防止成膜热损伤的卷取式ito成膜装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种卷取式ΙΤ0成膜装置，尤其是一种可以防止成膜热损伤的卷取式ΙΤ0成膜装置。
【背景技术】
[0002]因为ΙΤ0薄膜具有良好的透明性与导电性，同时还具有良好的刻蚀性，因而被大量运用于平面液晶显示(IXD)，电致发光显示(ELD)，电致色彩显示(E⑶)等。随着近几年来，国内液晶显示器产业的大力发展，对ΙΤ0产品的需求量增大的同时，对产品的质量有了新的要求。现存的ΙΤ0薄膜生产工艺中，特别是在溅射成膜的时候，薄膜基材表面暴露在高能粒子和等离子体的环境下，带电粒子入射，大量的电流流动，造成电流热效应的热量很大。薄膜基材在被高温加热的情况下，薄膜基材会产生变形和褶皱等热损伤现象，造成ΙΤ0薄膜的成品率不稳定，其生产速度受限制，美观度不高等不良现象。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种可以防止成膜热损伤的卷取式ΙΤ0成膜装置。
[0004]为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案:
[0005]—种防止成膜热损伤的卷取式ΙΤ0成膜装置，包括密封腔体，以及设置于密封腔体内的放料辊、卷取辊、溅射主辊、靶材，所述放料辊及卷取辊分别位于密封腔体内两侧，所述溅射主辊处于放料辊与卷取辊之间的下方，所述溅射主辊内部为中空结构，内部设有冷却系统。
[0006]本实用新型进一步方案，所述冷却系统为水循环系统。
[0007]本实用新型进一步方案，所述卷取式ΙΤ0成膜装置还设有除静电装置，所述除静电装置处于卷取辊旁，并且该除静电装置生成的带电粒子射向卷取辊上的ΙΤ0薄膜。
[0008]本实用新型进一步方案，所述卷取式ΙΤ0成膜装置还设有放料导辊和收料导辊，所述放料导辊包括第一放料导辊和第二放料导辊，第一放料导辊处于放料辊及溅射主辊之间，并且位于放料辊的右下方，第二放料导辊在第一放料导辊下方；所述收料导辊包括第一收料导辊和第二收料导辊，第二收料导辊处于卷取辊左下方，第一收料导辊位于第二收料导辊和溅射主辊之间。
[0009]本实用新型进一步方案，所述卷取式ΙΤ0成膜装置还设有张力摆辊、展平辊，所述张力摆辊在第二放料导辊的左下方，所述展平辊在张力摆辊的左下方。
[0010]本实用新型进一步方案，所述放料辊上的基材按顺序经过第一放料导辊和第二放料导辊外侧，张力摆辊、展平辊内侧，溅射主辊，第一收料导辊内侧，第二收料导辊外侧后，到卷取棍收卷。
[0011]本实用新型进一步方案，所述溅射主辊和第一收料导辊与地线相连接。
[0012]本实用新型进一步方案，所述展平辊从中轴线开始往两边设有对称螺纹，该展平辊主要由丁晴橡胶添加静电液生成。
[0013]本实用新型进一步方案，所述靶材包括有第一靶材、第二靶材和第三靶材，第一靶材和第三靶材分别设于溅射主辊左右两边的密封腔体壁面上，第二靶材设于溅射主辊下方的密封腔体壁面上。
[0014]本实用新型与现有技术相比，有以下几个进步:(1)、溅射主辊内部增加水循环系统，带走基材在溅射过程中所产生的部分温度，降低热损伤或变形产生的机率，提高ΙΤ0薄膜的生产质量；(2)、溅射主辊、第一收料导辊做接地线处理，除掉部分电荷，减少产生热损伤的情况出现，提高ΙΤ0薄膜产品的优品率；(3)、增加除静电装置，经过除电步骤后，可有效减少成膜表面的电荷，避免开箱后因静电对人的电击和收卷后膜层之间形成的电晕纹，使ΙΤ0薄膜的生产更加安全，提高产品质量；(4)、增加张力摆辊和展平辊的联合使用，使基材与溅射主辊更好的接触，减少变形的产生，从而加快ΙΤ0的成膜速度。
[0015]为更清楚地阐述本实用新型的结构特征、技术手段及其所达到的具体目的和功能，下面结合附图与具体实施例来对本实用新型作进一步详细说明:
【附图说明】
[0016]图1是本实用新型之实施例的结构示意图；
[0017]附图标识说明:
[0018]1-第一放料导辊，2-第二放料导辊，3-第一收料导辊，4-第二收料导辊，5-第一靶材，6-第二革E材，7-第二革E材，8-放料棍，9-张力摆棍，10-展平棍，11-派射主棍，12-密封腔体，13-除静电装置，14-卷取辊，15-基材。
【具体实施方式】
[0019]如图1所示，一种防止成膜热损伤的卷取式ΙΤ0成膜装置，包括密封腔体12，以及设置于密封腔体12内的放料辊6、卷取辊14、溅射主辊11、靶材，所述放料辊8及卷取辊14分别位于密封腔体12内两侧，所述溅射主辊11处于放料辊8与卷取辊14之间的下方，所述溅射主辊11内部为中空结构，并且设有冷却系统，这样能有效的防止薄膜基材15因溅射所产生的电流热量而产生损伤，所述冷却系统是水循环系统。
[0020]该派射主棍11与地线相连接，带走部分电荷，减少基材15被击穿或发生裙皱等现象的发生。
