专利名称：：西门子法多晶硅尾气处理方法
技术领域：
：本发明涉及一种西门子法多晶硅尾气处理方法。
背景技术：
：由于电子市场和太阳能市场对多晶硅的大量需求，西门子法硅企业大量上马，而污染问题也相继暴光，并且尾气的治理已成为硅企业发展的瓶颈，为此解决西门子法多晶硅尾气的治理问题成了企业发展的重中之重。
发明内容本发明的目的是提供一种西门子法多晶硅尾气处理方法，该方法工艺简单、成本低廉、设备投资少。为解决上述技术问题，本发明所提供的技术方案是一种西门子法多晶硅尾气处理方法，包括以下步骤(1)配料将四氯化硅与水按摩尔比0.50.8:12.4混匀；(2)反应对混合物料进行加热回流，温度为100150°C，回流时间为24小时；(3)分离反应完毕后，将产生的固体产物与气体产物和原料四氯化硅分离；(4)冷凝分离用冷凝法分离气体产物和原料四氯化硅。步骤(1)中四氯化硅与水的摩尔比为1:2。步骤(2)中反应条件为温度100ll(TC，回流时间为22.5小时。步骤(3)中反应条件为温度在6(TC以上。步骤(4)中反应条件为冷凝温度为3050°C。本发明的工作原理利用四氯化硅与水之间的反应，将四氯化硅无害化处理SiCl4+2H20=Si02+4HC1;生成的二氧化硅产物为固态，容易与其它成分进行分离。再利用氯化氢与多余的四氯化硅原料的沸点相差较大，采用冷凝方式达到分离的目的。本发明具有的优点处理速度快，处理量大，处理成本低，没有二次污染。下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。图1为本发明的流程框图。具体实施例方式实施例l按如图l所示的流程，取四氯化硅148g和水43g混合，103t:，回流反应2小时，6(TC过滤、洗涤、干燥，即得到53g高纯二氧化硅产品。尾气在5(TC冷凝，水吸收得到33%盐酸371g。实施实例2取四氯化硅158g，水30g混合，150°C，回流反应3小时、7(TC过滤、洗涤、干燥，即得到58g高纯二氧化硅产品。尾气经冷凝，水吸收得到30%盐酸401g。实施实例3取四氯化硅188g，水48g混合，101°C，经过回流反应、85°C过滤、洗涤、干燥，即得到62g高纯二氧化硅产品。尾气经冷凝，水吸收得到32%盐酸483g。实施例4取四氯化硅88g，水11.8g混合，142t:，经过回流反应、95t:过滤、洗涤、干燥，即得到18g高纯二氧化硅产品。尾气经冷凝，水吸收得到32%盐酸38g。各实施实例高纯二氧化硅检测分析结果见附表1表1各实施实例高纯二氧化硅检测分析结果<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。权利要求一种西门子法多晶硅尾气处理方法，包括以下步骤(1)配料将四氯化硅与水按摩尔比0.5～0.8∶1～2.4混匀；(2)反应对混合物料进行加热回流，温度为100～150℃，回流时间为2～4小时；(3)分离反应完毕后，将产生的固体产物与气体产物和原料四氯化硅分离；(4)冷凝分离用冷凝法分离气体产物和原料四氯化硅。2.根据权利要求l所述的西门子法多晶硅尾气处理方法，其特征在于步骤(1)中四氯化硅与水的摩尔比为1:2。3.根据权利要求1所述的西门子法多晶硅尾气处理方法，其特征在于步骤(2)中反应条件为温度100ll(TC，回流时间为22.5小时。4.根据权利要求l所述的西门子法多晶硅尾气处理方法，其特征在于步骤(3)中反应条件为温度在6(TC以上。5.根据权利要求l所述的西门子法多晶硅尾气处理方法，其特征在于步骤(4)中反应条件为冷凝温度为3050°C。全文摘要本发明公开了一种西门子法多晶硅尾气处理方法，包括以下步骤(1)配料将四氯化硅与水按摩尔比0.5～0.8∶1～2.4混匀；(2)反应对混合物料进行加热回流，温度为100～150℃，回流时间为2～4小时；(3)分离反应完毕后，将产生的固体产物与气体产物和原料四氯化硅分离；(4)冷凝分离用冷凝法分离气体产物和原料四氯化硅。本发明处理速度快，处理量大，处理成本低，没有二次污染。文档编号C01B33/03GK101745300SQ20081018354公开日2010年6月23日申请日期2008年12月18日优先权日2008年12月18日发明者侯振海,张军,王宏达申请人:王宏达