一种半导体晶圆研磨装置的制作方法

本发明涉及半导体，尤其涉及一种半导体晶圆研磨装置。

背景技术：

1、晶圆是制造半导体集成电路用的硅晶片，在进行半导体晶圆的制造过程中，需要对半导体晶圆进行切割打磨抛光等工艺，使半导体晶圆符合使用要求。

2、如公开号为：cn220145462u的一种半导体晶圆研磨装置，通过高度调节机构调节研磨机构的高度，并对装设于旋转工位盘上的晶圆进行接触式和覆盖式的打磨，保证了打磨后晶圆表面平整度及晶圆的厚度更加均匀，且打磨精度更高，且旋转工位盘的设计能实现不停机打磨，保证了打磨的连续性，提高了晶圆打磨的效率，但是在实际使用过程中，发现采用负压吸附晶圆的方式对晶圆进行固定研磨，晶圆打磨的位置会因打磨产生的力度发生偏移，造成打磨效果降低，其次对于打磨过程中晶圆打磨厚度没有参照物，无法时刻准确保证打磨厚度的变化。

3、因此，本领域技术人员就提出了一种半导体晶圆研磨装置，解决研磨时，晶圆位置发生变化和打磨厚度没有参照物的问题。

技术实现思路

1、鉴于现有技术中存在的上述问题，本发明的主要目的在于提供一种半导体晶圆研磨装置。

2、本发明的技术方案是这样的：一种半导体晶圆研磨装置，包括箱体，所述箱体上表面固定设有支撑框架，所述支撑框架上设有移动机构，所述箱体上表面一侧固定设有水箱，所述水箱上方固定设有气泵箱，所述箱体的上表面开设若干过滤孔，所述支撑框架上与水箱所对应的边上设有校准结构，所述箱体上表面设有承载机构，所述箱体一侧设有控制台，所述控制台上设有控制面板，所述箱体内部底面上固定设有旋转电机，所述旋转电机的输出端固定连接负压箱体，所述负压箱体上方固定连接承载机构，所述箱体内部，位于箱体的上表面下方设有过滤箱，所述过滤箱的一端设有管道，所述管道贯穿至水箱内部；

3、所述承载机构包括限位盘，所述限位盘下方设有承载台，所述承载台内部设有微调伸缩结构，所述承载台中心位置设有负压贯穿孔；

4、所述微调伸缩结构包括移动柱，所述移动柱在承载台内部移动，所述移动柱顶端设有凹槽，所述凹槽内设有填充柱，所述移动柱一侧啮合连接主动轮，所述主动轮对应的移动柱一侧设有从动轮，所述主动轮和从动轮转动连接承载台，所述主动轮中心固定连接转动空心管，所述转动空心管远离主动轮的一端设有旋转把手，所述旋转把手中心处转动连接限位杆，所述限位杆穿过转动空心管，所述限位杆远离旋转把手的一端上固定连接强磁铁，所述强磁铁的一面固定设有弹簧，所述承载台内部设有与限位杆对应的限位槽，所述弹簧远离强磁铁的一端固定连接在限位槽内部底面上。

5、作为一种优选的实施方式，所述限位盘通过填充柱固定连接在移动柱上，所述限位盘中心设有晶圆放置孔，所述限位盘设有多种规格，所述移动柱上设有环形齿，所述移动柱外表面设有刻度。

6、作为一种优选的实施方式，所述负压箱体包括圆柱筒，所述圆柱筒内部低端固定连接承载柱，所述承载柱底面上固定连接旋转电机的输出端，所述承载柱上方固定连接负压泵，所述负压泵的吸入口固定设有漏斗收口，所述漏斗收口上水平面与圆柱筒齐平，所述圆柱筒和漏斗收口上方固定连接承载台底面。

7、作为一种优选的实施方式，所述校准结构包括电磁滑轨，所述电磁滑轨上滑动连接滑块，所述滑块之间固定设有激光水平仪。

8、作为一种优选的实施方式，所述水箱内部设有潜水泵，所述潜水泵通过韧性管道连接喷头，所述水箱上设有水位柱，所述气泵箱内部设有气泵，所述气泵通过韧性管道连接气体喷头。

9、作为一种优选的实施方式，所述过滤箱分为左右两个箱体，箱体之间连通，所述过滤箱内部底板呈倾斜放置，所述过滤箱内部设有潜水泵，所述潜水泵的输出口通过管道连接水箱内部，所述管道高度为水箱的三分之二。

10、作为一种优选的实施方式，所述移动机构包括丝杆电机，所述丝杆电机固定连接在支撑框架一侧，所述丝杆电机的输出端贯穿支撑框架固定连接往复丝杆，所述往复丝杆远离丝杆电机的一端转动连接支撑框架，所述往复丝杆一侧，位于支撑框架之间固定设有限位杆，所述往复丝杆和限位杆上设有移动座，所述移动座的底面上固定设有电动伸缩杆，所述电动伸缩杆的输出端销连接打磨头。

