专利名称：一种多晶硅还原炉电极的制作方法
技术领域：
本实用新型属于光伏或半导体领域，提供了一种锥头不易损坏的多晶硅还原炉电扱。
背景技术：
參阅图1，图I所示为现有的多晶硅还原炉电极的示意图，该多晶硅还原炉电极9包括电极本体91和设于电极本体一端的锥头92，电极本体91和锥头92 —体成型，锥头92 用来与石墨座(未示出)的锥孔配合。电极9在使用一段时间后，锥头92经常由于还原炉倒炉原因而被砸损，从而破坏锥头92的锥度，造成锥头92的锥度与石墨座的锥孔的锥度不吻合，安装后石墨座会产生摇晃，导致倒炉率大幅上升，影响生产。为了提高石墨座与电极9之间的安装质量，需要及时对破坏的锥头92进行修复。修复时，可先去除锥头92表面的镀银层，然后在锥头92上面用铜焊条实施堆焊，堆焊后将锥头92放在机床上重新加工，以获得需要的锥度。但是，上述电极9以及电极9的锥头92的修复方法具有如下缺陷。(I)由于电极本体91和锥头92—体成型，再加上锥头92的尺寸相对较小，在还原炉倒炉过程中锥头92很容易被砸损，破坏锥头92的锥度，导致电极9的使用寿命有限。(2)锥头92的大端的直径一般为17 20mm，尺寸较小，导致锥头92的锥面与与石墨座的维孔的接触面积小，石墨座安装到维头92上后不稳定，倒炉率尚。(3)在锥头92表面用铜焊条堆焊的エ艺不好把握，往往难以保证堆焊质量，进而影响锥头92的修复质量。(4) 一些锥头92损伤非常严重的电极9无法简单堆焊后加工修复，需要更换锥头92，但是因为锥头92太小，新的锥头92无法有效焊接到电极本体91上，导致电极9只能作报废处理，造成很大的浪费。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种多晶硅还原炉电极，解决了现有的多晶硅还原炉电极的锥头在还原炉倒炉过程中易损坏的问题。为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种多晶硅还原炉电极，包括ー电极本体，所述电极本体一端设有ー锥头，所述锥头与一石墨座的锥孔配合，所述电极本体和锥头固定连接。具体地，所述电极本体和锥头之间通过螺纹连接和焊接的方式固定连接在一起。[0011 ] 具体地，所述锥头与一石墨座的锥孔配合，所述锥头包括一上端面和一下端面，所述下端面的直径大于所述上端面的直径，所述锥头的下端面处开设有一圓形凹槽，所述凹槽内加工有内螺纹，所述电极本体的一端加工有与所述凹槽的内螺纹配合的外螺纹，所述凹槽的开ロ处加工有坡ロ，所述锥头通过所述凹槽开ロ处的坡ロ与所述电极本体焊接在一起。[0012]具体地，所述锥头的锥度为6 10°优选地，所述锥头的锥度为8。具体地，所述锥头的下端面的直径为45 55_。优选地，所述锥头的下端面的直径为50mm。与现有的多晶硅还原炉电极的电极本体和锥头一体成型不同，本实用新型的多晶硅还原炉电极的电极本体和锥头分别制造，然后再固定连接在一起，比如电极本体和锥头之间通过螺纹连接和焊接的方式固定连接在一起，因而增大了锥头的強度，提高了锥头的抗变形能力，电极在还原炉倒炉过程中锥头不易被砸损，延长了电极的使用寿命。
为了更清楚地说明本实用新型的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I是现有技术提供的多晶硅还原炉电极的示意图。图2是本实用新型实施例提供的多晶硅还原炉电极的示意图。图3是本实用新型实施例提供的锥头的示意图。图4是本实用新型实施例提供的电极本体的示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。如图2所示，本实用新型实施例提供的一种多晶硅还原炉电极1，包括ー电极本体11，电极本体11 一端设有ー锥头12,锥头12与一石墨座(未不出)的锥孔配合,从而使电极I与石墨座连接在一起。