本发明涉及了一种晶体生长炉上观察镜装置，具体涉及晶体生长炉上带刻度的石英观察镜装置。
背景技术：
石英玻璃的形成是由于其熔体的高粘度的结果。应用于制作半导体、电光源、半导体激光器、通讯设备、光学仪器、实验仪器、电气设备、医疗设备、化工设备、耐高温和耐腐蚀的化工、电子、冶金、建材、国防工业并且使用广泛。高纯度石英玻璃可以用作光纤。随着半导体技术的发展，石英玻璃已被广泛应用于各种半导体生产工艺中。例如，切克劳斯基法会把多晶硅转化为单晶硅；用于清洁的清洗槽；用于扩散的扩散管；容器槽；离子注入钟罩等。
石英玻璃的化学性能具有热膨胀系数低，耐高温，好的化学稳定性，电绝缘性能优良，超声延迟性能低而且稳定性好，紫外可见光和近红外光谱性能最佳，并且具有较高的机械性能比普通玻璃。因此，它是现代先进技术中最重要的材料之一，如航空航天技术、原子能工业、国防装备、自动化系统、半导体、冶金、化工、电光源、通讯、轻工、建筑材料等。
人工合成晶体的生长采用水热法，切克劳斯基法，焰熔法 、坩埚下降法，其中切克劳斯基法是一种从熔体中直接生长单晶的方法。熔体置于坩埚中，籽晶固定在提拉杆上，可以旋转升降。降低提拉杆，籽晶插入熔体。调节温度使籽晶生长，提升提拉杆，慢慢拉出晶体。这是熔体中常用的晶体生长方法。这种方法可以拉出多种晶体，如硅、白钨矿和均匀透明的红宝石等。切克劳斯基法生长晶体需要人工从放肩到结束观察炉子内部晶体的生长直径和长度，晶体成长的大小需要人工根据炉子内晶体的直径和长度来确定，因此设计一种晶体生长炉上带刻度的石英观察镜装置是至关重要的。
技术实现要素：
本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种晶体生长炉上带刻度的石英观察镜装置。
本实用新型的目的是这样实现的，包括：底座（1）、镜片凹槽（2）、观察镜片（3）、镜框（4）、刻度（5）、镜盖（6）、镜盖凹槽（7），所述的观察镜片的厚度小于镜片凹槽的宽度。该装置设在晶体生长炉观察窗上，观察镜片放置在镜框的凹槽内并且使刻度垂直，镜框安装在晶体生长炉的观察孔上，镜盖安装在底座的镜盖凹槽上。
本实用新型通过在晶体生长炉上安装一个带刻度的石英观察镜装置，首先找到一个垂直方向，然后将观察镜刻度垂直，同步与晶体生长炉内籽晶杆的方向，当晶体生长时就可以观察到晶体的直径和长度，最后根据直径和长度来进行和结束实验。
本发明还有这样一些特征：
1.所述的镜框设计为圆形，设置在晶体生长炉子的观察孔内;
2.所述底座为两部分，分为镜框下部分和镜盖凹槽部分，镜盖凹槽长度大于观察镜的直径;
3.所述镜盖的长度和高度大于晶体生长炉上的观察窗的直径;
4.所述镜盖、镜框和底座，采用绝热耐高温材料制作。
本发明的有益效果有：
1.本实用新型能快速、准确测定晶体生长的直径和长度;
2.本实用新型克服了采用人工肉眼观察导致精度不高的问题;
3.本实用新型在工作过程中能更好的提供给技术人员观察的环境。
附图说明
图1、是本实用新型的观察镜装置结构示意图；
图2、是本实用新型在观察镜片前加镜盖的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图和实施例对本发明进行进一步详细说明。
结合图1，一种晶体生长炉上带刻度的石英观察镜装置，整个装置包括镜框（4）、观察镜片（3）、底座（1）和镜盖（6）。
1. 所诉镜框（4）采用绝热耐高温材料制作。镜框（4）中设有镜片凹槽（2），镜片凹槽（2）的孔径略大于观察镜片（3）的厚度而且可以固定观察镜片（3）；
2. 所述观察镜片（3）安装于上述镜片凹槽（2）中，观察镜片（2）的厚度小于镜片凹槽（2）的孔径；
3. 所述镜盖（6）采用绝热耐高温材料制作。镜盖（3）的长度与高度大于观察镜片3的直径。
在使用过程中，把镜盖（6）从上直接提起出镜盖凹槽（7），直接观察观察镜片（3）即可。以为镜框（4）采用绝热耐高温材料制作，可以有效的减少热量传递到观察镜片（3）上，同时观察镜片（3）在镜片凹槽（2）内不于晶体生长炉接触，可进一步减少热量传递到观察镜片（3）上，有效的延长了观察镜片（3）的使用寿命。此外技术人员可以按照刻度（5）观察到晶体生长炉内晶体的生长大小，更好的对炉内晶体生长情况做出判断和操作。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所做的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只限于这些说明。对于具有本发明所属领域基础知识的人员来讲，可以很容易对本发明进行变更和修改，这些变更和修改都应当视为属于本发明所提交的权利要求书确定的专利保护范围。