一种控制硅钢瓦楞缺陷的方法
【技术领域】
[0001]本发明硅钢生产技术领域，具体地来说为一种控制硅钢瓦楞缺陷的方法。
【背景技术】
[0002]薄板坯生产线生产中牌号无取向硅钢时表面会出现比较严重的瓦楞缺陷问题，通过炼钢过热度控制等方法无法控制和消除，用户使用过程中会出现叠片系数降低和电机性能不合等问题，造成用户无法正常使用。由于中牌号无取向硅钢硅含量高，在薄板坯生产线生产时，铸坯组织中柱状晶过于发达，热轧生产时无法完全破碎，形成沿轧制方向的带状组织，在冷轧后出现有严重手感的表面瓦楞缺陷。从金相组织分析，铸坯的低倍组织中接近100%为柱状晶组织，热轧板和冷轧板为粗大的带状组织，主要是薄板坯连铸机的铸坯冷却速度快，硅含量高时铸坯导热性差，在温度梯度作用下形成组大的柱状晶组织。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题在于提供一种控制硅钢瓦楞缺陷的方法，通过合金元素的控制，减少铸坯柱状晶组织百分比，改善柱状晶的组织状态，并通过热轧工艺的轧制，使铸坯柱状晶组织得到破碎，得到细化的热轧板组织，由于组织遗传性，冷轧后的产品瓦楞缺陷得到控制。
[0004]本发明是这样实现的，一种控制硅钢瓦楞缺陷的方法，采用如下顺序的工艺:铁水预处理、转炉冶炼、炉外精炼、薄板坯连铸、辊底式加热炉、控轧控冷、卷取、酸洗、单机架轧制、连续退火以及涂层，按照质量百分比含量，所制备的硅钢的化学成分为:S1:1.20%?1.75%,Mn:0.90%?1.10%,P ^ 0.035%,S:彡 0.0060%,Als:0.20%?0.30%，余量为Fe以及一些不可避免的杂质。
[0005]进一步优选的方案，按照质量百分比含量，所制备的硅钢的化学成分为:Si:
1.71%?1.75%，Mn:1.10%，P 彡 0.025%，S:彡 0.0060%,Als:0.20%?0.30%，余量为Fe以及一些不可避免的杂质。
[0006]在制备过程中进一步地，控轧控冷步骤中热轧粗轧两道次压下量范围:35?40mm，热轧粗轧第一道次压下率为:30%?35%，保证原始奥氏体晶粒的充分细化。
[0007]进一步地，控轧控冷步骤中精轧终轧温度在850°C ±15°C，在热轧组织中形成更多的形核点，累积更多的应变能量，使相变组织得到充分细化。
[0008]本发明与现有技术相比，有益效果在于:本发明通过添加合金元素，提高钢的导热性，同时扩大钢的奥氏体再结晶区，热轧过程中对钢的组织进行细化，减小带状组织对表面质量的影响，同时要求合金元素的添加不能影响硅钢本身的电磁性能。在生产过程中，通过Mn等合金元素的含量控制，结合热轧工艺的控制，解决了薄板坯生产中牌号无取向硅钢的瓦楞缺陷问题。通过西门子、白雪集团等公司的试验使用，叠装系数和电机性能均达到使用要求。本发明在不降低硅钢电磁性能的前提下，解决了薄板坯中牌号硅钢生产过程中的瓦楞缺陷问题，提高了产品的市场竞争力和附加值。
[0009]通过Mn等合金元素的添加，细化连铸坯的晶粒尺寸，减少铸坯中柱状晶组织百分比，改善柱状晶的组织状态，同时合金元素的添加可以扩大奥氏体再结晶区，在热轧过程中通过提高粗轧道次的压下量，充分利用奥氏体再结晶区控轧来细化晶粒，得到更加细化的奥氏体组织，使铸坯的柱状晶组织得到充分破碎。结合低的终轧温度控制，在热轧组织中形成更多的形核点，累积更多的应变能量，使相变组织得到进一步细化。
[0010]本发明通过合金元素的控制，减少铸坯柱状晶组织百分比，改善柱状晶的组织状态，并通过热轧工艺的轧制，使铸坯柱状晶组织得到破碎，得到细化的热轧板组织，由于组织遗传性，冷轧后的产品瓦楞缺陷得到控制。
【具体实施方式】
[0011]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0012]实施例1
