向元件结构体的制造装置1000的外侧运送基板。芯室200、各成膜室100、201、202、203、204及装载锁定室210分别构造连接有未图示的真空排气系统的真空腔室。

通过使用具有上述结构的元件结构体的制造装置1000来制造元件结构体10，从而能够实现各制造工序的自动化，并且能够同时使用多个成膜室来高效地进行制造，从而能提高生产率。

第一层形成部201形成后述的元件结构体10中的第一层41，该第一层41覆盖配设在基板2的一面侧2a上的功能层3，并且具有局部凸部且由硅氮化物(sinx)等无机材料形成。第一层形成部201为例如通过cvd(chemicalvapordeposition，化学气相沉积)法、溅射法或ald(atomiclayerdeposition，原子层沉积)法等来形成第一层41的成膜室。

功能层形成部204形成后述的元件结构体10中的功能层3。此外，功能层形成部204也可以设置于装载锁定室210的外侧。

第二层形成部203为以覆盖后述的元件结构体10中的第一层41及树脂材51的方式形成第二层42的成膜室，该第二层42与第一层41同样由无机材料形成。此外，在第二层42和第一层41由相同的材料形成的情况下，将第二层形成部203和第一层形成部201设为相同的结构，或者也可以使用一个成膜室(共同的成膜室)来形成第二层42和第一层41。

此外，在第二层形成部203和第一层形成部201中的任一个形成部或者共同的成膜室由等离子体cvd装置构造的情况下，该形成部201、203或成膜室不仅具有上述功能，而且还兼具后述的局部存在化处理部202的功能。例如，可向等离子体cvd装置中搬入形成有树脂膜的基板，并且导入氧化性气体以发生等离子体，从而蚀刻树脂膜并使树脂膜局部存在化以形成树脂材。之后，还可以直接在等离子体cvd装置内形成第二层42。

树脂成膜部100为如下的成膜室：即，该成膜室通过将经气化的树脂材料供给到树脂成膜部100的内部，在第一层41上形成由树脂材料构成的树脂材料膜，并且使树脂材料膜硬化而形成树脂膜。

如图2所示，树脂成膜部100具有能够降低内部空间的压力的腔室110和用于将经气化的树脂材料供给到腔室110中的气化器300。

如后述，腔室110的内部空间由上部空间107和下部空间108构造。

在腔室110中连接有未图示的真空排气装置(真空排气机构或真空泵等)，真空排气装置被构造为能够排出内部空间的气体，从而使腔室110的内部空间成为真空气氛。

如图2所示，在腔室110的内部空间中配设有簇射板(シャワープレート)105，在腔室110内比簇射板105更上侧的空间构造上部空间107。在腔室110的最上部设置有由石英等可透射紫外光的部件构造的顶板120，在顶板120的上侧配设有紫外光照射装置122(uv照射装置)。在此，由于簇射板105也由可透射紫外光的部件形成，因此从照射装置122经由顶板120导入到上部空间107中的紫外光进一步经过簇射板105，并且能够行进到位于簇射板105的下侧的下部空间108中。由此，能够在成膜后对形成在后述的基板s上的丙烯酸材料膜(树脂材料膜)照射紫外光，并且使丙烯酸材料膜硬化而形成丙烯酸树脂膜(树脂膜)。

在腔室110中配设有未图示的加热装置。为了使构造上部空间107及下部空间108的腔室110的内壁面的温度设定为树脂材料的气化温度以上，且优选成为40～250℃左右，可利用加热装置来进行控制。

在腔室110内的位于比簇射板105更下侧的下部空间108中配设有用于载置基板s的载物台102(基板保持部)。

在载物台102的表面上预先规定有应配置基板的位置。载物台102在其表面露出的状态下配置在腔室110内。附图标记s表示配置在基板载物台102表面的规定位置上的基板。在载物台102中设置有用于冷却基板s的基板冷却装置102a。

基板冷却装置102a通过向载物台102的内部供给制冷剂而冷却载物台102上表面上的基板s。具体而言，通过内置在用于载置基板s的载物台102(基板保持部)中的冷却装置102a来控制待形成树脂材料膜的基板s的温度，并且将该基板s的温度控制为树脂材料的气化温度以下，优选控制为零度(0℃)以下，例如-30℃～0℃左右。

在载物台102的上侧位置上，与载物台102的整个面相对地设置有簇射板105。

簇射板105由板状部件形成，该板状部件由设置有多个贯穿孔的石英等的紫外线透射材料形成，簇射板105将腔室110的内部空间分割为上部空间和下部空间。

在下部空间108中设置有未图示的掩模，该掩模的位置在成膜时可设定在规定位置上。当基板移动时，掩模能够相对于基板退避移动。

腔室110的上部空间107经由管道112(树脂材料供给管)及阀门112v与气化器300连通。能够经由该树脂材料供给管112，对腔室110的上部空间107供给经气化的树脂材料。

