具有周期性高电压偏压的等离子体增强CVD的制作方法

实施方式涉及半导体处理设备的领域，并且在具体实施方式中，涉及用于具有施加到基板的脉冲高电压偏压的等离子体增强化学气相沉积的处理工具。

背景技术：

碳膜通常用等离子体增强化学气相沉积(cvd)工艺来形成。在等离子体增强cvd工艺中产生的等离子体可以是电容耦合等离子体(ccp)、电感耦合等离子体(icp)、微波等离子体或类似者。然而，使用诸如此类的等离子体源的等离子体增强cvd工艺具有若干缺陷。一个缺陷是等离子体增强cvd通常需要在高基板温度下实施以便形成高品质膜。例如，基板温度通常大于500℃。

现有等离子体增强cvd工艺的另一个缺陷是等离子体的密度和等离子体的最大离子能量均随着等离子体功率增加而增加。具体地，等离子体密度和最大离子能量不是独立的，并且最大离子能量并不大。例如，在此种等离子体增强cvd工艺中的典型离子能量通常是1,000ev或更小。另外，归因于振荡的rf鞘层电位(sheathpotential)，等离子体增强cvd具有宽离子能量分布。由此，通过在给定的离子能量下控制离子数目来最佳化沉积工艺是不可能的。离子能量的宽分布使得难以预测工艺结果。由此，难以定制(tailor)等离子体增强cvd工艺，以提供期望的高品质膜性质。

技术实现要素：

实施方式包括一种处理基板的方法。在一实施方式中，所述方法包括使一种或多种源气体流入处理腔室中，并且用在第一模式下操作的等离子体源从源气体诱发等离子体。在一实施方式中，所述方法可进一步包括用在第二模式下操作的dc电源来偏压基板。在一实施方式中，所述方法可进一步包括将膜沉积在基板上。

实施方式还可包括一种处理基板的方法，所述方法包括使一种或多种源气体流入处理腔室中以及用等离子体源从源气体诱发等离子体。在一实施方式中，所述方法还可包括用脉冲dc电源偏压基板。在一实施方式中，脉冲dc电源提供至少第一电压和第二电压的脉冲。在一实施方式中，所述方法进一步包括将膜沉积在基板上。

实施方式还可包括一种用于将膜沉积在工件上的处理工具。在一实施方式中，处理工具包括腔室主体。在一实施方式中，处理工具进一步包括等离子体源。在一实施方式中，等离子体源在第一模式下操作，并且等离子体源从流入腔室主体中的一种或多种处理气体诱发等离子体。在一实施方式中，处理工具进一步包括在腔室主体中用于支撑工件的卡盘(chuck)。在一实施方式中，卡盘电气耦合到dc电源，并且dc电源在第二模式下操作。在一实施方式中，膜仅包括一种或多种处理气体的成分。

以上概述不包括所有实施方式的详尽清单。可以预期，包括可以由上文概述的各个实施方式的所有适当组合实践的所有系统和方法，以及在下文具体实施方式中披露且在与申请一起提交的权利要求书中具体指出的系统和方法。此种组合具有未在以上概述中具体记载的特定优点。