[0013]一种控制硅钢瓦楞缺陷的方法，采用如下顺序的工艺:铁水预处理、转炉冶炼、炉外精炼、薄板坯连铸、辊底式加热炉、控轧控冷、卷取、酸洗、单机架轧制、连续退火以及涂层，按照质量百分比含量，所制备的硅钢的化学成分为:Si:1.71%, Mn:1.10%, P:0.025%, S:0.0030%, Als:0.30%，余量为Fe以及一些不可避免的杂质。
[0014]在制备过程中其他的步骤均采用常规的工艺但是在，控轧控冷步骤中热轧粗轧两道次压下量范围需要满足:35mm，热轧粗轧第一道次压下率为:30%，用于保证原始奥氏体晶粒的充分细化。
[0015]控轧控冷步骤中精轧终轧温度在850°C，在热轧组织中形成更多的形核点，累积更多的应变能量，使相变组织得到充分细化。
[0016]实施例2
[0017]一种控制硅钢瓦楞缺陷的方法，采用如下顺序的工艺:铁水预处理、转炉冶炼、炉外精炼、薄板坯连铸、辊底式加热炉、控轧控冷、卷取、酸洗、单机架轧制、连续退火以及涂层，按照质量百分比含量，所制备的硅钢的化学成分为:S1:1.75%, Mn:1.10%,P彡0.035%, S 0.0060%, Als:0.20%，余量为Fe以及一些不可避免的杂质。
[0018]在制备过程中，控轧控冷步骤中热轧粗轧两道次压下量范围:40mm，热轧粗轧第一道次压下率为:35%，保证原始奥氏体晶粒的充分细化。
[0019]控轧控冷步骤中精轧终轧温度在865°C，在热轧组织中形成更多的形核点，累积更多的应变能量，使相变组织得到充分细化。
[0020]上述的实施例中，通过合金元素比例的添加，细化连铸坯的晶粒尺寸，减少铸坯中柱状晶组织百分比，改善柱状晶的组织状态，同时合金元素的添加可以扩大奥氏体再结晶区，在热轧过程中通过提高粗轧道次的压下量，充分利用奥氏体再结晶区控轧来细化晶粒，得到更加细化的奥氏体组织，使铸坯的柱状晶组织得到充分破碎。结合低的终轧温度控制，在热轧组织中形成更多的形核点，累积更多的应变能量，使相变组织得到进一步细化。经检测，钢板的表面无瓦楞缺陷。
[0021]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种控制硅钢瓦楞缺陷的方法，其特征在于，采用如下顺序的工艺:铁水预处理、转炉冶炼、炉外精炼、薄板坯连铸、辊底式加热炉、控轧控冷、卷取、酸洗、单机架轧制、连续退火以及涂层，按照质量百分比含量，所制备的硅钢的化学成分为:Si:1.20%?1.75%, Mn:0.90%?1.10%, P 彡 0.035%, S:彡 0.0060%, Als:0.20%?0.30%，余量为 Fe 以及一些不可避免的杂质。
2.按照权利要求1所述的控制硅钢瓦楞缺陷的方法，其特征在于，按照质量百分比含量，所制备的硅钢的化学成分为:S1:1.71%?1.75%，Mn:1.10%，P彡0.025%，S:(0.0060%, Als:0.20%?0.30%，余量为Fe以及一些不可避免的杂质。
3.按照权利要求1所述的控制硅钢瓦楞缺陷的方法，其特征在于，控轧控冷步骤中热轧粗轧两道次压下量范围:35?40mm，热轧粗轧第一道次压下率为:30%?35%，保证原始奥氏体晶粒的充分细化。
4.按照权利要求1所述的控制硅钢瓦楞缺陷的方法，其特征在于，控轧控冷步骤中精轧终轧温度在850°C ±15°C，在热轧组织中形成更多的形核点，累积更多的应变能量，使相变组织得到充分细化。
【专利摘要】本发明硅钢生产技术领域，具体地来说为一种控制硅钢瓦楞缺陷的方法。通过添加合金元素，提高钢的导热性，同时扩大钢的奥氏体再结晶区，热轧过程中对钢的组织进行细化，减小带状组织对表面质量的影响，同时要求合金元素的添加不能影响硅钢本身的电磁性能。在生产过程中，通过Mn等合金元素的含量控制，结合热轧工艺的控制，解决了薄板坯生产中牌号无取向硅钢的瓦楞缺陷问题。
【IPC分类】C22C38-06, C21D8-12
【公开号】CN104878288
【申请号】CN201510267121
【发明人】李毅伟, 王溪刚, 李德君, 李明光, 乔浩浩
【申请人】本钢板材股份有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年5月22日