一种高强高导点焊电极用弥散强化铜基复合材料及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种高强高导点焊电极用弥散强化铜基复合材料，以及该铜基复合材料的制备方法，属于金属基复合材料技术领域。
【背景技术】
[0002]高强度高导电铜基复合材料是一类具有优良综合性能的新型功能材料，既具有优良的导电性，又具有高的强度和优越的高温性能。随着电子工业的发展，尤其是上世纪70年代末美国SCM公司开发了 Glidcop系列Al2O3弥散强化Cu复合材料以后，高强度高导电铜基复合材料在美国、日本等发达国家开发研究异常活跃，并已进入实用化阶段。而我国对这类材料的研究起步较晚，到上世纪80年代末90年代初进行了这类材料的研究，但尚未进入实用化阶段。纯铜和现有牌号的铜合金材料的耐磨性、导电性、强度及高温性能往往难以兼顾，不能全面满足航空、航天、微电子等高技术迅速发展对其综合性能的要求，如微电子器件点焊电极材料要求:硬度彡11OHBS,电导率彡85% IACS，抗高温软化温度彡923K。
[0003]弥散铜是一种具有高耐磨、高导电、高强度、高抗软化温度的优良电子结构功能材料，广泛应用于大功率电真空管、微电子器件管脚、集成电路引线框架、微波通信、电力输送等领域，在国防工业和电子信息产业具有广泛应用。
[0004]传统弥散铜的制造技术多采用粉末冶金法，其中以粉末内氧化粉末冶金法应用最为广泛，其常用技术流程为:合金熔炼一制粉一内氧化一还原一压制一烧结一热加工一冷加工。由于这种制造技术工艺流程复杂，造成材料质量控制困难，成本非常高，极大地限制了其推广应用。我国市场上的弥散铜大多为美国、日本公司产品，国产规模非常小，难以满足国防和社会发展需求。
[0005]弥散强化Al2O3-Cu复合材料，不仅强度高，导电性和纯铜相近，而且还具有良好的抗电弧烧蚀、抗电磨损能力及较高的常温强度和高温强度，是一种具有广阔应用前景的新型结构与功能材料。随着电子工业的发展，对这类高耐磨、高纯度、高导电复合、材料的需求越来越大。
[0006]弥散强化铜的发展主要是制备技术的发展。弥散强化铜制备技术的关键是如何获得超细强化微粒均匀分布在高导电的纯铜基体之上，以获得高弥散强化效果的高导电铜基复合材料。其制备技术主要发展经历了传统的粉末冶金法、改进的粉末冶金法和其它制备新技术。
[0007]弥散强化材料的强度不仅取决于基体和弥散相的本性、而且决定于弥散相的含量、粒度和分布、形态以及弥散相与基体的结合情况，同时也与制备工艺(例如加工方式，加工条件)有关。弥散强化材料因有低的延展性，需要加以重视和改进，但是弥散强化材料在性能上的优越性还是占主要的。
[0008]中国专利(申请号:201210361562.X)公开了一种颗粒增强铜-TiC高强度高导电率点焊电极的制备方法，包括以下步骤:(I)分别称取TiC、Cu20、Cu-Al三种粉末，混合后在30rpm转速下球磨12?16h ；TiC粉末的粒度小于10 μ m，用量为混合粉末总质量的5.7?19.22% ；Cu20粉末的粒度为200目，用量为Cu-Al合金粉末质量的2.5?5% ；Cu-Al合金粉末的粒度为200目，Cu-Al中铝含量不大于0.5wt%；(2)将球磨后的混合粉末装入石墨模具，在30MPa压力下预压5min ;(3)将步骤(2)中装有混合粉末并经过预压的模具整体置于真空热压烧结炉中，在烧结温度900?1000°C、真空度1.5X 10 2MPa、压制压强20?40MPa条件下热压烧结I?2h，然后撤去压力烧结I?4h，得到完全内氧化的弥散铜；(4)取步骤
(3)中弥散铜加工为所需尺寸的产品。该方法制备的弥散铜点焊电极具有高强度、高耐磨性、高导电性、高抗软化温度等特性，然而该电极的强度和导电性仍有待提高。
【发明内容】
[0009]本发明的目的是提供一种高强高导点焊电极用弥散强化铜基复合材料。
[0010]同时，本发明还提供一种上述弥散强化铜基复合材料的制备方法。
[0011 ] 为了实现以上目的，本发明所采用的技术方案是:
[0012]—种高强高导点焊电极用弥散强化铜基复合材料，由以下质量百分数的组分组成:TiC5?10%，In2O3I?5%，Al2O30.1?1%，余量为Cu。该复合材料可采用如【背景技术】中所述方法制备，不同之处仅在于步骤(I)中多添加了 In2O3粉末。
