1.一种多晶硅还原炉的绝缘构件，包括位于还原炉底盘(10)与电极(20)之间的第一瓷环(1)、第二瓷环(2)和电极绝缘套(3)，所述第一瓷环(1)为设置有环形凸台(11)的两个半圆环组合而成，所述第一瓷环(1)位于第二瓷环(2)的上部且均套设在电极(20)上，电极绝缘套(3)位于第二瓷环(2)的下部且套装在电极(20)的下部；其特征在于：所述第一瓷环(1)与第二瓷环(2)之间设置有套设在第一瓷环(1)外表面的密封套(4)。
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉的绝缘构件，其特征在于：所述密封套(4)为紫铜密封圈(41)。
3.根据权利要求2所述的一种多晶硅还原炉的绝缘构件，其特征在于：所述紫铜密封圈(41)包括一体成型的第一密封圈(411)和第二密封圈(412)，所述第一密封圈(411)的内径与第一瓷环(1)的外径过盈配合，所述第二密封圈(412)的内径与电极(20)的外径过盈配合；所述第二瓷环(2)内表面设置有与紫铜密封圈(41)相匹配的环形台阶(21)。
4.根据权利要求3所述的一种多晶硅还原炉的绝缘构件，其特征在于：所述第二瓷环(2)的上端与第一瓷环(1)的环形凸台(11)下表面之间设置有第一垫片(5)，所述第一垫片(5)为石墨材料制备而成。
5.根据权利要求4所述的一种多晶硅还原炉的绝缘构件，其特征在于：所述电极(20)的外表面具有轴向定位凸台(201)，所述轴向定位凸台(201)位于所述第二瓷环(2)和电极绝缘套(3)之间。
6.根据权利要求5所述的一种多晶硅还原炉的绝缘构件，其特征在于：所述轴向定位凸台(201)与第二瓷环(2)之间设置有第二垫片(6)，所述轴向定位凸台(201)与电极绝缘套(3)之间设置有第三垫片(7)，所述第一垫片(5)和第二垫片(6)均为石墨材料制备而成。
7.根据权利要求2所述的一种多晶硅还原炉的绝缘构件，其特征在于：所述第一瓷环(1)上端设置有沿内表面环形延伸的环形凹槽(12)，所述环形凹槽(12)中设有环状的瓷环压紧件，所述瓷环压紧件为紫铜制备的紫铜圈(8)。
8.根据权利要求7所述的一种多晶硅还原炉的绝缘构件，其特征在于：所述紫铜圈(8)的外侧设置有外螺纹，所述环形凹槽(12)内侧面设置有与外螺纹螺纹配合的内螺纹。
9.根据权利要求1～8任一项所述的一种多晶硅还原炉的绝缘构件，其特征在于：所述第一瓷环(1)和第二瓷环(2)均为氮化硅材料或氧化铝材料制备。