技术总结
本发明公开一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构，其包括：主转动盘，该主转动盘上开设有若干托盘槽；若干用于承载SiC晶片的卫星盘，其以可转动的方式安装于托盘槽中；支撑杆，其上端与主转动盘固定；主转动盘中设有若干分别位于托盘槽下方的隧道，主转动盘底部设置有贯穿隧道的垂直孔道，支撑杆中设置的贯穿的腔道与垂直孔道对接，托盘槽底部向下开设有至少两个倾斜状态并与隧道连通的倾斜孔；腔道与垂直孔道、隧道及倾斜孔形成连通托盘槽的气通道，气通道流入气体后，气体通过倾斜孔后驱动卫星盘自转。由于卫星盘可自转，以此有利于提高SiC晶片外延生长包括厚度与掺杂浓度在内的片内均匀性和片间均匀性，以满足不同的使用要求。
技术研发人员：孙国胜;杨富华;宁瑾;刘兴昉;赵永梅;王占国
受保护的技术使用者：东莞市天域半导体科技有限公司
文档号码：201611192601
技术研发日：2016.12.21
技术公布日：2017.02.22