一种传感器单晶硅刻蚀装置的制作方法

本实用新型属于传感器用单晶硅的加工装置技术领域，具体涉及一种传感器单晶硅刻蚀装置。

背景技术：

传感器模块采用全焊接技术，内部拥有一个整体化的过载膜片，一个压力传感器和一个温度传感器，温度传感器作为温度补偿的参考值，压力传感器的正压侧与传感器膜盒的高压腔相连，传感器的负压侧与传感器膜盒的低压腔相连，压力通过隔离膜片和填充液，传递给传感器内的硅芯片，使压力传感器的芯片的阻值发生变化，从而导致检测系统输出电压变化，该输出电压与压力变化成正比，再由适配单元和放大器转化成一标准化信号输出。

现有的技术存在以下问题：

1、原有的传感器本体因安装不对或充液管里有残存气体或充气管里有残存液体，导致变送器过程法兰中容易产生沉积物，形成测量死区；

2、原有的片架在长时间使用会发生一定量的偏移，造成刻蚀效果变差。

技术实现要素：

为解决上述背景技术中提出的问题。本实用新型提供了一种传感器单晶硅刻蚀装置，具有单晶硅刻蚀和法兰清洁的特点。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种传感器单晶硅刻蚀装置，包括传感器本体，所述传感器本体的顶部内侧焊接有适配器，适配器的下端焊接有绝压传感器，绝压传感器的下端焊接有过载膜片，传感器本体的下表面固定有刻蚀机构，传感器本体的另一侧和刻蚀机构的上表面固定有清洁机构，清洁机构包括清洁箱、固定架、三相异步电机、转轴、中心轴、扇叶、吸气口、过滤网和排气口，其中，清洁机构的内侧壁固定有清洁箱，清洁箱的顶部内侧焊接有固定架，固定架的内侧壁固定有三相异步电机，三相异步电机的下表面转动有转轴，转轴的下表面固定有中心轴，中心轴的外侧壁固定有扇叶，清洁箱的下表面一体成型有吸气口，清洁箱的一侧一体成型有排气口。

作为本实用新型的优选技术方案，所述适配器的前表面转动有显示屏。

作为本实用新型的优选技术方案，所述绝压传感器的下端中心焊接有温度传感器。

作为本实用新型的优选技术方案，所述绝压传感器的下表面固定有过程法兰。

作为本实用新型的优选技术方案，所述传感器本体的后表面一体成型有排气阀。

作为本实用新型的优选技术方案，所述刻蚀机构包括压缩泵、气瓶、反应室、微加工工作台、加热管、和真空泵，其中，刻蚀机构的内侧壁固定有压缩泵，压缩泵的一侧插接有气瓶，气瓶的另一侧插接有反应室，反应室内侧壁固定有微加工工作台，微加工工作台的顶部内侧螺纹有加热管，反应室的另一侧插接有真空泵。

作为本实用新型的优选技术方案，根据权利要求所述的一种传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于：所述吸气口的内侧壁螺纹有过滤网。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、本实用新型通过将单晶硅放入反应室内部的微加工台中，通过真空泵先将反应室中的空气抽干，通过压缩泵将外部气体进行吸收压缩，将压缩气体传输到气瓶中，通过加热管对反应室进行加热，当单晶硅到达熔点时，通过微加工工作台进行刻蚀加工，当加工完成时通过压缩气体传输再到反应室进行冲气降温，从而解决了长时间工作导致一定量的偏移，造成刻蚀效果变差的问题；

2、本实用新型通过传感器本体另一侧设有清洁箱，清洁箱内部设有三相异步电机，通过三相异步电机的转动带动转轴转动，通过转轴的转动带动中心轴的转动，通过中心轴外侧壁固定扇叶，通过中心轴的转动带动扇叶转动，通过扇叶对吸气口进行吸气，将测量气体进行吸入传输，通过过滤网将吸气口中的杂质进行过滤，通过排气口将过滤的气体传输到过程法兰中，从而达到过程法兰不能造成堵塞，解决了产生沉积物，形成测量死区的问题。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：

图1为本实用新型的传感器本体正视图与刻蚀机构正视图结构示意图；

图2为本实用新型的传感器本体侧视图结构示意图；

图3为本实用新型的图1中的清洁机构结构示意图；

图中：1、传感器本体；2、适配器；3、显示屏；4、绝压传感器；5、温度传感器；6、过程法兰；7、过载膜片；8、排气阀；9、刻蚀机构；91、压缩泵；92、气瓶；93、反应室；94、微加工工作台；95、加热管；96、真空泵；10、清洁机构；101、清洁箱；102、固定架；103、三相异步电机；104、转轴；105、中心轴；106、扇叶；107、吸气口；108、过滤网；109、排气口。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例