在树脂材料供给管112(第一管道)的与阀门112v相比更靠近气化器300的位置上，连接有具有阀门113v的树脂材料旁通管113的一端。树脂材料旁通管113(第二管道)的另一端经由排气管114与外部(与成膜室不同的部分或成膜室的外部)连接，能够通过树脂材料旁通管113来排出气体。排气管114与液化回收装置连接，能够对树脂材料进行液化并将其回收。

通过控制部400来控制阀门112v及阀门113v的开闭驱动。控制部400以能够切换成膜状态和非成膜状态的方式进行控制，其中，该成膜状态为将来自气化器300且经气化的树脂材料供给到腔室110内的状态，该非成膜状态为将来自气化器300且经气化的树脂材料排出到外部而未供给到腔室110内的状态。

阀门112v、阀门113v及控制部400构造切换部，该切换部具有通过树脂材料供给管112向腔室110的内部供给树脂材料或者通过树脂材料旁通管113向腔室110的外部排出树脂材料的选择功能。

气化器300能够对腔室110供给经气化的树脂材料。如图2及图3所示，气化器300具有气化槽130、吐出部132和树脂材料原料容器150。

如图2及图3所示，气化槽130具备用于对液状树脂材料进行气化的内部空间130a，在内部空间130a的上方配置有喷雾出液状树脂材料的吐出部132。气化槽130被形成为大致圆筒状，但也可以是其他剖面形状。气化槽130的内表面例如可以由不锈钢或al等形成。

在吐出部132上连接有经由阀门140v与树脂材料原料容器150连接的树脂材料液供给管140的一端和用于供给氮气等的载气的载气供给管130g。树脂材料液供给管140的另一端与树脂材料原料容器150连接，并且位于储存在树脂材料原料容器150内的液状树脂材料的内部。

在树脂材料原料容器150上连接有用于供给材料液的氮气等加压气体供给管150g，能够向树脂材料液供给管140送出通过提高树脂材料原料容器150的内压而进行加压后的液状树脂材料。

吐出部132被构造为将由树脂材料液供给管140供给的液状树脂材料与载气一同喷雾到气化槽130的内部空间中。吐出部132设置在气化槽130的顶部中大致中央位置上。

对于气化槽130来说，如图2及图3所示，在气化槽130的下侧位置上设置有加热部135。加热部135被配置为将内部空间分割为上部空间与下部空间。在加热部135的下方，加热部135与储存底部136s之间的空间为储存部136。加热部135可视为加热底部，通过该加热部135(加热底部)和储存底部136s，气化槽130被构造为双重底结构。在气化槽130上设置有真空计pg，能够测定内部的压力。

在气化槽130的与加热部135相比更靠上方，加热部135与吐出部132之间的空间为气化空间130a。

加热部135在气化空间130a中被设置在吐出部132的下方位置上，能够对从吐出部132喷雾出的液状树脂材料进行加热并气化。

加热部135的上表面(一面)为与由吐出部132喷雾出的液状树脂材料相接的气化面。对于加热部135的上表面来说，在该上表面的大致中央位置上设置有在加热部135的上表面上具有最高的高度的顶部135a。在加热部135的上表面上设置有从该顶部135a朝向外周区域向下倾斜的倾斜面135b(一面)，加热部135的上表面为圆锥形状或球面状。

顶部135a的位置为加热部135的中央位置，但也可以不是该位置，例如，顶部135a的位置优选为与吐出部132的正下方或吐出部132的吐出方向(喷雾方向)上的中心位置对应的位置。倾斜面135b的倾斜角度只要树脂材料能够流下，则不受特别限定，优选可设定在3°～45°的范围。

对于加热部135的周边部来说，周边部的外周固定在气化槽130的侧壁130h上，并且在加热部135的外周区域设置有多个贯穿孔135c，该多个贯穿孔135c从气化空间130a连通到储存部136，该吐出部132露出于该气化空间130a中。

在加热部135及气化槽130的侧壁130h上设置有控制与内部空间相接的面的温度的温度控制装置。具体而言，在侧壁130h上设置有对加热部135的上表面135a进行加热的加热器135d、以及对与比加热部135更上侧的气化空间130a相接的侧壁130h进行加热的加热器130d。

加热器135d为埋入到加热部135的护套加热器。另外，加热器130d为线状的电阻加热装置，加热器130d卷绕并安装在气化槽130的外周，能够通过对气化槽130内进行加热而防止气化槽130内的材料附着及再次液化的同时，对该材料进行气化。

在与气化空间130a连接的树脂材料供给管112(第一管道)中，也设置有作为同样的温度调整装置的加热器112d。加热器112d缠绕在树脂材料供给管112(第一管道)上，经气化的树脂材料不会在壁面上冷凝。

此外，在树脂材料旁通管113中设置有作为同样的温度调整装置的加热器。

这些加热器130d、135d、112d能够将露出到经气化的树脂材料中的表面的温度设定为比树脂材料的气化温度更高的状态，从而防止树脂材料的液化。同时，以尽可能降低树脂材料的加热固化的方式设定温度。此外，不加热储存部136，或者储存部136的温度被设定为比树脂材料的气化温度更低。

