1.一种通过等离子体增强化学气相沉积(pecvd)沉积氮化硅的方法，所述方法包括以下步骤：
提供一种pecvd设备，所述pecvd设备包括腔室和设置在所述腔室内的衬底支撑件；
将衬底设置在所述衬底支撑件上；
将氮气(n2)前体引入到所述腔室中；
施加高频(hf)rf功率和低频(lf)rf功率以在所述腔室中持续产生等离子体；
在施加所述hfrf功率和所述lfrf功率的同时，将硅烷前体引入到所述腔室中，使得所述硅烷前体持续形成所述等离子体的一部分；以及
随后，在继续维持所述等离子体的同时，去除所述lfrf功率或减小至少90％的所述lfrf功率，使得通过pecvd将氮化硅沉积到所述衬底上。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在施加所述hfrf功率和所述lfrf功率一定时段后，立即引入所述硅烷前体，其中，所述一定时段足以维持所述等离子体的稳定。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述一定时段为至少2秒，并且优选至少3秒。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在施加所述lfrf功率小于约15秒，优选小于约10秒，更优选约5秒的时段后，立即进行将所述硅烷前体引入所述腔室中的步骤。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在从将所述硅烷前体引入所述腔室中起约10秒，优选小于约5秒，并且更优选小于约2秒内，去除所述lfrf功率。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，将所述hfrf功率施加到所述pecvd设备的进气口。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述进气口是喷头。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其中，将所述lfrf功率施加到所述pecvd设备的所述进气口或所述衬底支撑件。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述hfrf功率的频率大于2mhz，并且优选地为约13.56mhz。
10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述lfrf功率的频率为300khz至500khz，优选350khz至400khz，并且更优选约360khz至380khz。
11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述lfrf功率的频率为500w至1200w的功率。
12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在施加所述高频(hf)rf功率和所述低频(lf)rf功率以在所述腔室中持续产生等离子体的步骤期间，所述低频(lf)rf功率具有100w至300w的功率。
13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述硅烷前体为sih4。
14.根据前述权利要求中任一项所述的方法，所述方法进一步包括：将氢气(h2)前体引入所述腔室中的步骤。
15.根据前述权利要求中任一项所述的方法，所述方法在低于250℃，优选低于200℃的温度下进行。
16.根据前述权利要求中任一项所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：将惰性气体引入所述腔室中；以及，在引入所述氮气(n2)前体之前，产生等离子体；其中，所述惰性气体优选为氩气或氦气。
17.一种用于将氮化硅沉积到衬底上的等离子体增强化学气相沉积(pecvd)设备，所述设备包括：
腔室；
设置在所述腔室内的衬底支撑件；
用于将气体引入所述腔室中的进气系统；
高频(hf)rf功率供应器，所述高频(hf)rf功率供应器配置为向所述进气系统施加hfrf功率；
低频(lf)rf功率供应器，所述低频(lf)rf功率供应器配置为向所述进气系统或所述衬底支撑件之一施加lfrf功率；
至所述进气系统的氮气(n2)前体源；
至所述进气系统的硅烷前体源；以及
控制器；
其中，在施加所述hfrf功率和所述lfrf功率的同时，在使用中，所述控制器所述将硅烷前体引入所述腔室中，使得所述硅烷前体能够在所述腔室中持续形成等离子体的一部分，并且随后，在继续维持所述等离子体的同时，去除所述lfrf功率，使得通过pecvd能够将氮化硅沉积到所述衬底上。