附图说明

图1是根据一实施方式的rf功率和有效dc电压的图表。

图2是根据一实施方式的在两个不同电压下的膜密度和膜应力的图表。

图3是根据一实施方式的包括电气耦合到dc源的卡盘的处理工具的截面图。

图4a是根据一实施方式的包括用于接触基板的背侧表面的销的卡盘的截面图，其中销电气耦合到dc源。

图4b是根据一实施方式的包括电气耦合到dc源的嵌入式导电网格(conductivemesh)的卡盘的截面图。

图4c是根据一实施方式的包括电气耦合到dc源的导电涂层的卡盘的截面图。

图5是根据一实施方式的使用dc偏压卡盘的基板处理方案的工艺流程图。

图6是根据一实施方式的在一个以上的电压下使用dc偏压卡盘的基板处理方案的工艺流程图。

图7示出根据一实施方式可与包括dc偏压卡盘的处理工具结合使用的示例性计算机系统的方块图。

具体实施方式

根据本文描述的实施方式的装置包括等离子体增强化学气相沉积(cvd)处理工具。在一具体实施方式中，等离子体增强cvd处理工具的卡盘用脉冲高电压dc源偏压。在以下描述中，阐述若干具体细节以便提供对各实施方式的透彻理解。对于本领域技术人员来说将显而易见的是，实施方式可在不具有这些具体细节的情况下实践。在其他情况中，未详细描述公知的方面，以免不必要地模糊各实施方式。此外，将理解，附图中示出的各个实施方式是说明性表达，并且不一定按比例绘制。

如上文提及的，传统等离子体增强化学气相沉积(pecvd)工艺不提供定制工艺以提供高品质膜性质的能力。高品质膜性质可指高密度、高折射率、和低膜应力。由此，本文描述的实施方式可包括pecvd处理工具，其进一步包括施加到待处理的基板的脉冲dc偏压。使用脉冲dc偏压允许改进膜性质。例如，用本文描述的工艺形成的碳膜可具有2.0g/cm³或更大的密度、2.0或更大的折射率、以及小于500mpa的膜应力量值。此种膜性质也可用低温处理(诸如小于约200℃)获得。

在基板上方跨越等离子体壳层施加周期性电压的脉冲dc偏压允许在高能量(例如，高达20kev)下将来自等离子体的离子加速到基板。这提供了原位注入(in-situimplant)效应，导致膜密度增加。此外，将了解到，等离子体壳层的脉冲dc偏压可确保实质上所有撞击基板的离子处于相同能量。这是对如上文描述的、导致离子能量分布的振荡rf鞘层电位的显著改进。由此，离子能量分布可经调谐为单个能量(例如，从约1kev至20kev)。例如，6kv的脉冲电压可导致到基板的主要为6kev离子的通量。在一些实施方式中，脉冲电压可在第一电压与第二电压之间交替以提供膜性质的特定结果。例如，2kv的第一脉冲电压和8kv的第二脉冲电压可交替以获得期望的膜性质。

尽管可用rf源将偏压施加到基板(亦即，以在基板上提供有效dc偏压)，已发现脉冲dc电源(诸如本文描述的那些)提供改进的膜性质。具体地，将rf源用于偏压基板需要更多功率来获得期望的有效dc偏压。如图1所示，随着rf功率增加，有效dc电压变平。由此，需要显著更多的rf功率来获得本文披露的高dc电压(例如，大于1kv)。除了在如此高功率下运行工艺的成本之外，大部分功率最终加热基板。因此，低温pecvd工艺(诸如本文披露的那些)变得不可行。

在由pecvd产生的膜中，在膜品质与膜应力之间存在折衷。在图2中图示了关系的实例。如图所示，随着膜密度ρ增加，膜应力τ也增加。由此，为了得到高品质膜(亦即，具有高密度ρ的膜)，由于膜应力τ也增加，所以存在折衷。然而，膜应力τ的量值可通过将dc电压施加到基板来减小。例如，与表示v1的线相比，针对给定膜密度ρ，表示v2的线具有较低量值的膜应力τ，其中v2大于v1。

现在参照图3，根据一实施方式图示了处理工具300的截面图。在一实施方式中，处理工具300可包括腔室主体380。腔室主体380可以是任何大小的任何适当真空腔室，以适应一个或多个基板350的处理。在一实施方式中，腔室主体380可包括盖341。在一实施方式中，盖341可支撑气体分配板340，诸如喷头。在一实施方式中，气体分配板340可电气耦合到rf源365。在一些实施方式中，rf源365可电气耦合到与气体分配板340分离的电极。尽管未示出，将了解，一个或多个排气口亦可穿过腔室主体380形成。在一实施方式中，在腔室主体380内的压力可维持在约1mtorr与500mtorr之间，这取决于正在实施的工艺。