储存部136在气化槽130的内部空间中配设在加热部135的下方，未被加热部135气化的液状树脂材料从贯穿孔135c流下而保管到储存部136中。在储存部136的储存底部136s上设置有具有阀门136v的排水系统136b，能够将储存的树脂材料排出到外部。另外，储存部136的温度被设定为树脂材料的气化温度以下，具体而言，优选储存部136的温度为室温。

此外，在本实施方式中，有时使用紫外线硬化树脂材料作为树脂材料。紫外线硬化树脂材料有时因加热部135中的加热而其一部分聚合及变质。如此变化的树脂的蒸发温度上升且不会在加热部135中进行蒸发。未蒸发的树脂在加热部135的倾斜面135b上流动，并且滞留在储存底部136s。

在本实施方式的气化器300中进行树脂材料的气化时，设为通过加热器130d、135d对加热部135及气化槽130的侧壁130h进行加热的状态，并且设为通过加热器112d对树脂材料供给管112(第一管道)进行加热的状态。

同时，通过控制部400将阀门112v设为关闭状态，从而设为气体不能流向腔室110的状态，并且通过控制部400将阀门113v设为打开状态，从而设为气体能够流向树脂材料旁通管113的状态。

在该状态下，通过提高树脂材料原料容器150的内压，从而由树脂材料液供给管140供给的液状树脂材料与载气一同从吐出部132喷雾到气化槽130的内部空间中。此时，还可以进一步对供给到吐出部132的树脂材料及载气进行加热。

与载气一同从吐出部132喷雾到气化槽130的内部空间中的树脂材料在经加热的气化槽130的内部进行气化。此时，到达加热部135的树脂材料在加热部135的上表面上进行气化，但未气化的液状树脂材料因加热部135的倾斜面135b的倾斜而朝向加热部135的周边流下，并且不会在加热部135上停留而向储存部136滴落。由此，能防止加热部135的气化面积因液状树脂材料而减少，并且能实现气化量的稳定化。

同时，由于液状树脂材料朝向加热部135的周边流下，并且不会在加热部135上停留而向储存部136滴落，因此该液状树脂材料不会在加热部135上被过度加热而固化。即使一部分液状树脂材料固化，也与液状树脂材料一同向储存部136滴落。由此，能防止加热部135的气化面积因固化的树脂材料而减少，并且能实现气化量的稳定化。

在稳定地进行树脂材料的气化的期间，通过控制部400将阀门112v设为打开状态，从而设为气体能够流向腔室110的状态，并且通过控制部400将阀门113v设为关闭状态。于是，树脂材料旁通管113成为气体无法流入的状态。由此，能够向腔室110供给经气化的树脂材料，并且进行成膜处理。

根据本实施方式中的气化器300，能够通过加热部135的倾斜面135b的倾斜，来防止加热部135的气化面积因液状树脂材料而减少，并且能实现经气化的树脂材料的供给量的稳定化。

另外，只需通过切换部的驱动即通过控制部400来切换阀门112v及阀门113v的开闭状态，即能在树脂材料对腔室110的供给和树脂材料对树脂材料旁通管113(第二管道)的供给中进行选择。因此，能够实现向腔室110供给的经气化的树脂材料的供给量的稳定化，从而能防止成膜速率变动，并且能够稳定地形成膜特性优异的树脂材料膜。此外，在更换腔室110中的基板s及进行掩模的位置对准时，不会向腔室110导入树脂材料，能够继续进行树脂材料的气化，因此不会重复进行作为经气化的树脂材料的蒸气发生的停止/开始，能够使蒸气的发生率大致恒定。

树脂成膜部100被构造为例如能够在同一个腔室110内进行气化温度为40～250℃左右的紫外线硬化型丙烯酸树脂材料的成膜和用于硬化成膜后树脂材料的紫外线照射。由此，能够在同一个装置结构中进行任何处理工序，从而能提高生产率。

下面，对由本实施方式的元件结构体的制造装置1000制造的元件结构体10进行说明。

图4是表示本实施方式的元件结构体的示意性剖面图。图5是表示图4的元件结构体的俯视图。图6是表示元件结构体的主要部分的放大图。在各图中，x轴、y轴及z轴方向表示彼此正交的三轴方向。在本实施方式中，x轴及y轴方向表示彼此正交的水平方向，z轴方向表示铅直方向。

本实施方式的元件结构体10具备：基板2，包括器件层3(功能层)；第一无机材料层41(第一层)，用于覆盖形成在基板2的正面2a上的功能层3，并且具有局部凸部且由硅氮化物(sinx)等无机材料形成；和第二无机材料层42(第二层)，用于覆盖第一无机材料层41，并且与第一层41同样地具有局部凸部且由硅氮化物(sinx)等无机材料形成。本实施方式的元件结构体10由具有有机el发光层的发光元件构造。

