1.一种多阶段电阻率控制高效多晶硅片技术，其特征在于，包括以下具体步骤：
A、准备脱模层：准备氮化硅粉料，搅拌均匀，预热铸锭坩埚，并将搅拌均匀的氮化硅粉料喷涂于铸锭坩埚的内壁上，随后再次加热铸锭坩埚，将铸锭坩埚内壁上的氮化硅粉料烧结，形成脱模层；
B、装料：将铸锭原料装填于铸锭坩埚内；
C、多晶硅锭炉吸尘：在铸锭过程中，多晶硅锭炉的炉膛内会吸附大量氧化物，使用吸尘器吸除炉膛内大部分氧化物；
D、投料：使用行车等输送设备将步骤B中装料好的铸锭坩埚放入多晶硅锭炉内；
E、加热、熔炼：启动多晶硅锭炉，对铸锭坩埚进行加热，将铸锭坩埚内铸锭原料融化，形成硅溶液，炉内主控制温度控制在温度n1，所述n1为1530℃~1560℃；
F、长晶准备：硅料完全融化，保温10~30分钟；
G、长晶：以预算的长晶高度为H，实际长晶为h1，长晶阶段分为三阶：
（1）、第一长晶阶段：0＜h1＜0.6*H，启动多晶硅锭炉内部的DS冷却快，对铸锭坩埚进行冷却，进行长晶，硅溶液温度控制在温度n2；
（2）、第二长晶阶段：h1=0.60*H~0.63*H，通过设置于多晶硅锭炉上的真空补料系统，向铸锭坩埚内补送掺杂剂，调节电阻率，进行一次电阻优化，此时硅溶液温度控制在温度n3；
（3）、第三长晶阶段：h1=0.80*H~0.83*H，通过设置于多晶硅锭炉上的真空补料系统，向铸锭坩埚内补送掺杂剂，调节电阻率，进行二次电阻优化，直至长晶完成，硅溶液温度控制在温度n4；
H、出炉：关闭多晶硅锭炉，等多晶硅锭炉内部温度降低，随后泄压，最后用行车等输送设备将铸锭坩埚取出，铸锭出炉。
2.上述的一种多阶段电阻率控制高效多晶硅片技术，其中，所述铸锭原料内含有P型镓单质体，所述P型镓单质体与铸锭原料的重量比为0.01~0.1：1（g/Kg）。
3.如权利要求1所述的一种多阶段电阻率控制高效多晶硅片技术，其特征在于，所述n2为1410℃~1417℃，所述n3为1404℃~1412℃，所述n4为1400℃~1406℃。
4.如权利要求1所述的一种多阶段电阻率控制高效多晶硅片技术，其特征在于，所述真空补料系统包括抽真空设备、加料腔、石英导流管和控制阀，所述抽真空设备、石英导流管均与加料腔联通，抽真空设备连接于加料腔上端，石英导流管连接于加料腔下端，控制阀设置于石英导流管上，控制石英导流管输送掺杂剂，石英导流管的下端插入多晶硅锭炉内，位于铸锭坩埚的上方。
5.如权利要求1所述的一种多阶段电阻率控制高效多晶硅片技术，其特征在于，所述掺杂剂为掺磷母合金块，所述掺磷母合金硅块的电阻率为0.002Ω·m ~0.007Ω·cm。
6.如权利要求1所述的一种多阶段电阻率控制高效多晶硅片技术，其特征在于，步骤A中的烧结温度为800℃~1100℃。
7.如权利要求1所述的一种多阶段电阻率控制高效多晶硅片技术，其特征在于，所述在第二长晶阶段和第三长晶阶段中，每次添加的掺杂剂的量可以不同，每次添加掺杂剂与铸锭原料的重量比为0.1~1：1（g/Kg）。