在一实施方式中，在腔室主体380中的基板350可由卡盘352支撑。在一些实施方式中，卡盘352可以是静电卡盘。在一实施方式中，卡盘352可包括用于在处理期间提供期望的基板温度的加热和/或冷却系统。例如，加热和/或冷却系统可维持低于800℃的基板温度。在一些实施方式中，基板温度可维持在低于200℃。实施方式可包括在约-250℃与800℃之间的基板温度。处理配件(processkit)330可耦合到基板350的外边缘周围的卡盘352。在一实施方式中，卡盘352可耦合到基座354，基座354包括离开腔室主体380的端口。

在一实施方式中，卡盘352可电气耦合到dc电源360。在一实施方式中，dc电源360可以是脉冲dc电源。实施方式可包括脉冲dc电源360，其具有在约1khz与100khz之间的脉冲频率。在一实施方式中，dc电源360可在-20kv与20kv之间。实施方式亦可包括dc电源360，其可调节为在约-20kv与20kv之间的不同电压。在一些实施方式中，多个脉冲dc电源360可电气耦合到卡盘352。在一实施方式中，脉冲dc电源可具有在1％与100％之间的占空比(dutycycle)。例如，在针对1khz频率的1％占空比下，dc功率开启达0.01秒，并且dc功率关闭达0.99秒。在一些实施方式中，dc功率可总是开启。

在一实施方式中，来自电源360的dc电压可经由与卡盘352的偏压表面直接接触或穿过卡盘352电容耦合的电气接触销、接触网格耦合到基板。各个耦合实施方式的更详细解释在下文针对图4a至图4c进行描述。

将了解，上文描述的处理工具300本质上是示例性的，并且许多不同的处理工具配置可与本文描述的实施方式结合使用。例如，处理工具300可包括电容耦合等离子体(ccp)源、电感耦合等离子体(icp)源、或微波等离子体源。实施方式亦包括处理工具配置，其中等离子体在顶部发射、在底部发射、或二者。

在一实施方式中，藉由脉冲dc电源360来dc偏压等离子体壳层可用源等离子体实现，所述源等离子体处于连续波模式、与dc偏压脉冲同步、与dc偏压脉冲不同步、或处于脉冲模式，同时保持dc偏压总是开启。在一实施方式中，dc偏压的占空比与等离子体源的占空比匹配。在一实施方式中，等离子体源的占空比与dc偏压的占空比不同。例如，dc偏压和源等离子体可同时开启，并且dc偏压或源等离子体中的一个在另一个之前关闭。在一实施方式中，源等离子体和脉冲dc偏压可具有不同的频率和相同的占空比。在一实施方式中，源等离子体和脉冲dc偏压可具有不同的频率和不同的占空比。

现在参照图4a，根据一实施方式图示了支撑基板150的卡盘452的截面图。在所示出的实施方式中，卡盘452可电气耦合到脉冲dc电源460。在一具体实施方式中，卡盘452可包括多个导电销461。多个导电销461可电气耦合到dc电源460。在一实施方式中，导电销461可直接接触基板450的背侧表面。由此，dc偏压脉冲可直接耦合到基板450。在一实施方式中，销461可用任何适当的导电材料来形成。在一实施方式中，销可以是铝。实施方式亦可包括导电销461，其包括多材料层。

在所示出的实施方式中，将导电销461图示为在卡盘452的顶表面上方延伸。在此实施方式中，基板450可由导电销452完全支撑。在额外的实施方式中，导电销461的顶表面可实质上与卡盘452的顶表面共面。在此实施方式中，基板450可由导电销461和卡盘452支撑。

尽管将导电销461示出为具有矩形截面，将了解实施方式可包括具有任何形状的导电销。在一些实施方式中，导电销461可实质上平坦。此种实施方式可考虑到导电垫来替代销。另外，实施方式可包括在卡盘452的表面之上形成的多个导电迹线(conductivetrace)，所述多个导电迹线电气耦合到dc电源460。