基板2具有正面2a(第一面)和背面2c(第二面)，例如由玻璃基板或塑料基板等构造。基板2的形状不受特别限定，在本实施方式中被形成为矩形状。基板2的大小或厚度等不受特别限定，可根据元件尺寸的大小来使用具有适当的大小及厚度的基板。在本实施方式中，由在一张大型基板s上制作的同一元件的集合体来制作多个元件结构体10。

器件层3(功能层)由包括上部电极和下部电极的有机el发光层构造。除此之外，器件层3也可以由如液晶元件中的液晶层或发电元件中的发电层等的、包含因水分或氧气等而容易变差性质的材料的各种功能元件构造。

在基板2的正面2a的规定区域上形成器件层3。器件层3的平面形状不受特别限定，在本实施方式中被形成为大致矩形状，但除这种形状以外，也可以采用圆形状或线形状等的形状。器件层3不限于配置在基板2的正面2a上的例子，配置在基板2的正面2a及背面2c中的至少一个面上即可。

第一无机材料层41(第一层)设置在配置器件层3的基板2的正面2a上，并且构造覆盖器件层3的正面3a及侧面3s的凸部。第一无机材料层41具有从基板2的正面2a朝向图6中的上方突出的立体结构。

第一无机材料层41由能够在水分或氧气中保护器件层3的无机材料形成。在本实施方式中，第一无机材料层41由水蒸气阻隔特性优异的硅氮化物(sinx)形成，但并不限定于该材料。也可以由硅氧化物或硅氧氮化物等的其他硅化合物或者氧化铝等的具有水蒸气阻隔性的其他无机材料形成第一无机材料层41。

例如，使用适当的掩模来将第一无机材料层41成膜在基板2的正面2a上。在本实施方式中，使用具有能够容纳器件层3的大小的矩形开口部的掩模来形成第一无机材料层41。成膜方法不受特别限定，可应用cvd(chemicalvapordeposition)法、溅射法或ald(atomiclayerdeposition)法等。第一无机材料层41的厚度不受特别限定，例如为200nm～2μm。

第二无机材料层42(第二层)与第一无机材料层41同样由能够在水分或氧气中保护器件层3的无机材料形成，并且以覆盖第一无机材料层41的正面41a及侧面41s的方式设置于基板2的正面2a上。在本实施方式中，第二无机材料层42由水蒸气阻隔特性优异的硅氮化物(sinx)形成，但并不限定于该材料。也可以由硅氧化物或硅氧氮化物等的其他硅化合物或者氧化铝等的具有水蒸气阻隔性的其他无机材料形成第二无机材料层42。

例如，使用适当的掩模来将第二无机材料层42成膜在基板2的正面2a上。在本实施方式中，使用具有能够容纳第一无机材料层41的大小的矩形开口部的掩模来形成第二无机材料层42。成膜方法不受特别限定，可应用cvd(chemicalvapordeposition)法、溅射法或ald(atomiclayerdeposition)法等。第二无机材料层42的厚度不受特别限定，例如为200nm～2μm。

本实施方式的元件结构体10进一步具有第一树脂材51。第一树脂材51偏在于第一无机材料层41(凸部)的周围。在本实施方式中，第一树脂材51存在于第一无机材料层41与第二无机材料层42之间，并且偏在于第一无机材料层41的侧面41s与基板2的正面2a之间的边界部2b。第一树脂材51具有如下的功能：即，用于填充形成在边界部2b附近的第一无机材料层41与基板正面2a之间的间隙g(图6)。

图6放大表示元件结构体10中的边界部2b的周边结构。由于第一无机材料层41由无机材料的cvd膜或溅射膜形成，因此对包括器件层3在内的基板2的凹凸结构面的覆盖特性(阶梯覆盖性)比较低。其结果，如图6所示，覆盖器件层3的侧面3s的第一无机材料层41在基板的正面2a附近其覆盖特性下降，有可能处于覆盖膜厚极小或不存在覆盖膜的状态。

因此，在本实施方式中，通过使第一树脂材51偏在于如上所述的第一无机材料层41周边的覆盖不良区域，从而抑制水分或氧气从该覆盖不良区域向器件层3内部侵入。另外，在形成第二无机材料层42时，通过使第一树脂材51作为第二无机材料层42的基底层发挥功能，从而能进行第二无机材料层42的适当成膜，并且可以以期望的膜厚适当覆盖第一无机材料层41的侧面41s。

对于第一树脂材51的形成方法来说，经喷雾气化而气化的树脂材料被供给到基板的正面2a并冷凝而形成树脂材料膜，在使树脂材料膜硬化之后，通过去除不需要部分的局部存在化工序来形成该第一树脂材51。

下面，对利用本实施方式的元件结构体的制造装置实现的元件结构体的制造方法进行说明。

图7～图11是示意性地表示本实施方式的元件结构体的制造方法中的第一树脂材51的形成方法的工序图。

(器件层的形成工序例)

