1.一种外延晶片，包括具有第一主表面的碳化硅膜，
在所述第一主表面中形成有凹槽部，所述凹槽部沿所述第一主表面在一个方向上延伸，所述凹槽部在所述一个方向上的宽度是所述凹槽部在垂直于所述一个方向的方向上的宽度的两倍或更大，所述凹槽部距所述第一主表面的最大深度不大于10nm，其中
所述凹槽部包括第一凹槽部以及连接至所述第一凹槽部的第二凹槽部，
所述第一凹槽部在所述一个方向上形成在所述凹槽部的一个端部中，以及
所述第二凹槽部在所述一个方向上从所述第一凹槽部延伸至与所述一个端部相反的另一个端部，所述第二凹槽部距所述第一主表面的深度小于所述第一凹槽部的最大深度，
所述第一凹槽部在横截面中具有三角形形状，并且
所述第二凹槽部包括与所述第一主表面基本上平行的底表面。
2.根据权利要求1所述的外延晶片，其中
所述外延晶片进一步包括具有第二主表面的碳化硅衬底，
所述碳化硅膜形成在所述第二主表面上，
所述第二主表面相对于(0001)面具有不大于±4°的偏离角，
所述偏离角的偏离方向在相对于<11-20>方向不大于±5°的范围内，或者在相对于<01-10>方向不大于±5°的范围内。