一种用于多晶铸锭炉的均匀性热场结构的制作方法

文档序号:13997189阅读:517来源:国知局
一种用于多晶铸锭炉的均匀性热场结构的制作方法

本实用新型涉及多晶铸锭炉热场结构技术领域,具体地指一种用于多晶铸锭炉的均匀性热场结构。



背景技术:

目前行业主要多晶铸锭炉热场结构分为:顶侧加热(GT、京运通、精功、晶盛等)和顶底加热(ALD炉),顶侧加热炉型的侧加热器之间通过石墨角板连接,由于石墨角板与侧加热器电阻、形状存在差异,导致角板对应位置硅片质量较差。

以GT、京运通、精功、晶盛等厂家铸锭设备为主,侧加热器通过形状、电阻不同的石墨连接角板相连接,由于形状、尺寸及单位面积电阻与侧加热器不同,导致石墨连接角板位置单位面积发热量与侧加热器存在较大差异,影响热场温度分布,使石墨连接角板对应位置硅片质量较差,影响硅片电池转换效率。

如图3所示,目前顶侧加热器炉型的石墨连接角板为L型,侧加热器为波浪型,两者尺寸形状差异较大,覆盖面积相差较大,导致加热器电阻分布不均匀,影响热场温度分布的均匀性,导致石墨连接角板对应位置的硅片质量较差。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于克服上述不足,提供一种用于多晶铸锭炉的均匀性热场结构,消除石墨连接角板与侧加热器因形状、结构不一致导致的整个加热器发热不均匀的问题,使其在铸锭过程中的热场温度分布更均匀,有利于晶粒垂直性生长,减少长晶位错等缺陷的产生,提高硅片的电池转换效率。

本实用新型为解决上述技术问题,所采用的技术方案是:一种用于多晶铸锭炉的均匀性热场结构,它由四个侧加热器组合而成,每两个侧加热器之间通过石墨连接角板连接,所述侧加热器为波浪形板结构;

所述石墨连接角板包括U型连接板,所述U型连接板两侧分别与L型板连接,所述L型板一端与侧加热器一端连接。

优选地,所述U型连接板两侧的L型板彼此互相垂直,四个侧加热器和四个石墨连接角板组合连接形成正方形结构。

优选地,所述L型板的一端设有螺孔,所述侧加热器两端也设有螺孔,所述L型板与侧加热器之间通过螺栓连接。

优选地,所述石墨连接角板的高度和侧加热器的波浪高度一致。

本实用新型的有益效果:本实用新型装置有利于形成更加对称的结构,保证加热器发热的均匀性,消除了石墨连接角板与侧加热器因形状、结构不一致导致的整个加热器发热不均匀的问题,使其在铸锭过程中的热场温度分布更均匀,有利于晶粒垂直性生长,减少长晶位错等缺陷的产生,提高了硅片的电池转换效率。

附图说明

图1 为一种用于多晶铸锭炉的均匀性热场结构的结构示意图;

图2为图1中石墨连接角板的结构示意图;

图3为现有侧加热器炉型侧加热器的结构示意图;

图中,侧加热器1、石墨连接角板2、U型连接板2.1、L型板2.2。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的详细描述。

如图1和2所示,一种用于多晶铸锭炉的均匀性热场结构,它由四个侧加热器1组合而成,每两个侧加热器1之间通过石墨连接角板2连接,所述侧加热器1为波浪形板结构;

所述石墨连接角板2包括U型连接板2.1,所述U型连接板2.1两侧分别与L型板2.2连接,所述L型板2.2一端与侧加热器1一端连接。

优选地,所述U型连接板2.1两侧的L型板2.2彼此互相垂直,四个侧加热器1和四个石墨连接角板2组合连接形成正方形结构。这样有利于形成更加对称的结构,保证加热器发热的均匀性。

优选地,所述L型板2.2的一端设有螺孔,所述侧加热器1两端也设有螺孔,所述L型板2.2与侧加热器1之间通过螺栓连接。

优选地,所述石墨连接角板2的高度和侧加热器1的波浪高度一致。这样能够使得石墨连接角板2和侧加热器1之间的形状、尺寸达到一致,有利于形成更加对称的结构,保证加热器发热的均匀性。

在本实施例中,侧加热器1为宽度50-150mm,厚度10-40mm的三个波峰波浪形板结构,波浪高度150-400mm,波浪间隙20-140mm,长度900-1100mm,侧加热器1两边各有4个螺栓孔用于连接石墨连接角板2,单个侧加热器电阻为15-18mΩ。石墨连接角板2为石墨材质,高度150-400mm,厚度10-40mm,电阻为4-8mΩ。石墨连接角板2的高度和侧加热器1的波浪高度一致。

本实施例通过对石墨连接角板2的尺寸、形状及电阻进行重新设计,使石墨连接角板2与侧加热器1形状、尺寸达到一致,使整个热场结构成为一致性更好的对称结构,消除石墨连接角板2与侧加热器1因形状、结构不一致导致的整个加热器发热的不均匀性,在铸锭过程中热场温度分布更均匀,有利于晶粒垂直性生长,减少长晶位错等缺陷的产生,从而提高了硅片的电池转换效率。

上述的实施例仅为本实用新型的优选技术方案,而不应视为对于本实用新型的限制,本申请中的实施例及实施例中的特征在不冲突的情况下,可以相互任意组合。本实用新型的保护范围应以权利要求记载的技术方案,包括权利要求记载的技术方案中技术特征的等同替换方案为保护范围。即在此范围内的等同替换改进,也在本实用新型的保护范围之内。

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