一种用于降低多晶硅铸锭碳氧含量的装置的制作方法

本实用新型涉及机械设备领域，尤其是一种用于降低多晶硅铸锭碳氧含量的装置。

背景技术：
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多晶硅铸锭炉是太阳能工业设计的专用设备，因其可以通过控制技术，将硅锭高温熔融后通过特殊工艺实现对多晶硅的稳定定向凝固结晶，因此在对多晶硅铸锭进行加工处理时通常是采用铸锭炉对其进行加工处理。经铸锭炉加工处理过后的多晶硅，后续会经过多晶硅片切片机对其进行切割，随着切片技术的发展，目前切片技术已经由砂线切割向金刚线切割进行转型过渡，因金刚线切割技术具有成本低、切割效果好等优势，因此目前金刚线切割技术得到越来越多的应用。在对多晶硅采用金刚线切割时，通常要求经多晶硅铸锭炉处理之后的多晶硅铸锭需要满足较低的碳氧含量。但是，通过现有的多晶硅铸锭炉生产的多晶硅铸锭其碳氧含量通常较高，无法满足线切割时所要求的条件，主要是因为现有的多晶硅铸锭炉在进行工作时其炉体内部保持负压，然后通过在炉腔内通氩气等保护气体的方式带走杂质气体。采用这种方式时，因炉体系统本身设计的特点导致在硅液的上部和盖板之间存在一定的湍流，从而会导致杂质气体回流形成二次污染，无法有效排除硅锭中的碳氧杂质，因而使用现有的多晶硅铸锭炉所生产出来的多晶硅铸锭其碳氧含量无法满足现代金刚线切割技术的要求，显然现有的铸锭炉无法更有效地满足人们的需求。

技术实现要素：
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本实用新型提供了一种用于降低多晶硅铸锭碳氧含量的装置，它结构简单，设计合理，操作简单，在对多晶硅进行处理时可以快速对其进行加热，护板上设计有导流功能，能够有效的对气体流动方式进行控制控制，快速有效进行排杂，防止杂质气体倒流，有效的加工过程中装置内的碳氧杂质同时降低了加工处理出来的多晶硅的碳氧含量，能满足金刚线切割所需的多晶硅的适用条件，更有效地满足了人们的需求，解决了现有技术中存在的问题。

本实用新型为解决上述技术问题所采用的技术方案是：一种用于降低多晶硅铸锭碳氧含量的装置，包括一下壳体，在下壳体的空腔内设有一通过支撑柱固连在下壳体空腔底部的支撑板，在支撑板顶部设有一坩埚，在坩埚的各棱角处分别竖直设有一固连在支撑板上的限位杆，在各相邻的限位杆下部的支撑板上设有一卡槽，在卡槽内插装一内侧壁与坩埚外侧壁相抵接的护板，所述护板包括一底部竖直插装在其对应位置上的卡槽内且内侧壁与坩埚外侧壁相抵接的固定板，在固定板的顶部设有一内端底部与坩埚顶部相抵接的平板，平板的顶部沿其前后方向分别竖直设有若干个插装孔，在各插装孔上部左侧分别设有一穿出平板内侧壁的内导气孔，在各插装孔下部右侧分别设有一穿出平板外侧壁的外出气孔，在下壳体上方罩设一上壳体，在上壳体的空腔内设有一与坩埚顶部相抵接的顶部加热板，在顶部加热板上设有两导电石墨柱，在两导电石墨柱之间的顶部加热板上竖直设有一与坩埚内腔相连通设置的进气管；导电石墨柱通过导线与外部电源相连通设置。

在各外出气孔的平板外侧壁上分别固连一防倒流圆台管，所述防倒流圆台管为一中空设置的右端管径逐渐减小的圆台状导管。

在各护板的外侧分别设有一侧加热板，各侧加热板通过导线与外部电源相连通设置。

在各插装孔内分别插装一中空设置的插装管，在各插装管的上部与下部分别设有一与外出气孔、内导气孔相连通设置的过渡孔。

本实用新型所具有的有益效果是，结构简单，设计合理，操作简单，在对多晶硅进行处理时可以快速对其进行加热，护板上设计有导流功能，防倒流圆台管能够有效的对气体流动方式进行控制控制，通过转动插装管可以控制护板上的内导气孔与外出气孔的连通与否，从而控制出气速度，快速有效进行排杂，防止杂质气体倒流，有效的加工过程中装置内的碳氧杂质同时降低了加工处理出来的多晶硅的碳氧含量，能满足金刚线切割所需的多晶硅的适用条件，更有效地满足人们的需求。