首先，在图1所示的元件结构体的制造装置1000中，利用未图示的基板运送机器人从芯室200向功能层形成部204运送从装载锁定室210搬入到芯室200的基板s。在该功能层形成部204中，在基板s上的规定区域形成器件层3(功能层)。

在本实施方式中，作为成为功能层3的区域，可使用基板s上的多个部位的区域或单个的成为功能层3的区域，其中，该多个部位的区域例如为在x轴方向及y轴方向上以规定间隔分别排列有两个部位的四个部位的区域。

器件层3的形成方法不受特别限定，可根据器件层3的材料或结构等来适当选择。例如，可通过将基板s运送到功能层形成部204的成膜室等，在基板s上进行规定材料的蒸镀或溅射等，并且进行图案加工等，从而在基板s上的规定区域上形成期望的器件层3。图案加工方法不受特别限制，例如可采用蚀刻等。

此外，对元件结构体的制造装置1000的具体结构省略图1中的详细说明。功能层形成部204由多个处理室形成，可采用具有能够在彼此相邻的处理室之间运送基板s的运送装置的结构。或者，也可以采用非真空装置结构。即，无需经由装载锁定室210，而是能够在元件结构体的制造装置1000的外部对基板s进行处理。

(第一层的形成工序例)

接着，利用未图示的基板运送机器人从功能层形成部204搬出形成有器件层3的基板s，并且经由芯室200搬入到第一层形成部201。

在第一层形成部201中，以覆盖器件层3的方式，在包括器件层3的区域在内的基板s上的规定区域形成第一无机材料层41(第一层)。由此，如图7所示，覆盖器件层3的第一无机材料层41被形成为在基板s上具有凸部。

在该工序中，也可以例如使用具有与第一无机材料层41的区域对应的数量的开口的掩模，来将例如由氮化硅形成的第一无机材料层41作为保护层的一部分形成。

在此，第一层形成部201可以是具有cvd处理装置或溅射处理装置的结构。另外，虽然未图示，但在第一层形成部201的成膜室中可设置有用于配置基板s的载物台、配置在基板s上的掩模、支撑掩模并对载物台上的基板s进行掩模的位置对准等的掩模对准装置、或者成膜材料供给装置等。

形成有器件层3的基板s通过配置在芯室200中的基板运送机器人等而被配置在第一层形成部201的载物台上。通过掩模对准装置等，以经由掩模的开口露出器件层3的方式在基板s上的规定位置上配置掩模。

并且，例如通过cvd法，以覆盖器件层3的方式形成由氮化硅等形成的第一无机材料层41。此外，第一无机材料层41的形成方法不限于cvd法，例如也可以采用溅射法。在该情况下，第一层形成部201被构造为具有溅射装置。

(树脂材的形成工序例～成膜工序)

接着，利用未图示的基板运送机器人从第一层形成部201搬出形成有具有凸部的第一无机材料层41的基板s，并且经由芯室200搬入到树脂成膜部100中。

在树脂成膜部100中进行以下工序：在形成有第一无机材料层41的基板s上形成树脂材料膜；和通过使树脂材料膜硬化而形成树脂膜。在该工序中，首先使用树脂成膜部100，来形成例如由紫外线硬化型丙烯酸树脂材料构成的树脂材料膜。

在树脂成膜部100中，首先将搬入到树脂成膜部100的基板s载置在载物台102上。在基板s搬入到腔室110内之前，通过真空排气装置来排出腔室110内的气体，使腔室110内维持真空状态。另外，在基板s搬入到腔室110内时，维持腔室110的真空状态。

此时，在腔室110中，通过加热装置，至少将上部空间107及下部空间108的内表面侧的温度设定为树脂材料的气化温度以上。同时，配置在载物台102上的基板s通过基板冷却装置102a与载物台102一同被冷却至比树脂材料的气化温度更低的温度。

另外，通过加热器112d，将树脂材料供给管112(第一管道)设为加热至树脂材料的气化温度以上的状态。

接着，对于配置在载物台102上的基板s来说，有时未图示的掩模通过掩模载置装置等而被配置在基板s上的规定位置上。

在将基板s载置于载物台102之前，在气化器300中正常稳定地进行树脂材料的气化。在该气化稳定化处理过程期间，通过控制部400将阀门112v设为关闭状态，从而设为气体不能流向腔室110的状态，并且通过控制部400将阀门113v设为打开状态，从而维持气体能够流向树脂材料旁通管113的状态。

此外，对于气化器300中的树脂材料的气化来说，优选根据供给的气化树脂材料量的稳定度，维持成膜处理前所需要的时间。

接着，在掩模对准状态、腔室110内的气氛、腔室110的内壁温度、树脂材料供给管112的温度和基板s的温度等条件成为规定状态之后，通过控制部400来切换阀门112v和阀门113v的开闭状态。由此，通过将阀门112v设为打开状态，从而使气体流向树脂材料供给管112，并且通过将阀门113v设为关闭状态，从而设为气体不能流向树脂材料旁通管113的状态。由此，向腔室110供给经气化的树脂材料。

