技术特征：
技术总结
本发明涉及一种快速有选择性的降低SiC晶体中微管和位错密度的方法，本发明利用微管密度<1cm‑2、位错密度小等于于5000cm‑2的SiC区域覆盖微管和位错密度较高区域，从而阻断位错和微管的延伸，有效的减小了位错和微管的遗传，可以获得特定微管和位错密度的SiC体块单晶，具有高度选择性，仅通过一次生长即可获得低微管和位错的体块单晶，大大缩短优化时间。
技术研发人员：彭燕;陈秀芳;杨祥龙;徐现刚;胡小波;张用;张磊
受保护的技术使用者：山东大学;国网山东省电力公司电力科学研究院
技术研发日：2018.06.11
技术公布日：2018.08.17