1.一种提高溅射镀膜稳定性的方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的提高溅射镀膜稳定性的方法，其特征在于，所述将基片向靶材移动d为通过顶升结构实现，将基片放置在基片台的一面，然后在基片台的另一面设置顶升结构，得到依次为基片、基片台、顶升结构的第一结构，所述顶升结构可移动基片台。
3.根据权利要求2所述的提高溅射镀膜稳定性的方法，其特征在于，所述靶材绑定连接在靶材背板上，得到第二结构。
4.根据权利要求3所述的提高溅射镀膜稳定性的方法，其特征在于，所述第一结构和第二结构均位于溅射镀膜腔室中，所述第二结构位于溅射镀膜腔室的上方，所述第一结构位于溅射镀膜腔室的下方，所述溅射镀膜腔室中由上到下依次包括靶材背板、靶材、基片、基片台、顶升结构。
5.根据权利要求1所述的提高溅射镀膜稳定性的方法，其特征在于，所述溅射镀膜包括磁控溅射和/或激光溅射。
6.根据权利要求1所述的提高溅射镀膜稳定性的方法，其特征在于，所述h为100-120mm。
7.根据权利要求1所述的提高溅射镀膜稳定性的方法，其特征在于，所述d为0.5-1.5mm。
8.根据权利要求1所述的提高溅射镀膜稳定性的方法，其特征在于，所述靶材初始厚度为5-25mm。
9.根据权利要求1所述的提高溅射镀膜稳定性的方法，其特征在于，所述靶材极限使用寿命为4000-20000kw·h。
10.权利要求1-9任一项所述提高溅射镀膜稳定性的方法在半导体领域中的应用。