[0021]所述卷取式ΙΤ0成膜装置还设有放料导辊和收料导辊，所述放料导辊包括第一放料导辊1和第二放料导辊2，第一放料导辊1处于放料辊8及溅射主辊11之间，并且位于放料辊8的右下方，第二放料导辊2位在第一放料导辊1下方；所述收料导辊包括第一收料导辊3和第二收料导辊4，第二收料导辊4处于卷取辊14左下方，第一收料导辊3位于第二收料导辊4和溅射主辊11之间。
[0022]所述卷取式ΙΤ0成膜装置还设有张力摆辊9、展平辊10，所述张力摆辊9在第二放料导辊2的左下方，所述展平辊10在张力摆辊9的左下方。张力摆辊9和展平辊10的联合使用使基材15与溅射主辊11更好的接触，减变形的产生。
[0023]所述展平辊10从中轴线开始往两边设有对称螺纹，该辊主要由丁晴橡胶添加静电液生成。
[0024]所述靶材包括有第一靶材5、第二靶材6和第三靶材7，第一靶材5和第三靶7材分别设于溅射主辊11左右两边的密封腔体12壁面上，第二靶材6设于溅射主辊11下方的密封腔体12壁面上。
[0025]所述卷取式ΙΤ0成膜装置还设有除静电装置13，所述除静电装置13位于卷取辊14旁，并且该除静电装置13生成的带电粒子射向ΙΤ0薄膜，利用异性电荷相吸原理，消除IT0薄膜上的电荷，达到除静电的效果。
[0026]除静电装置13的安装和第一收料导辊3的接地处理，可有效减少成膜表面的电荷，避免了开箱后因静电对人的电击和收卷后膜层之间形成的电晕纹。
[0027]在溅射过程中，通过辊的转动，放料辊8上的基材15按顺序经过第一放料导辊1和第二放料导辊2外侧，张力摆辊9、展平辊10内侧，溅射主辊11，第一收料导辊3内侧，第二收料导辊4外侧后，经除静电装置除静电后，到卷取辊14收卷。期间，基材15先后经过第一靶材5、第二靶材6和第三靶材7溅射。
[0028]以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，故凡是依据本实用新型的技术实际对以上实施例所作的任何修改、等同替换、改进等，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
【主权项】
1.一种防止成膜热损伤的卷取式ITO成膜装置，其特征在于:包括密封腔体，以及设置于密封腔体内的放料辊、卷取辊、溅射主辊、靶材，所述放料辊及卷取辊分别位于密封腔体内两侧，所述溅射主辊处于放料辊与卷取辊之间的下方，所述溅射主辊内部为中空结构，内部设有冷却系统。2.根据权利要求1所述防止成膜热损伤的卷取式ITO成膜装置，其特征在于:所述冷却系统为水循环系统。3.根据权利要求1所述防止成膜热损伤的卷取式ITO成膜装置，其特征在于:还包括有除静电装置，所述除静电装置设于卷取辊旁，并且该除静电装置生成的带电粒子射向卷取辊上的ITO薄膜。4.根据权利要求1所述防止成膜热损伤的卷取式ITO成膜装置，其特征在于:还包括有放料导辊和收料导辊，所述放料导辊包括第一放料导辊和第二放料导辊，第一放料导辊处于放料辊及溅射主辊之间，并且位于放料辊的右下方，第二放料导辊位于第一放料导辊下方；所述收料导辊包括第一收料导辊和第二收料导辊，第二收料导辊处于卷取辊左下方，第一收料导辊位于第二收料导辊和溅射主辊之间。5.根据权利要求4所述防止成膜热损伤的卷取式ITO成膜装置，其特征在于:还包括有张力摆辊、展平辊，所述张力摆辊在第二放料导辊的左下方，所述展平辊在张力摆辊的左下方。6.根据权利要求5所述防止成膜热损伤的卷取式ITO成膜装置，其特征在于:所述放料辊上的基材按顺序经过第一放料导辊和第二放料导辊外侧，张力摆辊、展平辊内侧，溅射主辊，第一收料导辊内侧，第二收料导辊外侧后，到卷取辊收卷。7.根据权利要求1或4所述防止成膜热损伤的卷取式ITO成膜装置，其特征在于:所述派射主棍和第一收料导棍与地线相连接。8.根据权利要求5所述防止成膜热损伤的卷取式ITO成膜装置，其特征在于:所述展平辊从中轴线开始往两边设有对称螺纹，该展平辊主要由丁晴橡胶添加静电液生成。9.根据权利要求1所述防止成膜热损伤的卷取式ITO成膜装置，其特征在于:所述靶材包括有第一靶材、第二靶材和第三靶材，第一靶材和第三靶材分别设于溅射主辊左右两侧的密封腔体壁面上，第二靶材设于溅射主辊下方的密封腔体壁面上。
【专利摘要】本实用新型公开一种防止成膜热损伤的卷取式ITO成膜装置包括密封腔体，以及设置于密封腔体内的放料辊、卷取辊、溅射主辊、靶材，所述放料辊及卷取辊分别位于密封腔体内两侧，所述溅射主辊处于放料辊与卷取辊之间的下方。本实用新型在现有技术的基础上通过对溅射主辊内部设水循环系统，使溅射主辊和第一收料导辊与地线相连接，在卷取辊旁设一除静电装置，增加张力摆辊和展平辊等技术改良，有效地减少热损伤、变形、电击人体等现象的发生，使ITO薄膜的生产过程更加安全、高效，其产品更加美观，提高优品率。
【IPC分类】C23C14/34, C23C14/08
【公开号】CN205077128
【申请号】CN201520826715
【发明人】由龙, 黄振革
【申请人】山东金鼎电子材料有限公司
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年10月23日