技术特征：
技术总结
本发明涉及氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板。本发明提供氮化硅基板，具备氮化硅晶粒和晶界相且导热率为50W/m·k以上，其特征在于，氮化硅基板的剖面组织中，厚度方向的晶界相的合计长度T2相对氮化硅基板的厚度T1的比(T2/T1)为0.01～0.30，从绝缘强度的相对平均值的偏差为15％以下，所述绝缘强度的平均值是使电极与基板的表背面接触而用四端法测量时的绝缘强度的平均值。另外，绝缘强度的平均值优选为15kv/mm以上。根据上述构成能够得到绝缘强度的偏差小的氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板。
技术研发人员：中山宪隆;青木克之;佐野孝
受保护的技术使用者：株式会社东芝;东芝高新材料公司
技术研发日：2014.10.21
技术公布日：2018.07.13