技术特征：
技术总结
本发明公开一种三维石墨烯薄膜的制备方法及三维石墨烯‑铜复合电缆，经过镍网表面去污‑高温CVD方法生长石墨烯‑浸泡/高温固化‑刻蚀基底‑去除PMMA，得到三维石墨烯薄膜，结构缺陷少，层数少，尺寸大，质量高。再经过传统的电线电缆导体制备工艺得到石墨烯‑铜复合电缆，工艺过程简单，成本低，易于实现工业化生产，该导体中的石墨烯呈3D网络结构，其导电性、导热性及其力学性能均优于纯金属导体。
技术研发人员：马瑜;王续杨;倪亚;钱天宝
受保护的技术使用者：上海新池能源科技有限公司;浙江正泰电器股份有限公司
技术研发日：2018.09.10
技术公布日：2019.01.25