现在参照图4b，根据一实施方式图示了支撑基板150的卡盘452的截面图。在所示出的实施方式中，嵌入卡盘452内的导电网格462可电气耦合到dc电源460。在此种实施方式中，导电网格462可电气耦合到由卡盘452支撑的基板450。嵌入导电网格462可提供优于其他实施方式的优点，这是因为导电网格完全被保护而隔开处理环境。此外，嵌入导电网格462允许基板450完全由卡盘452支撑而其间不具有任何其他部件。

在一实施方式中，导电网格462可包括任何适当的一种或多种导电材料。在一实施方式中，导电网格可以是铜、铝、或类似者。在一实施方式中，导电网格462可具有任何期望密度。在一些实施方式中，导电网格462可视情况为导电板和/或嵌入卡盘452内的导电迹线的网络。

现在参照图4c，根据一实施方式图示了支撑基板150的卡盘452的截面图。在所示出的实施方式中，导电涂层463形成在卡盘452的表面之上。导电涂层463可电气耦合到dc电源460。在一实施方式中，导电涂层463可以是任何适当的导电材料、或导电材料层。在一实施方式中，导电涂层463可包括铝。

在所示出的实施方式中，导电涂层463形成在卡盘452的所有表面之上。然而，将了解，导电涂层463可形成在卡盘452的一些表面之上。例如，导电涂层463可视情况仅形成在卡盘452的顶表面之上。在此种实施方式中，基板450可完全放置在导电涂层463上。导电涂层463可将dc电源460电气耦合到基板450。

在额外的实施方式中，当卡盘包括导电材料时，可省略导电涂层。例如，卡盘452的导电材料可电气耦合到dc电源460。在此种实施方式中，卡盘452本身可将dc电源460电气耦合到基板450。

现在参照图5，根据一实施方式图示了用于等离子体增强化学气相沉积(pecvd)工艺590的工艺流程图。在一实施方式中，pecvd工艺590可用处理工具实施，所述处理工具包括用于偏压基板的脉冲dc电源。例如，上文描述的处理工具300可用于实施pecvd工艺590。

在一实施方式中，pecvd工艺590可包括操作591，其包括使处理气体流入处理腔室中。将了解，一种或多种处理气体可流入处理腔室中，用于提供期望的原料(feedstock)以形成特定膜。例如，在用于形成碳膜的pecvd工艺590中，处理气体可包括下列中的一种或多种：乙炔、甲烷、丙烯、乙烯、环丙烷、乙烷、丙烷、具有化学式cxhy的气体、以及其他含碳源气体。在其中需要硅膜的实施方式中，处理气体可包括下列中的一种或多种：硅烷、二硅烷、三硅烷、四硅烷、氢、和任何惰性气体。在其中需要氧化硅膜的实施方式中，处理气体可包括硅烷、四乙氧基硅烷(tetraethylorthosilicate，teos)中的一种或多种。在其中需要氮化物膜的实施方式中，处理气体可包括下列中的一种或多种：硅烷、nh3、n2、h2、和任何惰性气体。在其中需要chxfy膜的实施方式中，处理气体可包括一种或多种碳氟化合物(以形成chxfy膜)。在其中需要金属或金属氧化物膜的实施方式中，处理气体可包括一种或多种金属有机化合物。实施方式亦可包括需要实现反应的其他源气体，诸如含氧源气体、和/或惰性气体。在一实施方式中，在基板上沉积的膜可仅包括来自一种或多种源气体的成分。例如，所形成的膜是在基板之上沉积的不同的膜，并且不仅仅是对基板上的现有膜或材料的表面改性。

