1.一种涂覆制品，包括涂覆表面，该涂覆表面由基材和涂层体系组成，该涂层体系包括至少一个保护层，该保护层由一种或多种过渡金属硼化物和一种掺杂剂元素组成，其特征是，
2.根据权利要求1所述的涂覆制品，其特征是，q高于0.1。
3.根据权利要求2所述的涂覆制品，其特征是，q高于0.2。
4.根据权利要求3所述的涂覆制品，其特征是，q高于0.3。
5.根据前述权利要求1至4之一所述的涂覆制品，其特征是，该保护层作为该涂层体系的最外层布置。
6.根据前述权利要求1至4之一所述的涂覆制品，其特征是，该涂层体系包括作为该涂层体系的最外层形成的氧化物层，该氧化物层包含硅和氧或者由硅和氧构成、优选包含二氧化硅si o2。
7.根据权利要求6所述的涂覆制品，其特征是，该保护层直接布置在该氧化物层的下方。
8.根据前述权利要求6至7之一所述的涂覆制品，其特征是，该氧化物层的厚度在50nm至5000nm的范围内。
9.根据前述权利要求6至8之一所述的涂覆制品，其特征是，该保护层展现出单独的结晶硅相，这在该保护层的xrd光谱中在28.44°和/或47.3°的2θ角处可见。
10.根据前述权利要求1至9之一所述的涂覆制品，其特征是，该保护层的氧化动力学在1100℃温度情况下是在10-9kg2m-4s-1至最高10-13kg2m-4s-1的范围内的。
11.根据前述权利要求1至10之一所述的涂覆制品，其特征是，该基材包含或者是由一种或多种选自以下组的材料组成，该组由钢、硬质合金、铬镍铁合金、哈氏合金、瓦斯帕洛依镍基高温合金、超合金、含钛材料、氧化物、氧化物-氧化物陶瓷、含碳化硅材料、碳基材料、钇稳定化氧化锆组成。
12.一种用于制造根据前述权利要求1至11之一所述的涂覆制品的方法，其特征是，该至少一个保护层通过使用涂覆工艺来形成。
13.一种用于制造根据前述权利要求6至12之一所述的涂覆制品的方法，其特征是，
14.根据权利要求12或13所述的方法，其特征是，按如下方式进行该涂覆工艺：
15.根据权利要求14所述的方法，其特征是，如此进行该涂覆工艺，即，一个或多个包含硅的靶被用作涂覆源材料以在涂覆工艺期间提供在氧化阻隔涂层中的期望硅浓度，该涂覆工艺是通过使用优选是电弧pvd技术或溅射pvd技术如磁控溅射或高功率脉冲磁控溅射(hipims)类型的物理气相沉积(pvd)技术来进行的。
16.根据权利要求14所述的方法，其特征是，如此进行该涂覆工艺，即，一种或多种含硅的气流被用作涂覆源材料以在涂覆工艺期间提供在氧化阻隔层中的期望硅浓度，该涂覆工艺是通过使用优选是电弧pvd技术或溅射pvd技术如磁控溅射或高功率脉冲磁控溅射(h ipi ms)类型的物理气相沉积(pvd)技术来进行的。