技术总结
本发明涉及一种溶液法生长氯氧化钐纳米晶及其方法，属于无机三元稀土化合物纳米晶材料合成领域。先按照1：(1～10)的摩尔比，将钐源和氯源前驱体分散在溶剂中，经过搅拌达到均匀混合。随后在保护气氛下，升温到200摄氏度以上，通过一定的保温时间，完成氯氧化钐纳米晶的生长。随后，经过离心分离即可获得氯氧化钐纳米晶。所生长的氯氧化钐纳米晶具有完整的长方体形貌，厚度约为20纳米，同时，具有很好的单分散性。本发明采用溶液法合成氯氧化钐纳米晶，具有反应温度低，操作简单，容易控制，所制备的氯氧化钐纳米晶纯度高，无任何可探测到的杂质相。为进一步研究氯氧化钐纳米晶的物理化学性质提供重要的物质平台。
技术研发人员：葛万银;叶晓慧;李燕瑞;殷立雄;刘辉
受保护的技术使用者：陕西科技大学
文档号码：201611022283
技术研发日：2016.11.16
技术公布日：2017.05.10