由气化器300供给的经气化的树脂材料经过树脂材料供给管112的内部，并且从上部空间107经由簇射板105被供给到下部空间108内。

在下部空间108中，如图8所示，由簇射板105大致均匀地供给到基板s的整个面上的经气化的树脂材料在基板的正面2a上冷凝成液状树脂材料膜5a。对于在基板的正面2a上冷凝的液状树脂材料膜5a来说，在基板的正面2a上具有劣角的角部、凹部和间隙部等中，液状树脂材料膜5a的膜厚因表面张力而变厚。

此时，也可以通过未图示的掩模，只在靠近凸部41的位置(附近位置)的区域上形成液状膜5a。此外，考虑到树脂材料的液化及成膜速率，优选控制由气化器300供给的树脂材料的供给量。在基板s的正面上液化的树脂材料因毛细管现象而进入到微细的间隙中，或者因树脂材料的表面张力而进一步凝集，因此能够使基板s上的微细的凹凸变得光滑的同时形成树脂材料膜5a。由此，在基板s的正面上具有劣角的角部、凹部和间隙部等中，树脂材料膜5a的膜厚变厚。特别是，能够由树脂材料膜5a来填埋第一无机材料层41的侧面41s与基板2的正面2a之间的边界部2b上的微细的间隙。

另外，由于腔室110被加热，因此经气化的树脂材料不会在腔室110内壁等的表面上冷凝。

在经过规定的处理时间，在基板s的正面上形成规定厚度的液状膜5a之后，通过控制部400将阀门112v设为关闭状态，从而设为气体不能流向腔室110的状态，并且通过控制部400将阀门113v设为打开状态，从而设为气体能够流向树脂材料旁通管113的状态。

由于继续对腔室110进行排气，因此气化树脂材料被排出到腔室110的外部，并且停止成膜。

在该状态下，维持腔室110内的真空气氛的同时，从uv照射装置122对基板s的正面照射紫外线。照射的紫外线穿过由石英等的紫外线透射材料形成的顶板120及簇射板105而到达腔室110内的基板s上。

在腔室110内朝向基板s照射的一部分紫外线入射到基板s的正面，并且在形成于基板s的正面上的由树脂材料构成的树脂材料膜5a上发生光聚合反应，从而液状膜5a硬化。如图9所示，在基板s的正面上形成树脂膜5。在本实施方式中，形成丙烯酸树脂薄膜。

接着，未图示的掩模通过掩模载置装置等从基板s上的成膜位置向退避位置移动。

(树脂材的形成工序例～局部存在化工序)

接着，利用未图示的基板运送机器人从树脂成膜部100搬出形成有树脂膜5的基板s，并且经由芯室200搬入到局部存在化处理部202。

在此，局部存在化处理部202可以是具有干式蚀刻处理装置特别是等离子体蚀刻处理装置的结构。

另外，虽然未图示，但局部存在化处理部202也可以是平行平板型的等离子体处理装置。在该情况下，在局部存在化处理部202中，将基板s载置在电极上，并且向腔室内导入蚀刻气体，通过将由高频电源产生的高频经由天线照射到腔室内而生成等离子体，并且从高频电源对载置有基板s的电极施加偏置电压。等离子体中存在的离子被引向载置在电极上的基板，对形成在基板s的正面上的树脂膜5进行蚀刻并去除。

在此，如图10所示，通过由蚀刻气体生成的等离子体中的离子来对树脂膜5进行蚀刻。此时，为了朝向电极上的基板s引入离子，也可以对电极施加偏置电压。

通过蚀刻来去除膜厚薄的平坦部分的树脂膜5，在基板s的正面上具有劣角的角部、凹部和间隙部等中，残留比平坦部分更厚的部分的树脂膜5。该残留部分为第一树脂材51。

此外，在上述第一层形成部201和第二层形成部203具有溅射装置或等离子体cvd装置的情况下，该形成部201、203不仅可以具有成膜功能，而且还兼具局部存在化处理部202的功能。在该情况下，例如第一层形成部201、第二层形成部203及局部存在化处理部202可使用相同的处理装置。

对于局部存在化处理部202来说，如图10所示，在形成有树脂膜5的基板s中，通过等离子体蚀刻，如图11所示那样去除大部分树脂膜5。能够根据蚀刻速率计算出该等离子体处理的处理时间，并且在规定的处理时间内进行该等离子体处理。

此外，在局部存在化处理部202可设置有检测装置。该检测装置测定施加到电极的偏置电压，根据测定值的变化，判断基本上已经去除基板s上的树脂膜5，并且将该判断结果(检测结果)用作蚀刻处理的终点。

如图11所示，在第一无机材料层41的侧面41s与基板2的正面2a之间的边界部2b，局部存在化(局部地存在)因该干式蚀刻处理而残留在基板s上的第一树脂材51。此外，第一树脂材51偏在于能够使第一无机材料层41表面的微细凹凸变得光滑的部分上。

(第二层的形成工序例)