请参阅图1-3，本实用新型提供以下技术方案：一种传感器单晶硅刻蚀装置，包括传感器本体1，传感器本体1的顶部内侧焊接有适配器2，适配器2与传感器本体1焊接固定，适配器2的下端焊接有绝压传感器4，绝压传感器4与适配器2焊接固定，绝压传感器4的下端焊接有过载膜片7，过载膜片7与绝压传感器4焊接固定，传感器本体1的下表面固定有刻蚀机构9，刻蚀机构9与传感器本体1固定连接，传感器本体1的另一侧和刻蚀机构9的上表面固定有清洁机构10，清洁机构10与传感器本体1和刻蚀机构9固定连接，清洁机构10包括清洁箱101、固定架102、三相异步电机103、转轴104、中心轴105、扇叶106、吸气口107、过滤网108和排气口109，其中，清洁机构10的内侧壁固定有清洁箱101，清洁箱101与清洁机构10固定连接，清洁箱101的顶部内侧焊接有固定架102，固定架102与清洁箱101焊接固定，固定架102的内侧壁固定有三相异步电机103，三相异步电机103与固定架102固定连接，三相异步电机103的下表面转动有转轴104，转轴104与三相异步电机103转动连接，转轴104的下表面固定有中心轴105，中心轴105与转轴104固定连接，中心轴105的外侧壁固定有扇叶106，扇叶106与中心轴105固定连接，清洁箱101的下表面一体成型有吸气口107，吸气口107与清洁箱101一体成型，清洁箱101的一侧一体成型有排气口109，排气口109与清洁箱101一体成型。

借助于上述技术方案，适配器2通过将采集的气体通过显示屏3来显示测量数值是否超标，通过过载膜片7传输压力到绝压传感器4中通过绝压传感器4测量压力，通过温度传感器5测量温度高低是否达标，当测量完成时，防止过程法兰6进行堵塞，通过过程法兰6将液体或气体进行传输测量，通过排气阀8将其排出气体或液体。

另外，在本实施例中，对于上述适配器2的前表面转动有显示屏3来说，显示屏3与适配器2转动连接；采用该方案通过显示屏3来显示测量数值是否超标。

另外，在本实施例中，对于上述绝压传感器4的下端中心焊接有温度传感器5来说，温度传感器5与绝压传感器4焊接固定；采用该方案通过绝压传感器4测量压力，通过温度传感器5测量温度高低是否达标。

另外，在本实施例中，对于上述绝压传感器4的下表面固定有过程法兰6来说，过程法兰6与绝压传感器4固定连接；采用该方案通过过程法兰6将液体或气体进行传输测量。

另外，在本实施例中，对于上述传感器本体1的后表面一体成型有排气阀8来说，排气阀8与传感器本体1一体成型；采用该方案当测量完成时，通过排气阀8将其排出。

另外，在本实施例中，对于上述刻蚀机构9包括压缩泵91、气瓶92、反应室93、微加工工作台94、加热管95、和真空泵96，其中，刻蚀机构9的内侧壁固定有压缩泵91，压缩泵91与刻蚀机构9固定连接，压缩泵91的一侧插接有气瓶92，气瓶92与压缩泵91插接固定，气瓶92的另一侧插接有反应室93，反应室93与气瓶92插接固定，反应室93内侧壁固定有微加工工作台94，微加工工作台94与反应室93固定连接，微加工工作台94的顶部内侧螺纹有加热管95，加热管95与微加工工作台94螺纹连接，反应室93的另一侧插接有真空泵96来说，真空泵96与反应室93插接固定；采用该方案通过刻蚀机构9对单晶硅进行刻蚀工作。

另外，在本实施例中，对于上述吸气口107的内侧壁螺纹有过滤网108来说，过滤网108与吸气口107螺纹连接；采用该方案通过过滤网108将吸气口中的杂质进行过滤。

综上所述，借助于本实用新型的上述技术方案，适配器2通过将采集的气体通过显示屏3来显示测量数值是否超标，通过过载膜片7传输压力到绝压传感器4中通过绝压传感器4测量压力，通过温度传感器5测量温度高低是否达标，当测量完成时，防止过程法兰6进行堵塞，通过过程法兰6将液体或气体进行传输测量，通过排气阀8将其排出气体或液体，通过将单晶硅放入反应室93内部的微加工台中，通过真空泵96先将反应室中的空气抽干，通过压缩泵91将外部气体进行吸收压缩，将压缩气体传输到气瓶92中，通过加热管95对反应室93进行加热，当单晶硅到达熔点时，通过微加工工作台94进行刻蚀加工，当加工完成时通过压缩气体传输再到反应室进行冲气降温，从而解决了长时间工作导致一定量的偏移，造成刻蚀效果变差的问题，通过传感器本体1另一侧设有清洁箱101，清洁箱101内部设有三相异步电机103，通过三相异步电机103的转动带动转轴104转动，通过转轴104的转动带动中心轴105的转动，通过中心轴105外侧壁固定扇叶106，通过中心轴105的转动带动扇叶106转动，通过扇叶106对吸气口107进行吸气，将测量气体进行吸入传输，通过过滤网108将吸气口107中的杂质进行过滤，通过排气口109将过滤的气体传输到过程法兰6中，从而达到过程法兰6不能造成堵塞，解决了产生沉积物，形成测量死区的问题。

最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。