现在参照操作592，pecvd工艺590可包括用等离子体源激发处理腔室中的等离子体。在一实施方式中，等离子体源可以是ccp源、icp源、微波等离子体源、或任何其他源。在一实施方式中，源等离子体频率可以在100khz与100ghz之间。在一实施方式中，等离子体源可在顶部发射、在底部发射、或二者。如下文将描述的，等离子体源可在脉冲模式下操作。当在脉冲模式下操作时，将了解，脉冲频率是与所发射的电磁辐射的频率不同的频率。例如，脉冲频率可以在1khz与100khz之间，并且由源等离子体发射的电磁辐射可在约100khz与100ghz之间。

现在参照操作593，pecvd工艺590可包括用脉冲dc偏压来偏压基板。在一实施方式中，脉冲dc偏压可在约1kv与20kv之间。在一实施方式中，脉冲频率可在1khz与100khz之间。将了解，脉冲dc偏压允许将离子能量定制为特定水平。例如，使用脉冲dc偏压将导致朝向基板的离子通量，所有离子通量皆具有实质上相同的离子能量。另外，归因于高离子能量(例如，高达约20kev)，获得离子轰击效应。离子轰击效应导致具有较高密度、较佳光学性质、和相对较低的膜应力的膜。此外，pecvd工艺590允许独立控制离子能量和等离子体密度，这是由于离子能量主要来源于dc偏压。

在一实施方式中，等离子体源可在第一模式下操作，并且dc电源可在第二模式下操作。在一实施方式中，第一模式包括第一频率和第一占空比，并且第二模式是包括第二频率和第二占空比的脉冲模式。在一实施方式中，pecvd工艺590可包括等于第二频率的第一频率以及等于第二占空比的第一占空比。在一实施方式中，pecvd工艺590可包括等于第二频率的第一频率以及不同于第二占空比的第一占空比。在一实施方式中，pecvd工艺590可包括不同于第二频率的第一频率，并且第一占空比可等于第二占空比。在一实施方式中，pecvd工艺590可包括不同于第二频率的第一频率，并且第一占空比可不同于第二占空比。在一实施方式中，第一占空比和第二占空比可在1％与99％之间。

在一实施方式中，dc偏压可在包括脉冲的第二模式下操作，并且源等离子体可在包括连续波模式的第一模式下操作。在一实施方式中，dc偏压脉冲可在源等离子体总是开启的情况下操作。在一实施方式中，dc偏压脉冲可在源等离子体与dc偏压脉冲不同步的情况下操作。在一实施方式中，dc偏压脉冲可在源等离子体处于脉冲模式的情况下操作同时保持dc偏压总是开启。

根据一实施方式，pecvd工艺590可在低基板温度下实现。例如，pecvd工艺590可在约-250℃与800℃之间的基板温度下来实现。在一具体实施方式中，基板温度可小于200℃。注意到，利用仅rf等离子体系统的此种低温工艺不能形成与通过本文描述的实施方式实现的膜相当的高品质膜。例如，如图1所示，为了通过增加最大离子能量来改进rfccp膜的品质，需要rf功率的大幅度增加。例如，为了获得7.5kv的有效dc偏压，可能需要约17kw的rf功率。因为施加到等离子体的功率源将加热基板，因此此种低温工艺目前不可用现有的仅rfpecvd工艺实现。

与不使用经dc偏压脉冲的基板的类似pecvd工艺相比，根据pecvd工艺590所形成的膜已表明具有优异的膜品质。例如，利用具有100w至1,000w(162mhz顶部发射的ccp)功率的源在使用和不使用来自脉冲dc电源的1kv基板偏压来形成介于2mtorr与15mtorr之间的等离子体的乙炔或甲烷的源气体是用于表明根据pecvd工艺590形成的膜具有优异的膜品质。在不具有dc偏压的膜中，折射率是1.9，密度是1.5g/cm³，并且应力是-300mpa。在根据pecvd工艺590形成的膜中，折射率是2.5，密度是2.0g/cm³，并且膜应力的量值是约500mpa。具体地，注意到，改进的膜品质至少部分归因于在单个高离子能量下的大离子通量，其导致基板表面处的离子轰击。