11、与现有技术相比，本发明的优点和积极效果在于，通过微调伸缩结构和限位盘配合，不仅可以利用负压吸附对晶圆进行固定，而且可以对不同厚度的晶圆边缘位置进行限制，保证在研磨过程中，晶圆位置不会发生改变，其次设有的校准结构，通过激光水平仪对晶圆需要研磨的高度时刻进行标记，便于晶圆研磨厚度控制。

技术特征：

1.一种半导体晶圆研磨装置，包括箱体(1)，其特征在于：所述箱体(1)上表面固定设有支撑框架(2)，所述支撑框架(2)上设有移动机构(3)，所述箱体(1)上表面一侧固定设有水箱(4)，所述水箱(4)上方固定设有气泵箱(5)，所述箱体(1)的上表面开设若干过滤孔(6)，所述支撑框架(2)上与水箱(4)所对应的边上设有校准结构(7)，所述箱体(1)上表面设有承载机构(8)，所述箱体(1)一侧设有控制台，所述控制台上设有控制面板(9)，所述箱体(1)内部底面上固定设有旋转电机(10)，所述旋转电机(10)的输出端固定连接负压箱体(11)，所述负压箱体(11)上方固定连接承载机构(8)，所述箱体(1)内部，位于箱体(1)的上表面下方设有过滤箱(12)，所述过滤箱(12)的一端设有管道(13)，所述管道(13)贯穿至水箱(4)内部；

2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆研磨装置，其特征在于：所述限位盘(81)通过填充柱(832)固定连接在移动柱(831)上，所述限位盘(81)中心设有晶圆放置孔，所述限位盘(81)设有多种规格，所述移动柱(831)上设有环形齿，所述移动柱(831)外表面设有刻度。

3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆研磨装置，其特征在于：所述负压箱体(11)包括圆柱筒(111)，所述圆柱筒(111)内部低端固定连接承载柱(112)，所述承载柱(112)底面上固定连接旋转电机(10)的输出端，所述承载柱(112)上方固定连接负压泵(113)，所述负压泵(113)的吸入口固定设有漏斗收口(114)，所述漏斗收口(114)上水平面与圆柱筒(111)齐平，所述圆柱筒(111)和漏斗收口(114)上方固定连接承载台(82)底面。

4.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆研磨装置，其特征在于：所述校准结构(7)包括电磁滑轨(71)，所述电磁滑轨(71)上滑动连接滑块(72)，所述滑块(72)之间固定设有激光水平仪(73)。

5.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆研磨装置，其特征在于：所述水箱(4)内部设有潜水泵，所述潜水泵通过韧性管道连接喷头，所述水箱(4)上设有水位柱，所述气泵箱(5)内部设有气泵，所述气泵通过韧性管道连接气体喷头。

6.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆研磨装置，其特征在于：所述过滤箱(12)分为左右两个箱体，箱体之间连通，所述过滤箱(12)内部底板呈倾斜放置，所述过滤箱(12)内部设有潜水泵，所述潜水泵的输出口通过管道(13)连接水箱(4)内部，所述管道(13)高度为水箱(4)的三分之二。

7.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆研磨装置，其特征在于：所述移动机构(3)包括丝杆电机，所述丝杆电机固定连接在支撑框架(2)一侧，所述丝杆电机的输出端贯穿支撑框架(2)固定连接往复丝杆(31)，所述往复丝杆(31)远离丝杆电机的一端转动连接支撑框架(2)，所述往复丝杆(31)一侧，位于支撑框架(2)之间固定设有限位杆(32)，所述往复丝杆(31)和限位杆(32)上设有移动座(33)，所述移动座(33)的底面上固定设有电动伸缩杆(34)，所述电动伸缩杆(34)的输出端销连接打磨头(35)。

技术总结
本发明涉及一种半导体晶圆研磨装置，包括箱体，所述箱体上表面固定设有支撑框架，所述支撑框架上设有移动机构，所述箱体上表面一侧固定设有水箱，所述水箱上方固定设有气泵箱，所述箱体的上表面开设若干过滤孔，所述支撑框架上与水箱所对应的边上设有校准结构，所述箱体上表面设有承载机构，所述箱体一侧设有控制台，所述控制台上设有控制面板，所述箱体内部底面上固定设有旋转电机；通过微调伸缩结构和限位盘配合，不仅可以利用负压吸附对晶圆进行固定，而且可以对不同厚度的晶圆边缘位置进行限制，保证在研磨过程中，晶圆位置不会发生改变，其次设有的校准结构，通过激光水平仪对晶圆需要研磨的高度时刻进行标记，便于晶圆研磨厚度控制。

技术研发人员：陈彬,彭冬冬
受保护的技术使用者：无锡迪渊特科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17