还原炉喷嘴装置制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种还原炉喷嘴装置，它为一个整体，喷嘴的顶部为锥形，在喷嘴的上部开有主孔，在喷嘴的侧面开有斜孔，斜孔与水平方向成一定角度，斜孔的中心在同一个圆周上，斜孔的孔数为3个，每个孔间按120°间距均匀分布，喷嘴的底部为螺纹结构。喷嘴顶部锥形增加喷射阻力使进料混合气向侧孔喷射。主孔(2)为直口，气速最大，向炉顶喷射物料。侧孔(3)降低主孔喷射压力减少主孔气流对硅棒的冲击力，侧孔按120°方向均匀分布，朝向分别指对硅棒之间的空隙，不直接冲击硅棒，同时侧孔倾斜一定角度可增加硅棒中部和底部的气流浓度分布，使炉内气体浓度长更均匀。
【专利说明】还原炉喷嘴装置
一、【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种还原炉喷嘴装置，属于多晶硅生产领域。
二、【背景技术】
[0002]在多晶硅生产过程中，进料混合气的流量和流速对多晶硅的生长有很大的影响。在保证达到一定沉积速率的条件下，混合气流量越大，炉产量越高。反应混合气体的流速则影响反应炉内的气体循环和浓度分布情况，较高气速下炉内气体形成湍动，有利于硅棒表面的气相浓度得到更新增加气体对沉积面的碰撞机会，还有利于炉内气体浓度的均匀分布。而还原炉进料的流速和流量以及炉内气场的分布都是由还原炉进料喷嘴的结构决定的。在等同压力条件下，还原炉喷嘴的孔径越大，其喷射的物料高度将会逐渐降低，这样会因为物料的量少而导致硅棒上部，尤其是横梁部位生长缓慢，甚至出现裂棒。另外，孔径过大，会导致硅棒表面粗糙，出现块状颗粒，容易生成爆米花。还原炉的孔径越小，其喷射的物料高度会增高，但是气流速度会加大，这样就会加大物料对硅棒的冲击，使其发生摇摆或是硅棒出现凹槽，容易出现倒棒，尤其是出现倒芯。目前多晶硅生产中常出现硅棒生长不均匀，上重下轻或硅棒某处弯曲的情况。
三、实用新型内容
[0003]为解决以上硅棒生长不均匀的问题，本实用新型的目的是提供一种还原炉喷嘴装置，其既能满足物料的喷射高度，保证硅芯横梁的生长，又能减少气体对硅棒的冲刷而造成的硅棒生长不均匀。
[0004]为实现本实用新型的目的，本实用新型的技术方案是:一种还原炉喷嘴装置，它为一个整体，喷嘴的顶部为锥形，在喷嘴的上部开有主孔，在喷嘴的侧面开有斜孔，斜孔与水平方向成一定角度，斜孔的中心在同一个圆周上，斜孔的孔数为3个，每个孔间按120°间距均匀分布，喷嘴的底部为螺纹结构。
[0005]本实用新型喷嘴侧面开孔后，增加气体喷射的覆盖面，使炉内物料浓度分布和气速分布更均匀，从而提高硅棒生长的均匀性。
[0006]四、【专利附图】
【附图说明】
[0007]附图1为本实用新型的结构示意图。
[0008]其中:1—喷嘴，2主孔，3侧孔，4螺纹。
五、【具体实施方式】
[0009]下面结合附图和实施例对本实用新型做进一步说明。
[0010]参照附图，本实用新型还原炉喷嘴装置，它为一个整体，喷嘴I的顶部为锥形，在喷嘴I的上部开有主孔2，在喷嘴I的侧面开有斜孔3，斜孔3与水平方向成一定角度，斜孔3的中心在同一个圆周上，斜孔3的孔数为3个，每个孔间按120°间距均匀分布，喷嘴I的底部为螺纹4结构。[0011]本实用新型为一个整体件，下部螺纹4可将喷嘴I和还原炉底盘内螺纹气孔相连，采用螺纹连接方式方便更换。喷嘴顶部锥形增加喷射阻力使进料混合气向侧孔喷射。主孔2为直口，气速最大，向炉顶喷射物料。侧孔3降低主孔喷射压力减少主孔气流对硅棒的冲击力，侧孔按120°方向均匀分布，朝向分别指对硅棒之间的空隙，不直接冲击硅棒，同时侧孔倾斜一定角度可增加硅棒中部和底部的气流浓度分布，使炉内气体浓度长更均匀。有效解决硅棒底部和中部生长的凹弯现象。
【权利要求】
1.一种还原炉喷嘴装置，它为一个整体，其特征在于:喷嘴(I)的顶部为锥形，在喷嘴(I)的上部开有主孔(2)，在喷嘴⑴的侧面开有斜孔(3)，斜孔(3)与水平方向成一定角度，斜孔(3)的中心在同一个圆周上，斜孔(3)的孔数为3个，每个孔间按120°间距均匀分布，喷嘴(I)的底部为螺纹(4)结构。
【文档编号】C01B33/027GK203411333SQ201320403868
【公开日】2014年1月29日 申请日期:2013年6月28日 优先权日:2013年6月28日
【发明者】韦武杰, 史超, 薛涛 申请人:陕西天宏硅材料有限责任公司