真空磁控镀膜生产线及其镀膜方法与流程

1.本发明涉及真空镀膜领域，尤其涉及一种真空磁控镀膜方法。


背景技术：

2.磁控溅射的工作原理是指电子在电场e的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜。镀膜通常在镀膜机内完成，为了提高镀膜机的利用率，提高生产效率，镀膜机一般为流水线作业模式，即待镀膜的基片在所述流水线上运行。然而，流水线形式的镀膜机的长度较长，在基片流转时，如若在产生颠簸的现象容易导致镀膜效果不佳甚至镀膜失败的现象发生。


技术实现要素：

3.本发明的主要目的是提供一种真空磁控镀膜生产线及其镀膜方法，旨在解决上述技术问题。
4.为实现上述目的，本发明提出的一种真空磁控镀膜生产线包括依次连通的进口室、进口缓冲室、进口过渡室、ar层镀膜室、ito层镀膜室、出口过渡室、出口缓冲室以及出片室，形成连通的直线通道，所述真空磁控镀膜生产线还包括基片传送机构以及溅射阴极，所述ar层镀膜室、ito层镀膜室内均设有所述溅射阴极，所述基片传送机构用于将待镀膜的基片在所述直线通道内进行传送，所述基片传送机构包括多个依次布置在所述直线通道内的基片框架，相邻所述基片框架之间设有连接结构以使多个所述基片框架的表面位于同一平面上。
5.在一实施例中，所述基片传送机构还包括基片架、多个磁导向和多个内传动轮，多个磁导向和多个内传动轮均匀间隔布置在所述进口室、进口缓冲室、进口过渡室、ar层镀膜室、ito层镀膜室、出口过渡室、出口缓冲室以及出片室，所述磁导向位于所述内传动轮上方，装载基片的所述基片架位于多个所述磁导向和多个所述内传动轮之间、沿着所述直线通道运行。
6.在一实施例中，所述基片架垂直于水平面，基片架上端和磁导向非接触磁性连接，下端滑设在多个内传动轮上。
7.在一实施例中，所述连接结构包括设置在所述基片框架左侧的上搭接板以及设置在所述基片框架右侧的下搭接板，所述基片框架的上搭接板和下搭接板分别搭接在相邻的两个所述基片框架的下搭接板和上搭接板上。
8.在一实施例中，所述基片架上设置有u型固定支架，所述固定支架上设置有光电发射端以及光电接收端。
9.在一实施例中，沿基片的传动方向和沿垂直于所述基片的穿动方向均设置有若干可独立调整加热功率的加热单元。
10.在一实施例中，所述真空磁控镀膜生产线还包括抽真空机构，所述抽真空机构包括多个分子泵，进口缓冲室、进口过渡室、ar层镀膜室、ito层镀膜室、出口过渡室、出口缓冲室上各设有一分子泵。
11.另外，本发明还提供一种真空磁控镀膜方法，所述真空磁控镀膜方法基于如上所述的真空磁控镀膜生产线，所述镀膜方法包括：
12.对基片架进行预热处理；
13.溅射阴极进行烧靶；
14.基片依次经过进口室、进口缓冲室、进口过渡室、ar层镀膜室、ito层镀膜室、出口过渡室、出口缓冲室以及出片室，在ar层镀膜室内和ito层镀膜室内完成镀膜。
15.在一实施例中，所述对基片架进行预热处理中的预热温度范围为120℃～150℃。
16.在一实施例中，所述溅射阴极进行烧靶的步骤包括：
17.在氩气环境下烧靶2h后通入氧气再次进行烧靶。
18.本发明的技术方案中，真空磁控镀膜方法包括依次连通的进口室、进口缓冲室、进口过渡室、ar层镀膜室、ito层镀膜室、出口过渡室、出口缓冲室以及出片室，形成连通的直线通道，所述真空磁控镀膜生产线还包括基片传送机构以及溅射阴极，所述ar层镀膜室、ito层镀膜室内均设有所述溅射阴极，所述基片传送机构用于将待镀膜的基片在所述直线通道内进行传送，所述基片传送机构包括多个依次布置在所述直线通道内的基片框架，相邻所述基片框架之间设有连接结构以使多个所述基片框架的表面位于同一平面上。因此在本技术方案中，通过设置连接结构令多个基片框架的表面位于同一平面上，基片能够十分平稳地流经各室，以确保不会出现基片抖动的现象。
附图说明
19.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
20.图1为本发明实施例的真空磁控镀膜生产线的结构示意图；
21.图2为本发明实施例的基片框架的结构示意图；
22.图3为本发明实施例的u型固定支架的结构示意图。
23.附图标号说明：10、进口室；20、进口缓冲室；30、进口过渡室；40、ar层镀膜室；50、ito层镀膜室；60、出口过渡室；70、出口缓冲室；80、出片室；90、基片框架；91、上搭接板；92、下搭接板；100、基片架；110、u型固定支架；120、光电发射端；130、光电接收端。
24.本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
25.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
26.需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