利用未图示的基板运送机器人从局部存在化处理部202搬出以局部存在化的方式形成有第一树脂材51的基板s，并且经由芯室200搬入到第二层形成部203。

在第二层形成部203中，以覆盖形成有第一树脂材51的第一无机材料层41的方式，在包括凸部的基板s上的规定区域形成第二无机材料层42(第二层)。

在该工序中，与第一无机材料层41的形成同样，使用具有与第二无机材料层42的区域对应的数量的开口的掩模来形成第二无机材料层42(第二层)，该第二无机材料层42由与第一无机材料层41相同的材料例如氮化硅形成。由此，第一无机材料层41(第一层)、第一树脂材51及第二无机材料层42(第二层)覆盖器件层3(功能层)，并且能够作为保护器件层3的保护层发挥功能。

在此，第二层形成部203可以是具有cvd处理装置或溅射处理装置的结构。

第二层形成部203可具有与上述第一层形成部201同样的装置结构。例如，第一层形成部201及第二层形成部203可使用相同的处理装置，或者第二层形成部203可兼具第一层形成部201的功能。

另外，在第二层形成部203为等离子体cvd处理装置的情况下，可兼具局部存在化处理部202的功能。如果能够由第二层形成部203进行第一树脂材51的局部存在化，则在局部存在化之后可直接形成第二无机材料层42(第二层)。

之后，利用未图示的基板运送机器人从第二层形成部203搬出形成有第二无机材料层42的基板s，并且经由芯室200及装载锁定室210搬出到元件结构体的制造装置1000的外部。

对于本实施方式的元件结构体的制造装置1000来说，在由树脂成膜部100形成树脂膜5之后，在局部存在化处理部202中形成经等离子体蚀刻处理而局部存在化的第一树脂材51。之后，通过形成第二无机材料层42(第二层)，从而能够在边界部2b等的作为保护层要求阻隔性的部位切实地形成第二无机材料层42(第二层)。并且，由于利用气化器300来实现树脂材料供给量的稳定化，因此能缩短树脂材料膜的成膜工序所需的时间，并且使成膜速率稳定，防止膜特性的变动。

下面，对由本实施方式的元件结构体的制造装置1000制造的元件结构体的其他例进行说明。

对于由本实施方式的元件结构体的制造装置1000制造的本例中的元件结构体10来说，树脂材不只限于偏在于作为第一无机材料层41(凸部)的周围的边界部2b的结构，例如也可以在边界部2b以外的基板2的正面2a和第一无机材料层41的正面41a等上残留有该树脂材。

在该情况下，如图12所示，第二无机材料层42(第二层)具有经由第二树脂材52层叠在第一无机材料层41上的区域。第二树脂材52存在于第一无机材料层41与第二无机材料层42之间，并且与第一树脂材51独立地偏在于第一无机材料层41的正面41a。

如上述，根据本实施方式的元件结构体10，由于器件层3的侧面被第一无机材料层41(第一层)及第二无机材料层42(第二层)覆盖，因此能防止水分或氧气向器件层3侵入。

另外，根据本实施方式，由于第一树脂材51偏在于边界部2b，因此能防止伴随第一无机材料层41或第二无机材料层42的覆盖能力不良而产生的阻隔特性的下降，并且能够长期维持稳定的元件特性。

下面，对由本实施方式的元件结构体的制造装置1000制造的元件结构体的其他例进行说明。

如图13所示，本例的元件结构体20进一步具有存在于第一无机材料层41与第二无机材料层42之间的第二树脂材52。第二树脂材52与第一树脂材51独立地偏在于第一无机材料层41的正面。

在本例的元件结构体20中，例示出如下情况：第一无机材料层41的正面并不一定平坦，例如在成膜前(基板运送时或加入到成膜装置之前)或者成膜时等，因颗粒p混入到膜中而形成凹凸。如果颗粒混入第一无机材料层41中，则第一无机材料层41对器件层3的覆盖特性下降，有可能无法得到期望的阻隔特性。

因此，本例的元件结构体20具有在因颗粒p的混入等而生成的第一无机材料层41的覆盖不良部填充有第二树脂材52的结构。典型地，该第二树脂材52因表面张力而偏在于第一无机材料层41的正面与颗粒p的周面之间的边界部32b。由此，器件层3的覆盖性得到提高，并且能够通过使第二树脂材52作为基底发挥功能而进行第二无机材料层42的适当成膜。此外，成膜时也可以在平坦部分形成较薄的树脂膜。在颗粒p的周边，因表面张力而形成比平坦部分更厚的树脂膜。

通过与第一树脂材51同样的方法来形成第二树脂材52。第二树脂材52也可以由与第一树脂材51相同的有机物形成。在该情况下，能够在同一个工序中同时形成第一树脂材51和第二树脂材52。