如图3和图4所示，与现有的多晶硅还原炉电极的电极本体和锥头一体成型不同，本实用新型的多晶硅还原炉电极I的电极本体11和锥头12分别制造，然后再固定连接在一起，因而增大了锥头12的強度，提高了锥头12的抗变形能力，电极I在还原炉倒炉过程中锥头不易被砸损，延长了电极I的使用寿命。本实施例中，所述电极本体11和锥头12之间通过螺纹连接和焊接的方式固定连接在一起，具体为锥头12包括一上端面121和一下端面122，下端面122的直径大于上端面121的直径，在锥头12的下端面122处开设有一圓形凹槽123，凹槽123内加工有内螺纹124，电极本体11的一端加工有与凹槽123的内螺纹124配合的外螺纹111，从而实现电极本体11和锥头12之间的螺纹连接；凹槽123的开ロ处加工有坡ロ 125，锥头12通过123凹槽开ロ处的坡ロ 125与电极本体11焊接在一起，从而实现电极本体11和锥头12之间的焊接。由于电极本体11和锥头12之间通过螺纹连接和焊接的方式固定连接在一起，増大了锥头12的強度，提高了锥头12的抗变形能力，由于锥头12的強度和抗变形能力得到了提高，因此，电极I在还原炉倒炉过程中锥头12不易被砸损，延长了电极I的使用寿命。本实施例中，所述锥头12的锥度为6 10°，优选8° ;锥头12的下端面122的直径为45 55mm，优选50mm。与现有的锥头相比，本实用新型的锥头12的尺寸比现有的锥头的尺寸增大两倍以上，増大了锥头12与石墨座的锥孔的接触面积，提高了电极I安装后的稳定性，减小了倒炉率，还增加了锥头12与石墨座之间的电流载流面积。同时，锥头12的尺寸増大后，还有效提高了锥头12的強度，降低了硅料倒棒对锥头12的伤害。
以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。
权利要求1.ー种多晶娃还原炉电极,其特征在于，包括一电极本体，所述电极本体一端设有ー锥头，所述锥头与一石墨座的锥孔配合，所述电极本体和锥头固定连接。
2.根据权利要求I所述的ー种多晶硅还原炉电极，其特征在于，所述电极本体和锥头之间通过螺纹连接和焊接的方式固定连接在一起。
3.根据权利要求2所述的ー种多晶硅还原炉电极，其特征在于，所述锥头包括一上端面和一下端面，所述下端面的直径大于所述上端面的直径，所述锥头的下端面处开设有一圆形凹槽，所述凹槽内加工有内螺纹，所述电极本体的一端加工有与所述凹槽的内螺纹配合的外螺纹，所述凹槽的开ロ处加工有坡ロ，所述锥头通过所述凹槽开ロ处的坡ロ与所述电极本体焊接在一起。
4.根据权利要求3所述的ー种多晶硅还原炉电极，其特征在于，所述锥头的锥度为6 10。。
5.根据权利要求4所述的ー种多晶硅还原炉电极，其特征在干，所述锥头的锥度为8°。
6.根据权利要求f5任一项所述的一种多晶硅还原炉电极，其特征在于，所述锥头的下端面的直径为45 55mm。
7.根据权利要求6所述的ー种多晶硅还原炉电极，其特征在于，所述锥头的下端面的直径为50mm。
专利摘要本实用新型公开了一种多晶硅还原炉电极，包括一电极本体，电极本体一端设有一锥头，锥头与一石墨座的锥孔配合，电极本体和锥头固定连接。与现有的多晶硅还原炉电极的电极本体和锥头一体成型不同，本实用新型的多晶硅还原炉电极的电极本体和锥头分别制造，然后再固定连接在一起，比如电极本体和锥头之间通过螺纹连接和焊接的方式固定连接在一起，因而增大了锥头的强度，提高了锥头的抗变形能力，电极在还原炉倒炉过程中锥头不易被砸损，延长了电极的使用寿命。
文档编号C01B33/021GK202358925SQ201120480718
公开日2012年8月1日 申请日期2011年11月28日 优先权日2011年11月28日
发明者肖龙千, 黄琰 申请人:江西赛维Ldk太阳能多晶硅有限公司