溅射靶及层叠膜的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种在形成由铜或铜合金构成的化膜的保护膜时使用的瓣射祀、W 及具备通过该瓣射祀而成膜的保护膜的层叠膜。
[0002] 本申请基于2014年10月20日于日本申请的专利申请2014-213565号要求优先 权，并将其内容援用于此。
【背景技术】
[0003] W往，作为液晶和有机化面板等平板显示器、触控面板等的配线膜，A1被广泛使 用。最近实现了配线膜的微细化（宽度变窄）及薄膜化，并要求比W往的比电阻低的配线 膜。
[0004] 伴随着上述配线膜的微细化及薄膜化，提供一种使用比电阻低于A1的材料即铜 或铜合金的配线膜。
[0005] 在此，由比电阻较低的铜或铜合金构成的化配线膜存在着在具有湿度的气氛中 容易变色的问题。另外，在为了提高耐候性而使用含有添加元素较多的铜合金的情况下，将 导致比电阻上升。
[0006] 因此，例如在专利文献1中提出有在化配线膜上形成由Ni-化-(化，Ti)合金构成 的保护膜的层叠配线膜、W及用于形成该保护膜的瓣射祀。
[0007] 然而，在通过蚀刻由铜或铜合金构成的化配线膜而形成图形时，使用包含氯化铁 的蚀刻液。在此，如专利文献1所记载，在使用包含氯化铁的蚀刻液对具有由Ni-化-(化， Ti)合金构成的保护膜的层叠配线膜进行蚀刻的情况下，有时保护膜的一部分未溶解而作 为残渣而残留。由于配线之间有可能因该残渣而短路，因此作为配线膜而使用较为困难。并 且在保护膜中含有Cr的情况下，蚀刻后的废液中含有Cr，在废液处理时存在耗费成本的问 题。另外，在专利文献1所记载的保护膜中，由于大量含有35质量％ W上且84. 5质量％ W 下的比较昂贵的Ni，因此存在瓣射祀及层叠配线膜的制造成本增加的问题。
[0008] 于是，在专利文献2中，提出有一种化配线膜和保护膜对包含氯化铁的蚀刻液具 有相同的蚀刻性的层叠配线膜、W及用于形成该保护膜的瓣射祀。
[0009] 专利文献1 :日本特开2012-193444号公报
[0010] 专利文献2 :日本特开2014-114481号公报
[0011] 然而，最近在推进液晶和有机化面板等平板显示器、触控面板等的大型化，并推 进形成配线膜的玻璃基板的大型化（大面积化）。随之，在大面积基板上成膜时使用的瓣射 祀也成为大型化。
[0012] 在此，在对大型的瓣射祀投入较高的电力而实施瓣射时有可能产生祀的异常放 电。另外，所谓异常放电是与正常瓣射时相比有极高的电流突然急速流过，从而急速产生异 常大的放电的现象。
[0013] 并且，通过异常放电而有可能容易产生被称作"喷瓣"的现象。另外，所谓该喷瓣现 象是在祀表面的突起物和绝缘物蓄积瓣射中的电荷，且在所述突起物和绝缘物与祀表面、 腔室之间产生异常放电，从而祀的一部分烙融而产生的现象。在产生该喷瓣现象的情况下， 烙融的祀成为微粒而飞散并附着于基板上，从而使配线或电极之间短路，产生成品率大幅 降低的问题。
[0014] 在此，祀表面的晶粒根据其取向而瓣射速度不同，因此若瓣射时间较长，则有时在 祀表面沿晶界产生高低差。若祀表面的晶粒直径较粗，则上述高低差较大，与前面所述的突 起物一样，更容易产生电荷的蓄积，从而容易产生异常放电。尤其在祀表面局部产生较粗的 晶粒的情况下，由于局部产生高低差，因此异常放电的产生较为显著。
[0015] 并且，在大型的瓣射祀的情况下，与小型的瓣射祀相比容易产生晶粒直径的不均 匀，且更容易产生异常放电。
【发明内容】
[0016] 本发明是鉴于所述情况而完成的，其目的在于提供一种瓣射祀及层叠膜，该瓣射 祀能够成膜耐候性优异且具有良好的蚀刻性的保护膜并通过抑制异常放电的产生而能够 稳定地成膜保护膜，该层叠膜具备通过该瓣射祀而成膜的保护膜。
[0017] 为了解决上述课题，本发明人们经过进行深入的研究而得出W下研究结果：通过 对专利文献2所记载的组成进一步添加适量的化、Sn、訊元素而抑制晶粒的生长，从而能够 抑制晶粒直径的不均匀，并且对保护膜的蚀刻性和耐蚀性并不造成影响。
[0018] 本发明是基于W上研究结果而完成的，作为本发明的一种方式的瓣射祀为在化 膜的单面或两面成膜保护膜时使用的瓣射祀，其包含30质量％ W上且50质量％ ^下的化、 5质量％ W上且15质量％ W下的Ni、2质量％ W上且10质量％ W下的Μη,还包含共计0. 001 质量％ W上且0.2质量％ ^下的选自Fe、Sn、訊的一种或两种W上的元素，剩余部分由化 和不可避免杂质构成。