本文描述的实施方式包括pecvd工艺，其包括精确地调谐离子能量的能力。由此，根据本文描述的实施方式的pecvd工艺允许用交替离子能量的离子通量形成膜。针对图6中的流程图描述此种pecvd工艺690的实例。

在一实施方式中，pecvd工艺690可包括操作691，其包括使处理气体流入处理腔室中。将了解，一种或多种处理气体可流入处理腔室中，用于提供期望的原料以形成特定膜。例如，在用于形成碳膜的pecvd工艺690中，处理气体可包括下列中的一种或多种：乙炔、甲烷、或其他含碳源气体。在其中需要其他膜的实施方式中，处理气体可包括下列中的一种或多种：四乙氧基硅烷(teos)(用于形成硅或氧化硅膜)、硅烷和氮(用于形成sin膜)、碳氟化合物(用于形成chxfy膜)、或金属有机化合物(用于形成金属或金属氧化物膜)。实施方式亦可包括实现反应所需的其他源气体，诸如含氧源气体和/或惰性气体。

现在参照操作692，pecvd工艺690可包括用等离子体源激发处理腔室中的等离子体。在一实施方式中，等离子体源可以是ccp源、icp源、微波等离子体源、或任何其他源。在一实施方式中，源等离子体频率可在100khz与100ghz之间。在一实施方式中，等离子体源可在顶部发射、在底部发射、或二者。

现在参照操作693，pecvd工艺690可包括用处于第一电压的脉冲dc偏压来偏压基板。在一实施方式中，第一脉冲dc偏压可在约-20kv与20kv之间。在一实施方式中，脉冲频率可在1khz与100khz之间。将了解，脉冲dc偏压允许将离子能量定制为特定水平。例如，使用脉冲dc偏压将导致朝向基板的离子通量，所有离子皆具有实质上相同的第一离子能量。

现在参照操作694，pecvd工艺690可包括用处于第二电压的脉冲dc偏压来偏压基板。在一实施方式中，第二脉冲dc偏压可在约-20kv与20kv之间。在一实施方式中，脉冲频率可在1khz与100khz之间。将了解，脉冲dc偏压允许将离子能量定制为特定水平。例如，使用脉冲dc偏压将导致朝向基板的离子通量，所有离子皆具有实质上相同的第二离子能量。在一实施方式中，第二电压可不同于第一电压。在一实施方式中，第一电压可以是2kv并且第二电压可以是8kv。

在一实施方式中，第一脉冲dc电压可脉冲达第一时间段，并且第二脉冲dc电压可脉冲达第二时间段。在一些实施方式中，pecvd工艺690可在第二时间段之后结束，而不重复第一脉冲dc电压。在其他实施方式中，脉冲dc电压可在第一脉冲dc电压与第二脉冲dc电压之间交替任何次数。在一实施方式中，可在pecvd工艺690中使用两个以上的脉冲dc电压。例如，第一脉冲dc电压、第二脉冲dc电压、和第三脉冲dc电压可用于在pecvd工艺690期间偏压基板。将了解，实施方式亦可包括为0v的第一电压、第二电压、第三电压等。例如，第一电压可在-20kv与20kv之间，并且第二电压可以是0v。

将了解，在本文的实施方式中描述的pecvd工艺可用任何序列操作。例如，pecvd工艺590包括三个不同的处理操作(591、592和593)m，并且pecvd工艺690包括四个不同的处理操作(691、692、693和694)。然而，将了解，处理操作可以任何次序实施，并且不必按顺序实施。例如，处理操作中的两个或多个可同时实施、或至少部分同时实施。

