1.一种用于改善氧化硅沉积厚度波动的管式pecvd装置，其特征在于，包括：
沉积炉管(11)，其内部中空并在两端敞开以形成位于其内部的沉积反应室；
石墨舟托架(16)，其设于所述沉积反应室中；
石墨舟(17)，其被送入沉积反应室后由所述石墨舟托架(16)所承托；以及
设于所述沉积反应室顶部的笑气喷淋管(14)，
其中，所述笑气喷淋管(14)的一端敞开以形成注气口，所述笑气喷淋管(14)中设有从所述注气口出发沿着笑气喷淋管(14)的长度方向延伸的气路(141)，所述笑气喷淋管(14)的侧面开设有若干个沿其长度方向布置的喷淋孔(142)，所述喷淋孔(142)连通所述笑气喷淋管(14)的内外。
2.如权利要求1所述的用于改善氧化硅沉积厚度波动的管式pecvd装置，其特征在于，所述喷淋孔(142)为偶数个，同一横截面上的两两喷淋孔(142)间成角度地间隔开以扩大喷淋孔(142)的喷淋面积；所述喷淋孔的口径在远离所述注气口的方向上依次递增。
3.如权利要求2所述的用于改善氧化硅沉积厚度波动的管式pecvd装置，其特征在于，所述喷淋孔(142)从所述笑气喷淋管(14)的内侧出发斜向下延伸，以使得同一横截面上的两两喷淋孔(142)间形成夹角γ。
4.如权利要求3所述的用于改善氧化硅沉积厚度波动的管式pecvd装置，其特征在于，所述夹角γ的角度大小为100°～120°。
5.如权利要求1所述的用于改善氧化硅沉积厚度波动的管式pecvd装置，其特征在于，所述沉积炉管(11)的两端敞口处分别连接有炉管法兰(12)与炉门(13)以将所述沉积炉管(11)的两端敞口进行封闭，所述笑气喷淋管(14)穿过炉管法兰(2)后延伸至沉积炉管(11)的内部，所述注气口外露于所述炉管法兰(2)的外侧。
6.如权利要求5所述的用于改善氧化硅沉积厚度波动的管式pecvd装置，其特征在于，所述笑气喷淋管(14)与所述炉管法兰(12)之间设有套设于所述笑气喷淋管(14)上的喷淋管密封圈(15)，所述喷淋管密封圈(15)适用于在周向上被压缩和解压，从而形成在炉管法兰(12)与笑气喷淋管(14)周向相对的表面之间的密封结合。
7.如权利要求6所述的用于改善氧化硅沉积厚度波动的管式pecvd装置，其特征在于，所述喷淋管密封圈(15)包括：
第一密封环(251)，所述第一密封环(251)的其中一端面上一体式地形成有从该端面的内周沿径向向内延伸的第一密封唇(153)；以及
第二密封环(252)，其一端面与所述第一密封环(251)的另一端面一体式相接，所述第二密封环(252)的另一端敞口以形成密封口(154)；
其中，所述第一密封唇(153)开设有安装孔(1531)，所述喷淋管密封圈(15)通过该安装孔(1531)套设于笑气喷淋管(14)之上；所述第二密封环(252)的径向尺寸在远离第一密封环(251)的方向上呈渐扩之势。
8.如权利要求7所述的用于改善氧化硅沉积厚度波动的管式pecvd装置，其特征在于，所述密封口(154)处一体式地形成有从密封口(154)的外周沿径向向外延伸的第二密封唇(1541)。
9.如权利要求5所述的用于改善氧化硅沉积厚度波动的管式pecvd装置，其特征在于，所述炉管法兰(12)及炉门(13)上分别设有通往所述沉积反应室的进气管(121)与出气管(131)。
10.如权利要求1所述的用于改善氧化硅沉积厚度波动的管式pecvd装置，其特征在于，所述笑气喷淋管(14)由低温钢、碳钢镀锌、不锈钢、铭钼钢中的任意一种材料制成。