1.一种环，包括：
主体，包括：
顶部表面；
底部表面，所述底部表面平行于所述顶部表面；
倾斜表面，所述倾斜表面将所述顶部表面连接至所述底部表面，所述倾斜表面和所述底部表面形成在约20度至约80度的范围内的角度；
外边缘，所述外边缘将所述顶部表面连接至所述底部表面；以及
内边缘，通过所述倾斜表面和所述底部表面的连接限定所述内边缘，所述内边缘具有在约12.08英寸至约12.18英寸的范围内的直径。
2.如权利要求1所述的环，其特征在于，所述环由陶瓷材料制成。
3.如权利要求1所述的环，其特征在于，所述角度在约40度至约70度的范围内。
4.如权利要求1所述的环，其特征在于，所述角度在约55度至约65度的范围内。
5.一种用于在基板上形成层的处理腔室，包括：
腔室主体；
盖，所述盖设置在所述腔室主体上；
基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述腔室主体中；以及
边缘环，所述边缘环设置在所述基板支撑件上，所述边缘环包括：
主体，包括：
外边缘；以及
内边缘，所述内边缘的直径比所述基板的直径大约0.28英寸至约0.38英寸。
6.如权利要求5所述的处理腔室，其特征在于，所述内边缘的直径在约12.08英寸至约12.18英寸的范围内。
7.如权利要求5所述的处理腔室，其特征在于，所述内边缘的直径是所述基板的直径的约102.4％至约103.2％。
8.如权利要求5所述的处理腔室，其特征在于，所述边缘环由陶瓷材料制成。
9.如权利要求5所述的处理腔室，其特征在于，所述边缘环进一步包括：
顶部表面；
底部表面，所述底部表面平行于所述顶部表面；以及
倾斜表面，所述倾斜表面将所述顶部表面连接至所述底部表面。
10.如权利要求9所述的处理腔室，其特征在于，所述内边缘由所述倾斜表面和所述底部表面的连接限定。
11.一种方法，包括：
将基板放入处理腔室中，所述基板由边缘环围绕，所述基板和所述边缘环的内边缘之间的距离在约0.14英寸至约0.19英寸的范围内；以及
在所述基板上形成介电层，所述介电层具有大于约两微米的厚度。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述基板包括层的堆叠，并且所述介电层形成在所述层的堆叠上。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述层的堆叠包括多个交替的氧化物层和氮化物层。
14.如权利要求13所述的方法，进一步包括：在所述介电层上形成并图案化光刻胶。
15.如权利要求14所述的方法，进一步包括：在所述层的堆叠中形成一个或多个开口。