滤光片生产中用的掩膜的制作方法

文档序号:92365阅读:469来源:国知局
专利名称:滤光片生产中用的掩膜的制作方法
本发明是关于生产滤光片时用的掩膜,特别是关于用以固定安装在基片上的掩膜,该掩膜能使基片在蒸涂的过程中,所蒸涂的金属不会复盖到基片上欲切割开的部分。
在以热传感器作红外探测装置用的领域中,该热传感器的光接收表面上粘附有一多层干涉滤光片,作为仅允许透过持定波长的滤光片。由于该热传感器很小,因此滤光片也必须小至数平方毫米。生产如此小尺寸的滤光片一直是通过下述方法来完成的。首先,制造出具有较大直径(16毫米或20毫米)的滤光片。然后,用切割器切成小块。然而,不论切割装置如何,总会存在下述缺陷,即当切割滤光片时,蒸涂的金属会从滤光片的切口边缘剥落,结果使合格率降低。这样,上述方法并不适用于大批量生产。此外,由切割而剥落的部分涂层会对滤发片的特性产生有害影响。
为此,必须采用掩膜来遮蔽基片的切割部分,使在小尺寸的滤光片生产中,不致将金属蒸涂到基片的这一切割部分。
如图4所示,在蒸涂基片的过程中,当掩膜较厚而用作涂层的金属又是以斜方向进引喷涂时,在掩膜(1)上的孔(2)附近会形成一遮蔽区(4),以致在基片(4)上会产生一些未能蒸涂上的部份这类缺陷。
另一方面,若是为了消除上述缺陷而减小掩膜的厚度,则当在蒸涂过程中基片的温度达到200℃或更高时,由于存在掩膜因受热而弯曲的缺陷,结果会破坏基片和掩膜的粘接性。
本发明的目的即在于提供一种结构新颖的掩膜,借此,一举消除较厚掩膜和较薄掩膜两方面所产生的缺陷。
为了达到上述目的,在本发明所提出的掩膜上设有许多孔,而且这样的掩膜还可防止在蒸涂过程中有金属蒸涂到基片的切割部分上。这里的掩膜是固定装设在基片上,它使蒸涂的金属只能到达为掩膜的孔所暴露的基片部分,而本发明的特征即在于此掩膜上的孔之边缘已加工成较掩膜本身更薄的阶梯形。
图1表明了根据本发明的一个优选的实施例来生产滤光片的所用的掩膜的截面图。
图2是图1的平面图。
现参看图1和图2,掩膜(1)由一耐热金属板构成并带有许多小(2)……,小孔在掩膜上排列成行。掩膜(1)应具有适当厚度,以保证它可在200℃或更高的温度下不致弯曲。在本发明优选的实施例中,采用具有0.5毫米厚的金属板作为掩膜(1)。上述孔(2)的尺寸是根据拟生产的滤光片之尺寸而定的。在该实施例中,为了生产出可粘接到热传感器光接收表面上的滤光片,孔(2)的尺寸应取2至3平方毫米。孔(2)的边缘通过切削出一阶梯部份(3)而变得更薄一些。切削出的阶梯部份之宽度和厚度要选择得能达到如下所要求的程度,即使蒸涂的物质按最倾斜的方向喷镀也足以防止产生图4所示的那种遮蔽部份(A)。在该同一实施例中,所选定的阶梯(3)的宽度为从孔(2)的边缘算起宽1毫米,其厚度为0.2毫米。阶梯(3)可以用例如蚀刻的方法形成。
采用上述结构的掩膜(1)生产滤光片时,首先,将掩膜(1)按图3(a)所示的配位关系固定安装在基片(4)上;掩膜(1)和基片(4)这两者可用聚酰亚胺粘接胶带通过它们周边若干位置将其粘连。当掩膜(1)固定安装在基片(4)上后,再将此两者一同固定安装到支持体(5)上,如图3(b)和图3(c)所示,最后,将装好的组件装设到涂膜设备的球面载物盘上,使之在指定的位置上进行蒸涂。然后,交替地将折射率较高和较低的物质从蒸发源喷涂到待涂覆的面上。这时,由于带有孔(2)的掩膜(1)固定安装在基片(4)上,待蒸涂的物质就只能蒸涂到通过掩膜(1)上的孔(2)暴露出来的基片部份,也就是说,只能蒸涂到除了掩膜(1)上孔(2)以外的区域。此外,由于掩膜(1)上的孔(2)沿孔的周边加工出阶梯(3),故蒸涂的物质可以涂到孔(2)后面的基片的全部表面,而不会在孔(2)的周边形成遮蔽部分。至于蒸涂材料,可用锗作为高折射率的物质,而用硫化锌作为低折射率的物质。
在规定时间内完成交替地蒸涂过程后,基片的反面同样也需要蒸涂。这时,掩膜(1)固定安装在基片(4)反面的配合位置,然后,进引蒸涂,使蒸涂物质可涂到基片(4)两面的相同位置上。
在完成基片(4)两面的蒸涂后,将基片(4)从支持体(5)上取下,再从基片(4)上揭去掩膜(1)〔参见图3(d)〕。最后,将基片(4)沿拟进行切割的部位(9)进行切割,由于该部份并未涂上蒸涂物质(8)〔参见图3(e)〕,因此不存在蒸涂物质剥落的问题。
由于按照本发明生产滤光片时用的掩膜通过在其孔的边缘切出阶梯而使其变得较薄,所以,不会形成遮蔽区,因而,既使蒸涂物质按倾斜方向喷涂,也可蒸涂到所有孔后面的基片上。另外,由于孔的周边以外部分没有阶梯,因此具有必要的厚度,这样既使蒸涂过程中的温度较高,掩膜也不会弯曲,结果可获得掩膜同基片之间的牢固粘接。
图1表明了根据本发明的一个优选的实施例来生产滤光片所用掩膜的截面图;
图2为上述掩膜的平面图;
图3为采用所掩膜来生产滤光片的工艺流程图;
图4为掩膜厚度加大时产生缺陷的示意图(1)……掩膜;
(2)……孔;
(3)……阶梯;
(4)……基片;
权利要求
1.应用在滤光片生产中的一种掩膜,此种掩膜带有许多孔,能防止蒸涂的金属涂到基片的被切割部份,通过使用固定安装在基片上这种掩膜,就能使拟蒸涂的金属只能蒸涂到基片上为掩膜孔所暴露出的部份,该掩膜的特征在于已将其孔的边缘通过加工成阶梯形而变得较薄一些。
专利摘要
一种在滤光片生产中采用的带有许多孔的掩膜,它可以防止蒸涂的金属覆盖到基片的被切割部分而仅仅能覆盖到基片上为掩膜孔所暴露的部分。掩膜孔的边缘加工成薄的阶梯形,这样的结构能够消除所谓的遮蔽部分和避免掩膜的弯曲。
文档编号C23C14/04GK85104654SQ85104654
公开日1986年12月24日 申请日期1985年6月17日
发明者山岸丰, 石田正彦 申请人:株式会社堀场制作所导出引文BiBTeX, EndNote, RefMan
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