[0013]—种高强高导点焊电极用弥散强化铜基复合材料，由以下质量百分数的原料制成:TiC粉末5?10%、In2O3粉末I?5%、反应量的Cu2O粉末，余量为Cu-Al合金粉末，Cu-Al合金粉末中Al含量不大于0.5wt%。
[0014]所述TiC粉末的粒度为5?15 μ m，中位粒度为10 μ m。
[0015]所述In2O3粉末(活化剂)的粒度为0.5?3 μ m，中位粒度为I μ m。
[0016]所述Cu-Al合金粉末中Al含量优选为0.1?0.5wt%，相应的，原料中Cu2O粉末的质量百分数为0.5?4%。
[0017]所述Cu2O粉末的粒度为20?60 μ m，中位粒度为30 μ m，主要为内氧化提供氧源。
[0018]所述Cu-Al合金(低固溶度合金)粉末的粒度为200目。Cu-Al合金粉末可采用本领域常规的水雾法制备。
[0019]—种高强高导点焊电极用弥散强化铜基复合材料的制备方法，包括以下步骤:
[0020](I)按照质量百分数取各原料，将四种粉末混合球磨至粒度低于200目但不过400目；
[0021](2)将球磨后的混合粉末装入模具中进行真空热压烧结，烧结温度为960?1050°C，内氧化时间为I?3h，压制压强为35?55MPa，总加压时间为0.5?lh，得到弥散铜基复合材料。
[0022]步骤(I)中所述球磨可采用BXQM2L行星式球磨机，在35?45rpm转速下球磨1.5?3小时。
[0023]步骤(2)中混合粉末装入模具后，先进行预压，再进行真空热压烧结。预压的压强为50?lOOMPa，时间为10?20min。预压的目的是保证混合粉末完全压实。
[0024]步骤(2)中真空热压烧结采用2K-60-10真空热压炉，将装有混合粉末并经过预压的模具整体置于真空热压炉中进行真空热压烧结内氧化。
[0025]步骤⑵中真空热压烧结的真空度为10 2?10 4Pa0
[0026]步骤⑵中真空热压烧结的过程中有加压-卸压操作，总加压时间即几段压制时间的总和，其不包含预压的时间。
[0027]步骤(2)中得到弥散铜基复合材料后，加工变形即得点焊电极。所述加工变形为冷挤压变形、热挤压变形或乳制变形。对于形状复杂的微电子器件或点焊电极零部件，在满足尺寸要求的同时，通过冷变形可以进一步提高弥散铜的强度，并且由于纳米氧化铝颗粒和微粒碳化钛的弥散分布，可以将这种形变强化效果保留到较高温度。冷(热)挤压变形可采用一次挤压成形或多道次乳制成形。
[0028]本发明的有益效果:
[0029]本发明主要针对国防工业、电子信息产业、微电子行业对小尺寸整体弥散铜的需求，提供一种尚强尚导点焊电极用弥散铜基复合材料，其中TiC具有硬度尚、恪点尚、热稳定性好的特性，在金属铜中添加TiC颗粒(或纤维)，能提高铜的强度、耐磨性及耐高温性能；In2O3具有较小的电阻率和较高的催化活性。
[0030]采用本发明弥散铜复合材料制备的点焊电极具有高强度、高导电性、高耐磨性、高抗软化温度和高抗电弧烧蚀等特性，电导率在80% IACS以上，致密度高于98%，使用寿命比常规的铜合金点焊电极提高9?10倍，软化温度达到690°C以上，可用于大功率电真空管、微电子器件管脚、集成电路引线框架、微波通信、电力输送等领域，在国防工业和电子信息产业也具有广泛应用。
[0031 ] 本发明中弥散铜基复合材料的制备方法具有内氧化时间短、成本低、效率高的优点，适于大规模工业化生产。
【具体实施方式】
[0032]下述实施例仅对本发明作进一步详细说明，但不构成对本发明的任何限制。
[0033]实施例1
[0034]本实施例中高强高导点焊电极用弥散强化铜基复合材料，由以下质量百分数的组分组成=TiC 5%,活化剂 In2O3I %，Al2O30.1 %，余量为 Cu。
[0035]实施例2
[0036]本实施例中高强高导点焊电极用弥散强化铜基复合材料，由以下质量百分数的组分组成=TiC 8%，活化剂 In2032%，Al2O30.84%，余量为 Cu。
[0037]实施例3
[0038]本实施例中高强高导点焊电极用弥散强化铜基复合材料，由以下质量百分数的组分组成=TiC 10%，活化剂In2035%，Al2O3I %，余量为Cu。
[0039]实施例4
[0040]本实施例中高强高导点焊电极用弥散强化铜基复合材料，由以下质量百分数的原料制成=TiC粉末(粒度5 μ m) 8 %、活化剂In2O3粉末(粒度0.5 μ m) 2 %、Cu 20粉末(粒度30