1.一种微晶喷墨抛光砖的制备工艺，其特征在于，制备步骤为：
1）先将坯体生料磨粉制成坯体生料粉后进行无规落料；
2）向坯体生料粉上均匀喷墨浆，然后压制为坯体饼；
3）将坯体饼扒开，造成贯通坯体饼的无规待填充区；
4）坯料熟料落料至上述扒开后的坯体饼上填充待填充区实现透料充填；
5）透料充填后重新进行压制成型制得上坯体；
6）在上坯体上铺覆底坯得到预烧件，底坯所用的坯体生料组成与步骤1）的坯体生料组成相同；
7）预烧件在200℃~220℃的干燥温度下干燥45 min ~60min；
8）对预烧件进行烧制，炉温预热至900℃后，预烧件进炉，以15℃/10min ~22℃/10min的升温速率逐渐升温至1090℃~1105℃后进行第一次保温38min ~43min，然后再以10℃/10min ~20℃/10min的升温速率逐渐升温至1207℃~1212℃后进行第二次保温95min ~110min，第二次保温完成后以65℃/10min ~120℃/10min的降温速率快速降温至室温；
9）烧制后对上坯体面进行抛光即得。
2.根据权利要求1所述的一种微晶喷墨抛光砖的制备工艺，其特征在于：所述的步骤1）中先将坯体生料粉压制为坯料条，并将坯料条破碎成最长对角线3cm~10cm的形状不规则的小块体，相邻小块体之间的间距为2.5cm ~15cm；然后继续洒落坯体生料粉填充小块体间的空隙后再继续进行步骤2）的操作。
3.根据权利要求1或2所述的一种微晶喷墨抛光砖的制备工艺，其特征在于：所述的坯体生料重量份组成包括：钠长石35~45份，钾长石 17~24份，球土 20~28份，高铝石 3~7份，滑石 2~4份。
4.根据权利要求1所述的一种微晶喷墨抛光砖的制备工艺，其特征在于：步骤3）所述的坯体饼被扒开后形成最长对角线10cm~25cm的形状不规则的大块体，相邻大块体之间的间距为0.6 cm ~3cm。
5.根据权利要求1所述的一种微晶喷墨抛光砖的制备工艺，其特征在于：步骤2）所述的墨浆的重量份组成包括：钠长石27~33份，钾长石 27~33份，球土 13~17份，高铝石8~12份，叶腊石 8~12份，滑石 3~7份。
6.根据权利要求1所述的一种微晶喷墨抛光砖的制备工艺，其特征在于：步骤7）所述的预烧件在200℃的干燥温度下干燥60min。
7.根据权利要求1所述的一种微晶喷墨抛光砖的制备工艺，其特征在于：步骤8）所述的第一次保温的温度为1100℃，保温时间为40min。
8.根据权利要求1所述的一种微晶喷墨抛光砖的制备工艺，其特征在于：步骤8）所述的第二次保温的温度为1210℃，保温时间为100min。