[0019] 在具有运种结构的本发明的瓣射祀中，由于包含共计0. 001质量％ W上且0. 2质 量％ W下的范围的选自化、Sn、訊的一种或两种W上的元素，因此能够将晶粒微细化，并且 能够抑制晶粒直径的不均匀。由此能够抑制瓣射时异常放电的产生。
[0020] 并且，由于包含30质量％ W上且50质量％ ^下的化、5质量％ W上且15质量％ W下的Ni、2质量％ W上且10质量％ W下的Μη,因此即使在使用耐候性高且包含氯化铁的 蚀刻液进行蚀刻的情况下，也能够成膜与化膜同样地被蚀刻的保护膜。
[0021] 在此，在本发明的一种方式的瓣射祀中，优选氧浓度为60质量ppm W下。
[0022] Fe、Sn、訊为与氧进行反应而容易生成氧化物的元素。运些氧化物由于导电性较 低，因此容易蓄积电荷，有可能成为异常放电的原因。因此通过将瓣射祀中的氧浓度限制在 60质量ppm W下而能够抑制氧化物的生成，并能够获得进一步抑制异常放电的效果。
[0023] 另外，在本发明的一种方式的瓣射祀中，优选碳浓度为50质量ppm W下。
[0024] 化为与碳进行反应而容易生成碳化物的元素。该碳化物为陶瓷的一种且为绝缘 物，因此容易蓄积电荷，有可能成为异常放电的原因。因此，尤其在含有化的情况下，通过 将瓣射祀中的碳浓度限制在50质量ppm W下而能够抑制碳化物的生成，并能够获得进一步 抑制异常放电的效果。
[0025] 本发明的一种方式的层叠膜为具备化膜、形成于该化膜的单面或两面的保护膜 的层叠膜，其中，所述保护膜使用上述瓣射祀而成膜。
[00%] 在具有运种结构的本发明的层叠膜中，由于具有通过上述组成的瓣射祀而成膜的 保护膜，因此耐候性提高，即使在大气中进行保管的情况下也能够抑制变色。
[0027] 并且，由于保护膜为由包含化、Ni、Mn的规定的化基合金构成，因此即使使用包含 氯化铁的蚀刻液进行蚀刻的情况下，也能够抑制产生未溶解的残渣。
[0028] 如W上所述，根据本发明能够提供一种能够成膜耐候性优异且具有良好的蚀刻性 的保护膜并通过抑制异常放电的产生而能够稳定地成膜保护膜的瓣射祀、W及具备通过该 瓣射祀而成膜的保护膜的层叠膜。
【附图说明】
[0029] 图1是本发明的一实施方式的层叠配线膜的剖面说明图。
[0030] 图2是表示在实施例中测定瓣射祀的晶粒直径的部位的说明图。
[0031] 图3是说明实施例中的蚀刻残渣的观察结果的照片。
[0032] 附图标记说明
[0033] 10-层叠配线膜（层叠膜），11-化配线膜（化膜），12-保护膜，13-玻璃基板， 14-残渣。
【具体实施方式】
[0034] W下，对本发明的一种实施方式的瓣射祀及层叠膜（层叠配线膜10)进行说明。
[0035] 本实施方式的层叠配线膜10例如用作液晶和有机化面板等平板显示器、触控面 板等的配线膜。并且本实施方式的瓣射祀在由铜或铜合金构成的化配线膜11上成膜保护 膜12而形成上述层叠配线膜10时被使用。
[0036] 接着，对本实施方式的瓣射祀进行说明。
[0037] 该瓣射祀具有如下组成：包含30质量％ W上且50质量％ ^下的化、5质量％ ^上 且15质量％ W下的Ni、2质量％ W上且10质量％ W下的Μη,还包含共计0. 001质量％ ^上 且0. 2质量％ W下的选自化、Sn、訊的一种或两种W上的元素，剩余部分由化和不可避免 杂质构成。
[0038] 并且，在本实施方式的瓣射祀中，也可W设为氧浓度为60质量ppm W下，碳浓度为 50质量ppm W下。
[0039] 另外，本实施方式的瓣射祀为大型的瓣射祀，祀表面的面积也可W设为0. 15m2W 上。
[0040] W下，对如上所述规定本实施方式的瓣射祀的组成的理由进行说明。 W41] 狂η :30质量上且50质量％^下）
[0042] 化为具有提高力学特性且改善加工性的作用效果的元素。通过含有化而能够良 好地进行瓣射祀的制造。
[00创在此，在化的含量小于30质量％的情况下，热加工性未充分提高，在进行热社时 有可能产生破裂。另一方面，在化的含量超过50质量％的情况下，冷加工性较差，在冷社 时有可能产生破裂。 阳044] 由于运种理由，将化的含量设定在30质量％ W上且50质量％ W下的范围内。另 夕F，为了进一步提高热加工性，优选将化