本发明涉及一种连铸浇钢
技术领域：
，更具体地说，它涉及一种结晶器保护渣。
背景技术：
：在开浇时必须向结晶器内时刻不断的加入保护渣。一方面是为了防止连铸结晶器内钢水在中间包内造成二次氧化，另一方面是在结晶器内的钢水与结晶器铜板之间形成一层润滑膜以保证浇注的顺利进行，其次还有利于夹杂物的上浮，提高板坯质量。这种保护渣的作用有：1、在结晶器铜板和初生坯壳之间形成一层润滑模，起到润滑作用，防止粘结性漏钢；2、覆盖结晶器内钢水表面，隔绝空气，防止钢水二次氧化；3、吸附钢水中上浮夹杂物，提高钢水纯净度；4、具有一定的保温作用；但仅有保温性能而无发热升温性能。使用时具体要求：1、均匀地覆盖结晶器内钢水表面；2、要求黑渣操作，表面不允许发红。现有技术存在的问题：现有保护渣的熔点及粘度偏低，影响保护渣的正常熔化。保护渣熔点过低，熔化速度加快，液渣层增厚，流入结晶器与铸坯之间的液体保护渣增加，保护渣膜增厚，使初生凝固坯壳传热不均匀，产生表面纵裂。保护渣黏度较低时，保护渣三层结构中的液渣层容易随结晶器振动被卷入到钢水中，从而引起铸坯表面夹渣。技术实现要素：针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种结晶器保护渣，具有保护渣熔点升高，粘度升高的优点，降低了保护保护渣熔化速率，从而减少保护渣液渣层厚度，均匀传热，同时提高了粘度，减少了液渣随结晶器振动卷入铸坯浅表层的几率。本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种结晶器保护渣，所述结晶器保护渣各组分重量百分比为：sio2:32.50％～37.50％，al2o3:3.00％～5.00％，cao:33.50％～38.50％，na2o:5.50％～7.50％，t.c：3.70％～5.70％，f-:4.00％～6.00％。在其中一个实施例中：所述结晶器保护渣各组分重量百分比为：sio2:37.00％，al2o3:4.50％，cao:38.50％，na2o:7.50％，t.c:5.50％，f-:6.00％。在其中一个实施例中：所述结晶器保护渣碱度r为0.98～1.08。，综上所述，本发明具有以下有益效果：本发明提供的保护渣通过各组分配比，熔点升高，粘度升高，降低了保护保护渣熔化速率，从而减少保护渣液渣层厚度，均匀传热，同时提高了粘度，减少了液渣随结晶器振动卷入铸坯浅表层的几率，采用本发明提供的保护渣，板坯含硫易切削钢表面缺陷率由之前11.11%降低至0.83%以内。具体实施方式下面结合实施例，对本发明进行详细描述。r熔点（℃）黏度（1300℃）pa.s1.0410300.14±0.06±30±0.03表1：现有含硫易切削钢板坯保护渣主要理化指标表sio2al2o3caor2of-cr水分熔点（℃）黏度（1300℃）pa.s312.532.215.4104.21.04≤0.5010300.14±3±1.5±3±2.5±2.5±0.80±0.06±30±0.03表2：现有含硫易切削钢板坯保护渣配方组分表以上为现有的结晶保护渣的配方及物理性能。关于本申请所提供的一种结晶器保护渣，结晶器保护渣各组分重量百分比为：sio2:32.50％～37.50％，al2o3:3.00％～5.00％，cao:33.50％～38.50％，na2o:5.50％～7.50％，t.c:3.70％～5.70％，f-:4.00％～6.00％。其物理性能参数为熔点为1115℃～1155℃，粘度为0.28pa.s-0.36pa.s。作为一种优选方式，结晶器保护渣各组分重量百分比可以具体为：sio2:37.00％，al2o3:4.50％，cao:38.50％，na2o:7.50％，t.c:5.50％，f-:6.00％。经过有限次数的实验测试，该配比能够提供一种性能最优的结晶保护渣。结晶器保护渣碱度r为0.98～1.08。原来某含硫易切削钢板坯生产过程保护渣结渣条较频繁,铸坯表面缺陷率高达11.11%，使用本保护渣后，可以在结晶器中的钢水之上顺利形成生渣层、烧结层、熔融层三层结构，并且保护渣熔融层可以正常流入结晶器和板坯之间起到足够的润滑作用，未发生结渣条情况，大幅减少了表面裂纹及夹渣缺陷，缺陷率降低至0.83%。本发明提供的保护渣熔点升高，粘度升高，降低了保护保护渣熔化速率，从而减少保护渣液渣层厚度，均匀传热，同时提高了粘度，减少了液渣随结晶器振动卷入铸坯浅表层的几率，采用该发明后，板坯含硫易切削钢表面缺陷率（裂纹、卷渣）由之前11.11%降低至0.83%以内。本实施例的实施原理为：通过各组分的配比，形成一种具有熔点高，粘度高的保护渣，其物理性能参数为熔点为1115℃～1155℃，粘度为0.28pa.s-0.36pa.s。降低了保护保护渣熔化速率，从而减少保护渣液渣层厚度，均匀传热，同时提高了粘度，减少了液渣随结晶器振动卷入铸坯浅表层的几率以上所述仅是本发明的优选实施方式，本发明的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。应当指出，对于本
技术领域：
的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理前提下的若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。当前第1页1 2 3