附图说明：

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为本实用新型去除上壳体的结构示意图。

图3为本实用新型的局部结构示意图。

图4为本实用新型中护板位置一的结构示意图。

图5为本实用新型中护板位置二的结构示意图。

图中，1、下壳体；2、支撑柱；3、支撑板；4、坩埚；5、限位杆；6、卡槽；7、护板；8、固定板；9、平板；10、插装孔；11、内导气孔；12、外出气孔；13、上壳体；14、顶部加热板；15、导电石墨柱；16、进气管；17、防倒流圆台管；18、侧加热板；19、插装管；20、过渡孔。

具体实施方式：

为能清楚说明本方案的技术特点，下面通过具体实施方式，并结合其附图，对本实用新型进行详细阐述。

如图1-5中所示，一种用于降低多晶硅铸锭碳氧含量的装置，包括一下壳体1，在下壳体1的空腔内设有一通过支撑柱2固连在下壳体1空腔底部的支撑板3，在支撑板3顶部设有一坩埚4，在坩埚4的各棱角处分别竖直设有一固连在支撑板3上的限位杆5，在各相邻的限位杆5下部的支撑板3上设有一卡槽6，在卡槽6内插装一内侧壁与坩埚4外侧壁相抵接的护板7，所述护板7包括一底部竖直插装在其对应位置上的卡槽6内且内侧壁与坩埚4外侧壁相抵接的固定板8，在固定板8的顶部设有一内端底部与坩埚4顶部相抵接的平板9，平板9的顶部沿其前后方向分别竖直设有若干个插装孔10，在各插装孔10上部左侧分别设有一穿出平板9内侧壁的内导气孔11，在各插装孔10下部右侧分别设有一穿出平板9外侧壁的外出气孔12，在下壳体1上方罩设一上壳体13，在上壳体13的空腔内设有一与坩埚4顶部相抵接的顶部加热板14，在顶部加热板14上设有两导电石墨柱15，在两导电石墨柱15之间的顶部加热板14上竖直设有一与坩埚4内腔相连通设置的进气管16；导电石墨柱15通过导线与外部电源相连通设置。

在各外出气孔12的平板9外侧壁上分别固连一防倒流圆台管17，所述防倒流圆台管17为一中空设置的右端管径逐渐减小的圆台状导管，出气口逐步变小，在气体向外流动时流速会变大，从而保证其能有效地防止气体回流，有效降低了坩埚4内部气体杂质的含量。

在各护板7的外侧分别设有一侧加热板18，各侧加热板18通过导线与外部电源相连通设置，顶部加热与侧加热板18共同加热，提高加热效果与加热质量。

在各插装孔10内分别插装一中空设置的插装管19，在各插装管19的上部与下部分别设有一与外出气孔12、内导气孔11相连通设置的过渡孔20，通过旋转各插装管19便可以控制过渡孔20与外出气孔12、内导气孔11的对应关系，从而可以控制导气的速度与效果。

使用时，工作人员打开上壳体13并向坩埚4内放入待加工的多晶硅铸锭，盖上上壳体13，此时将控制导电石墨柱15与侧加热板18的电源开关打开，导电石墨柱15导电后传至顶部加热板14，顶部加热板14与侧加热板18同时对坩埚4及其内部的多晶硅铸锭进行处理。同时通过进气管16向坩埚4内部通入氩气进行导流，多晶硅铸锭在进行加热的过程中碳氧含量的高低直接影响着后续加工出的产品的质量，因此要尽量减少其碳氧含量，在氩气的作用下会带动坩埚4上方的含有大量碳氧元素的气体经护板7的平板9上的各内导气孔11向外流动，在流动的过程中经过渡孔20与插装管19的空腔后进入外出气孔12，然后经防倒流圆台管17的圆台状导管流至装置外部，因气体经内导气孔11后沿插装管19的空腔向下流动且防倒流圆台管17的圆台状导管的管径逐步减小，因此可以有效地防止气体回流，气体流出后会带走大量的含有碳氧元素的杂质与气体，从而有效地降低了后期加工产品中的多晶硅铸锭的碳氧含量。本装置结构简单，设计合理，操作简单，在对多晶硅进行处理时可以快速对其进行加热，护板7上设计有导流功能，防倒流圆台管17能够有效的对气体流动方式进行控制控制，通过转动插装管19可以控制护板7上的内导气孔11与外出气孔12的连通与否，从而控制出气速度，快速有效进行排杂，防止杂质气体倒流，有效的加工过程中装置内的碳氧杂质同时降低了加工处理出来的多晶硅的碳氧含量，能满足金刚线切割所需的多晶硅的适用条件，更有效地满足人们的需求。

上述具体实施方式不能作为对本实用新型保护范围的限制，对于本技术领域的技术人员来说，对本实用新型实施方式所做出的任何替代改进或变换均落在本实用新型的保护范围内。

本实用新型未详述之处，均为本技术领域技术人员的公知技术。