现在参照图7，根据一实施方式示出了处理工具的示例性计算机系统760的方块图。在一实施方式中，计算机系统760耦合到处理工具并且控制处理工具中的处理。计算机系统760可连接(例如，联网)到局域网(localareanetwork，lan)、内联网、外联网、或国际互联网中的其他机器。计算机系统760可在客户端-服务器网络环境中以服务器或客户端机器的容量操作，或作为在对等(或分布式)网络环境中的对等机器(peermachine)操作。计算机系统760可以是个人计算机(pc)、平板pc、机顶盒(stb)、个人数字助理(pda)、移动电话、网络设备、服务器、网络路由器、交换器或桥接器、或能够执行指令集(连续或以其他方式)的任何机器，所述指令集规定由该机器采取的动作。此外，尽管仅示出用于计算机系统760的单个机器，但术语“机器”亦应被认为包括机器(例如，计算机)的任何集合，这些机器独立地或联合地执行指令集(或多个指令集)以执行任何一种或多种本文描述的方法。

计算机系统760可包括计算机程序产品或具有其上存储有指令的非暂时性机器可读介质的软件722，这些指令可用于程序化计算机系统760(或其他电子装置)以执行根据实施方式的工艺。机器可读介质包括用于以机器(例如，计算机)可读的形式存储或传输信息的任何机制。例如，机器可读(例如，计算机可读)介质包括机器(例如，计算机)可读存储介质(例如，只读存储器(“rom”)、随机存取存储器(“ram”)、磁盘存储介质、光学存储介质、闪存装置(flashmemorydevice)等)、机器(例如，计算机)可读传输介质(电气、光学、声学或其他形式的传播信号(例如，红外信号、数字信号等))等。

在一实施方式中，计算机系统760包括系统处理器702、主存储器704(例如，只读存储器(rom)、闪速存储器(flashmemory)、动态随机存取存储器(dram)、诸如同步dram(sdram)或rambusdram(rdram)等)、静态存储器706(例如，闪速存储器、静态随机存取存储器(sram)等)、和辅助存储器718(例如，数据存储装置)，这些部件经由总线(bus)730彼此通信。

系统处理器702表示一个或多个通用处理装置，诸如微系统处理器、中央处理单元、或类似者。更具体地，系统处理器可以是复杂指令集计算(cisc)微系统处理器、精简指令集计算(risc)微系统处理器、超长指令字(vliw)微系统处理器、实施其他指令集的系统处理器、或实施指令集的组合的系统处理器。系统处理器702亦可以是一个或多个专用处理装置，诸如专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)、数字信号系统处理器(dsp)、网络系统处理器、或类似者。系统处理器702被配置为执行处理逻辑726，用于执行本文描述的操作。计算机系统760可进一步包括用于与其他装置或机器通信的系统网络接口装置708。计算机系统760亦可包括视频显示单元710(例如，液晶显示器(lcd)、发光二极管(led)显示器、或阴极射线管(crt))、字母数字输入装置712(例如，键盘)、光标控制装置714(例如，鼠标)、以及信号生成装置716(例如，扬声器)。

辅助存储器718可包括机器可访问存储介质731(或更具体地，计算机可读存储介质)，其上存储有一个或多个指令集(例如，软件722)，这些指令体现本文描述的方法或功能的任何一个或多个。在由计算机系统760执行软件722期间，软件722亦可完全或至少部分地驻留在主存储器704内和/或在系统处理器702内，主存储器704和系统处理器702亦构成机器可读存储介质。软件722可在网络720上经由系统网络接口装置708进一步发送或接收。

尽管在示例性实施方式中将机器可访问存储介质731图示为单个介质，术语“机器可读存储介质”应当被认为包括存储一个或多个指令集的单个介质或多个介质(例如，集中式或分布式数据库，和/或相关联的高速缓存(cache)和服务器)。术语“机器可读存储介质”亦应被认为包括能够存储或编码用于由机器执行的指令集并且致使机器执行任何一种或多种方法的任何介质。术语“机器可读存储介质”由此应被认为包括但不限于固态存储器、以及光学介质和磁性介质。

在以上说明书中，已经描述了具体的示例性实施方式。将显而易见的是，在不背离以下权利要求范围的情况下，可对其进行各种修改。由此，说明书和附图被认为是以说明性意义而非限制性意义。