27.另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
28.并且，本发明各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
29.本发明提供一种真空磁控镀膜生产线。
30.如图1-2所示，本发明实施例提供的真空磁控镀膜生产线包括依次连通的进口室10、进口缓冲室20、进口过渡室30、ar层镀膜室40、ito层镀膜室50、出口过渡室60、出口缓冲室70以及出片室80，形成连通的直线通道，所述真空磁控镀膜生产线还包括基片传送机构以及溅射阴极，所述ar层镀膜室40、ito层镀膜室50内均设有所述溅射阴极，所述基片传送机构用于将待镀膜的基片在所述直线通道内进行传送，所述基片传送机构包括多个依次布置在所述直线通道内的基片框架90，相邻所述基片框架90之间设有连接结构以使多个所述基片框架90的表面位于同一平面上。
31.在本实施例中，真空磁控镀膜方法包括依次连通的进口室10、进口缓冲室20、进口过渡室30、ar层镀膜室40、ito层镀膜室50、出口过渡室60、出口缓冲室70以及出片室80，形成连通的直线通道，所述真空磁控镀膜生产线还包括基片传送机构以及溅射阴极，所述ar层镀膜室40、ito层镀膜室50内均设有所述溅射阴极，所述基片传送机构用于将待镀膜的基片在所述直线通道内进行传送，所述基片传送机构包括多个依次布置在所述直线通道内的基片框架90，相邻所述基片框架90之间设有连接结构以使多个所述基片框架90的表面位于同一平面上。因此在本技术方案中，通过设置连接结构令多个基片框架90的表面位于同一平面上，基片能够十分平稳地流经各室，以确保不会出现基片抖动的现象。
32.其中，在玻璃基板上镀膜ar层，使其与普通玻璃相比具有较低的反射比，使光的反射率降低到1％以下，普通玻璃在可见光范围内,它的单侧反射率约为4％。进一步地在ar层上镀膜ito薄膜，令玻璃基板具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。
33.其中，所述基片传送机构还包括基片架100、多个磁导向和多个内传动轮，多个磁导向和多个内传动轮均匀间隔布置在所述进口室10、进口缓冲室20、进口过渡室30、ar层镀膜室40、ito层镀膜室50、出口过渡室60、出口缓冲室70以及出片室80，所述磁导向位于所述内传动轮上方，装载基片的所述基片架100位于所述磁导向和所述内传动轮之间、沿着所述直线通道运行。所述基片架100垂直于水平面，基片架100上端与其两侧的磁导向的极性相同或相异，使其悬空保持平衡，下端置于内传动轮上的卡槽内，由内传动轮提供驱动的摩擦力。
34.请参考图2，所述连接结构包括设置在所述基片框架90左侧的上搭接板91以及设置在所述基片框架90右侧的下搭接板92，所述基片框架90的上搭接板91和下搭接板92分别
搭接在相邻的两个所述基片框架90的下搭接板92和上搭接板91上。在本实施例中，可通过上搭接板91和下搭接板92的彼此搭接，来将多个基片框架90进行连接，并且通过保持多个基片框架90的上表面位于同一平面上，在基片架100带动基片运转时，确保不会出现基片抖动的现象
35.进一步地，请参考图3，所述基片架100上设置有u型固定支架110，所述固定支架上设置有光电发射端120以及光电接收端130。在本实施例中，光电发射端120和光电接收端130用于检测基片架100在传动方向上的位置，以监控基片架100的位置。
36.在一实施例中，沿基片的传动方向和沿垂直于所述基片的传方向均设置有若干可独立调整加热功率的加热单元。保证了基片传动方向(横向)以及垂直于传动方向(纵向)的温度均匀性。
37.在一实施例中，所述真空磁控镀膜生产线还包括抽真空机构，所述抽真空机构包括多个分子泵，进口缓冲室20、进口过渡室30、ar层镀膜室40、ito层镀膜室50、出口过渡室60、出口缓冲室70上各设有若干分子泵。
38.进一步地，本发明还提供一种真空磁控镀膜方法，所述真空磁控镀膜方法基于如上所述的真空磁控镀膜生产线，所述镀膜方法包括：
39.对基片架100进行预热处理；
40.溅射阴极进行烧靶；
41.基片依次经过进口室10、进口缓冲室20、进口过渡室30、ar层镀膜室40、ito层镀膜室50、出口过渡室60、出口缓冲室70以及出片室80，在ar层镀膜室40内和ito层镀膜室50内完成镀膜。
42.在一实施例中，所述对基片架100进行预热处理中的预热温度范围为120℃～150℃。
43.在一实施例中，所述溅射阴极进行烧靶的步骤包括：
44.在氩气环境下烧靶2h后通入氧气再次进行烧靶。在本实施例中，可以通过设置主气体通道以及多个辅助气体通道，辅助气体的通道沿着溅射阴极的长度方向分成若干段，从而可以单独控制每个阴极的每段辅助气体的流量，而在整个基片的幅宽上得到厚度均匀一致的膜层。
45.以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。