1.一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构，其特征在于：其包括：
主转动盘(1)，该主转动盘(1)上开设有若干托盘槽(11)；
若干用于承载SiC晶片的卫星盘(2)，其以可转动的方式安装于该主转动盘(1)的托盘槽(11)中；
支撑杆(3)，其上端与主转动盘(1)固定；
所述主转动盘(1)中设置有若干分别位于托盘槽(11)下方的隧道(12)，且该主转动盘(1)底部设置有贯穿隧道(12)的垂直孔道(13)，所述支撑杆(3)中设置的贯穿的腔道(31)与垂直孔道(13)对接，所述托盘槽(11)底部向下开设有至少两个倾斜状态并与隧道(12)连通的倾斜孔(14)；该腔道(31)与垂直孔道(13)、隧道(12)及倾斜孔(14)形成连通托盘槽(11)的气通道，该气通道流入气体后，气体通过倾斜孔(14)后驱动卫星盘(2)自转。
2.根据权利要求1所述的一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构，其特征在于：所述卫星盘(2)下端面中心位置成型有支轴(21)，所述托盘槽(11)底部中心位置设置有轴孔(111)，该支轴(21)嵌入轴孔(111)中。
3.根据权利要求1所述的一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构，其特征在于：所述托盘槽(11)的数量为三个，其沿夹角为120°的三个径向方向且距主转动盘(1)中心等距的位置设置。
4.根据权利要求1所述的一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构，其特征在于：所述隧道(12)的数量为三个，其沿夹角为120°的三个径向方向设置，并与所述托盘槽(11)底面平行，该隧道(12)深度小于主转动盘(1)半径；所述垂直孔道(13)设置于主转动盘(1)中心位置，并与三个隧道均连通。
5.根据权利要求1所述的一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构，其特征在于：所述主转动盘(1)底部中心位置成型有一凸座(15)，该凸座(15)设置有与垂直孔道(13)连通的螺纹孔(151)；所述支撑杆(3)上端外围设置有螺纹，以此螺旋固定于该凸座(15)的螺纹孔(151)中。
6.根据权利要求1所述的一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构，其特征在于：所述倾斜孔(14)数量为两个，其沿主转动盘(1)的直径方向设置。
7.根据权利要求1所述的一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构，其特征在于：所述的卫星盘(2)是一薄圆形盘，在其表面开设有用于放置SiC晶片的圆形槽(22)，该圆形槽(22)的深度大于SiC晶片的厚度。
8.根据权利要求1所述的一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构，其特征在于：所述腔道(31)的直径大小与所述垂直孔道(13)的直径大小相同。