1.一种低缺陷高透光率金刚石生长方法，其特征在于，包括步骤：
阶段通入氧气：对籽晶表面进行预处理后放入生长仓中，通入一定功率的微波后通入氢气和氧气对籽晶进行表面刻蚀15-60min；然后，停止通入氧气，通入一定量的氩气后通入碳源生成碳离子团后稳定生长金刚石；每隔第一时间，停止通入碳源，通入氧气刻蚀10-30min；
基板台升降：在所述稳定生长的同时，实时检测金刚石生长的厚度数据，根据所述厚度数据，控制基板台的高度，进而使金刚石的生长面始终处于最佳生长位。
2.根据权利要求1所述的低缺陷高透光率金刚石生长方法，其特征在于，所述第一时间为10-20h。
3.根据权利要求1所述的低缺陷高透光率金刚石生长方法，其特征在于，所述基板台升降步骤具体包括：
s21、检测装置实时检测金刚石生长厚度，生成并输送厚度数据到控制中心；
s22、控制中心根据所述厚度数据计算区间厚度，并判断区间厚度是否超过预定值，若是，则控制所述基板台上升或下降预定值，执行s21；若否，则执行s21。
4.根据权利要求1所述的低缺陷高透光率金刚石生长方法，其特征在于，所述最佳生长位根据生长仓中微波功率确定。
5.根据权利要求1所述的低缺陷高透光率金刚石生长方法，其特征在于，所述预处理为：
对籽晶的表面进行抛光处理，然后通过丙酮或者无水乙醇清洗，再使用食人鱼溶液进行酸洗处理，再通过去离子水洗去酸液后烘干处理。
6.根据权利要求1所述的低缺陷高透光率金刚石生长方法，其特征在于，所述表面刻蚀包括步骤：
通入氢气，并在2-20mbar压力下，通入300-1500kw功率的微波启辉，逐渐增加压力及功率，使温度控制在840-860℃之间，然后通入一定比例的氧气，进行刻蚀。
7.一种应用权利要求1-6任一所述方法的低缺陷高透光率金刚石生长系统，其特征在于，包括：生长仓、控制中心、检测装置、存储模块、基板台；
所述检测装置用于实时检测金刚石的表面位置，生成并输出厚度数据；
所述存储模块用于存储所述对比数据以及实时检测数据；
所述基板台用于承载籽晶，包括托盘、托盘升降装置；
所述托盘升降装置用于控制所述托盘上升和下降；
所述控制中心用于接收所述厚度数据，并读取所述存储模块中的对比数据，进行数据比对，并根据比对结果，控制所述基板台升降装置运转，控制所述生长仓正常运行。
8.根据权利要求7所述的低缺陷高透光率金刚石生长系统，其特征在于，所述托盘包括基部、装设在所述基部上的承台；
所述承台为正多棱台形或圆台形，在上表面具有凹槽，所述凹槽的开口处边沿为倒角设计。
9.根据权利要求7所述的低缺陷高透光率金刚石生长系统，其特征在于，所述基板台升降装置包括脉冲电机以及升降轨道。
10.根据权利要求7所述的低缺陷高透光率金刚石生长系统，其特征在于，所述检测装置为位置传感器。