技术总结
一种高纯度高导热碳纳米管阵列热界面材料的制备装置，属于碳纳米管材料领域。本实用新型将SiO2片和硅片置于铁质下降楔形台上平放于横贯加热炉的石英管的中心位置，英管中通入氦气形成惰性气氛并加热，氦气同时作为二茂铁颗粒飞行沉降至SiO2基底的载体铁质，再通入氩气/氢气混合气将二茂铁还原成用作碳纳米管垂直生长的催化剂铁粒子，盛有同时作为催化剂和碳源的粉末状二茂铁的铝箔船型容器置于加热炉外的石英管内通过热盘进行加热为二茂铁提供可控的升华温度；二茂铁中的碳原子作为碳源开始生长，最后在氦气保护下对碳纳米管样品进行退火处理，得到高纯度高导热的碳纳米管阵列热界面材料。本实用新型原料少，成本低、工艺流程简单，工艺参数稳定，产品纯度高、导热性能好。
技术研发人员：邱琳;冯妍卉;张欣欣;张真;邹瀚影
受保护的技术使用者：北京科技大学
文档号码：201621345714
技术研发日：2016.12.09
技术公布日：2017.06.27