在此，在局部存在化处理部202中，通过蚀刻来去除较薄的部分且残留较厚的部分，即，除存在颗粒p的部位以外，去除树脂膜5，当第一无机材料层41露出时，停止树脂膜5的蚀刻。由此，在从上方沿铅直方向观察凸部时，由颗粒p遮盖的边界部32b的树脂膜5不会被过度蚀刻，树脂膜5切实地残留在颗粒p周围的边界部32b。其结果，在颗粒p附近的边界部32b，第二树脂材52呈平滑的表面形状。如果在颗粒p完全不存在的情况下，通过各向异性蚀刻而实质上去除树脂膜5时，树脂膜5被完全去除，露出第一无机材料层41。

此外，可根据等离子体的发光光谱分析结果或各向异性蚀刻的经过时间来停止蚀刻。

此时，不去除边界部2b的树脂膜5，通过树脂膜5的局部存在化来形成第一树脂材51。同样，不去除边界部32b的树脂膜5，通过树脂膜5的局部存在化来形成第二树脂材52。

在本例中，也能够得到与上述的元件结构体10的制造同样的作用效果。另外，根据本例，由于通过第二树脂材52来弥补因颗粒p的混入产生的膜质下降，因此能确保期望的阻隔特性的同时提高生产率。

下面，对由本实施方式的元件结构体的制造装置1000制造的元件结构体的其他例进行说明。

如图14所示，本例的元件结构体30例如具有：基板21，具有器件层3(功能层)；凸部40，覆盖器件层3的侧面3s；第一无机材料层41(第一层)及第二无机材料层42(第二层)，以覆盖凸部40及器件层3的方式形成在基板21的正面上。

凸部40形成在基板21的正面21a上，并且在中央部具有容纳器件层3的凹部40a。在本例中，凹部40a的底面形成在比基板21的正面21a更高的位置上，但也可以形成在与正面21a相同的高度位置上，也可以形成在比正面21a更低的位置上。

本例的元件结构体30进一步具有存在于第一无机材料层41与第二无机材料层42之间的树脂材53。树脂材53分别偏在于凸部40的外侧面与基板21的正面21a之间的边界部21b和凸部40的内侧面与器件层3之间的边界部22b。由此，能抑制第一无机材料层41及第二无机材料层42对凸部40及器件层3的正面3a的覆盖不良，并且能提高阻隔特性。可通过与上述第一树脂材51及第二树脂材52同样的方法来形成树脂材53。

在如此具有凹凸的基板s中，通过偏在的树脂材来使无法由无机材料层覆盖的部分进一步平坦化。能够进一步均匀地且覆盖能力优良地形成在树脂材上成膜的无机材料层。此外，虽然树脂材对水等的密封性低于无机材料层，但由于偏在的树脂材被无机材料层覆盖而不会向外部气氛露出，因此提高密封性。即，优选使树脂材以不会向外部气氛露出的方式偏在，而不是形成为膜状。

以上，对本发明的优选实施方式进行了说明，并且如在上述内容中说明，应理解这些实施方式是本发明的举例说明，而不应认为限定本发明。在不脱离本发明的范围内可进行附加、省略、置换及其他变更。因此，不应该视为本发明由前述说明来限定，本发明由权利要求书来限定。

例如，在以上的实施方式中，覆盖第一无机材料层41(第一层)的第二无机材料层42(第二层)由单层形成，但第二无机材料层42(第二层)也可以由多层膜形成。在该情况下，也可以通过按形成各层的工序将树脂材料供给到基板上而形成偏在于基板的凹凸部的树脂材，由此能够进一步提高阻隔性。

此外，在以上的实施方式中，在形成第一无机材料层41(第一层)之后，使第一树脂材51局部存在化于作为凸部的第一无机材料层41周围，但也可以在利用第一层形成部201来形成第一无机材料层41之前，通过树脂成膜部100及局部存在化处理部202来使第一树脂材51偏在于器件层3的周围。由此，能提高第一无机材料层41覆盖器件层3的效率。

产业上的可利用性

作为本发明的应用例，可列举有机el装置或薄膜li电池等怕水分的电子器件的封装。

附图标记说明

s、2、21…基板

2b、21b、22b、32b…边界部

3…器件层(功能层)

10、20、30…元件结构体

40…凸部

41…第一无机材料层(第一层)

42…第二无机材料层(第二层)

51、53…第一树脂材(树脂材)

52…第二树脂材(树脂材)

53…树脂材

100…树脂成膜部(成膜室)

102…载物台

105…簇射板

102a…基板冷却装置

112…树脂材料供给管(第一管道)

112v…阀门

113…树脂材料旁通管(第二管道)

113v…阀门

122…uv照射装置

130…气化槽

130a…内部空间

130d…加热器

132…吐出部

135…加热部

135a…顶部

135b…倾斜面

135c…贯穿孔

135d…加热器

136…储存部

140…树脂材料液供给管

150…树脂材料原料容器

200…芯室

201…第一层形成部(成膜室)

202…局部存在化处理部

203…第二层形成部(成膜室)204…功能层形成部(成膜室)

210…装载锁定室

300…气化器

400…控制部

1000…元件结构体的制造装置