一种SnS2纳米花修饰P掺杂g-C3N4的超级电容器材料及制法的制作方法

文档序号:24123667发布日期:2021-03-02 12:31阅读:218来源:国知局
一种SnS2纳米花修饰P掺杂g-C3N4的超级电容器材料及制法的制作方法
一种sns2纳米花修饰p掺杂g-c3n4的超级电容器材料及制法
技术领域
[0001]
本发明涉及超级电容器技术领域,具体为一种sns2纳米花修饰p掺杂g-c3n4的超级电容器材料及制法。


背景技术:

[0002]
随着社会的发展,化石燃料的使用量急剧增加,带来了严重的温室效应和能源危机,新能源和储能技术的开发迫在眉睫,超级电容器是一种具有功率密度高、库伦效率好等优点的储能装置,具有广阔的应用前景,其性能主要受电极材料的影响,因此,需要制备出一种低成本、电化学稳定性好、比电容高的电极材料。
[0003]
目前,sns2、sno2等锡基材料具有较高的比电容、成本较低、储量丰富等优点,其中sns2的层状结构使其具有优异的理论容量,在超级电容器领域具有广阔的应用前景,但是其导电性不好、体积效应严重,导致其实际比电容较低,限制了其应用,石墨相氮化碳g-c3n4具有较好的化学稳定性、优异的库伦效率、较低的成本等优点,广泛应用于超级电容器、锂离子电池等领域,用其修饰sns2,可以有效改善sns2的体积效应,同时元素掺杂改善了g-c3n4的电化学性质。
[0004]
(一)解决的技术问题
[0005]
针对现有技术的不足,本发明提供了一种sns2纳米花修饰p掺杂g-c3n4的超级电容器材料及制法,解决了sns2电极材料的体积效应严重、实际比电容较低的问题。
[0006]
(二)技术方案
[0007]
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种sns2纳米花修饰p掺杂g-c3n4的超级电容器材料,所述sns2纳米花修饰p掺杂g-c3n4的超级电容器材料制备方法如下:
[0008]
(1)向反应瓶中加入去离子水、聚苯乙烯、亚磷酸、二氰二氨,在60-100℃下搅拌均匀,移入反应釜内,在160-200℃下反应8-12h,离心并干燥,得到磷掺杂g-c3n4前驱体;
[0009]
(2)将磷掺杂g-c3n4前驱体置于管式炉中,进行煅烧过程,冷却至室温,得到磷掺杂多孔g-c3n4;
[0010]
(3)向反应瓶中加入溶剂乙二醇、氨基硫脲、四氯化锡、磷掺杂多孔g-c3n4,分散均匀,移入反应釜内,在160-200℃下反应8-16h,冷却至室温,抽滤,用无水乙醇、去离子水洗涤干净并干燥,得到sns2纳米花修饰p掺杂g-c3n4的超级电容器材料;
[0011]
(4)向反应瓶中加入n-甲基吡咯烷酮、导电剂炭黑、粘合剂聚偏氟乙烯、sns2纳米花修饰p掺杂g-c3n4的超级电容器材料,分散均匀,将得到的碳浆均匀涂抹在石墨纸上并干燥,得到超级电容器工作电极。
[0012]
优选的,所述步骤(1)中聚苯乙烯、亚磷酸、二氰二氨的质量比为30-50:2.5-4:100。
[0013]
优选的,所述步骤(2)中管式炉包括底座,底座的顶部活动连接有炉体,炉体的中间活动连接有炉管,炉管的右侧活动连接有端盖,端盖的右侧活动连接有阀门,阀门的右侧活动连接有气瓶,端盖的左侧活动连接有气孔,气孔的底部活动连接有集气瓶,集气瓶的顶
部活动连接有排气管,炉管的内部活动连接有温度计,温度计的左侧活动连接有导线,炉体的顶部活动连接有控制模块,炉体的内部活动连接有电阻丝。
[0014]
优选的,所述步骤(2)中煅烧过程为在氮气氛围中500-600℃下煅烧6-12h。
[0015]
优选的,所述步骤(3)中氨基硫脲、四氯化锡、磷掺杂多孔g-c3n4的质量比为30-45:45-65:10。
[0016]
(三)有益的技术效果
[0017]
与现有技术相比,本发明具备以下有益的技术效果:
[0018]
该一种sns2纳米花修饰p掺杂g-c3n4的超级电容器材料,以聚苯乙烯为模板、亚磷酸为磷源、二氰二氨为氮源和碳源,经过水热,得到磷掺杂g-c3n4前驱体,经过煅烧,得到磷掺杂多孔g-c3n4,具有超高的比表面积,磷原子掺杂进g-c3n4的晶格中,改善了g-c3n4的lumo轨道能级和humo轨道能级,从而加速了电子的转移,提高了g-c3n4的导电性,再以g-c3n4为载体,氨基硫脲、四氯化锡为原料,在g-c3n4上原位生长sns2纳米片,进一步sns2纳米片自组装形成sns2纳米花,sns2独特的纳米花状形貌,具有超高的比表面积,有利于增强赝电容电容效应,暴露更多的赝电容活性位点。
[0019]
该一种sns2纳米花修饰p掺杂g-c3n4的超级电容器材料,sn
4+
与带负电荷的g-c3n4之间产生静电作用,使得g-c3n4和sns2具有快速的异质晶体成核和稳定的成核中心,二者形成异质结构,抑制了sns2的体积效应,减少了sns2的团聚,提高了其循环稳定性,且异质结构降低了g-c3n
4-sns2的电荷转移电阻,从而加速了电子的转移,提高了电极材料的倍率性能和实际比电容,以及良好的循环稳定性。
附图说明
[0020]
图1是管式炉结构示意图;
[0021]
图2是炉体结构示意图。
[0022]
1、底座;2、炉体;3、炉管;4、端盖;5、阀门;6、气瓶,;7、气孔;8、集气瓶;9、排气管;10、温度计;11、导线;12、控制模块;13、电阻丝。
具体实施方式
[0023]
为实现上述目的,本发明提供如下具体实施方式和实施例:一种sns2纳米花修饰p掺杂g-c3n4的超级电容器材料,sns2纳米花修饰p掺杂g-c3n4的超级电容器材料制备方法如下:
[0024]
(1)向反应瓶中加入去离子水、聚苯乙烯、亚磷酸、二氰二氨,三者的质量比为30-50:2.5-4:100,在60-100℃下搅拌均匀,移入反应釜内,在160-200℃下反应8-12h,离心并干燥,得到磷掺杂g-c3n4前驱体;
[0025]
(2)将磷掺杂g-c3n4前驱体置于管式炉中,管式炉包括底座,底座的顶部活动连接有炉体,炉体的中间活动连接有炉管,炉管的右侧活动连接有端盖,端盖的右侧活动连接有阀门,阀门的右侧活动连接有气瓶,端盖的左侧活动连接有气孔,气孔的底部活动连接有集气瓶,集气瓶的顶部活动连接有排气管,炉管的内部活动连接有温度计,温度计的左侧活动连接有导线,炉体的顶部活动连接有控制模块,炉体的内部活动连接有电阻丝,进行煅烧过程,煅烧过程为在氮气氛围中500-600℃下煅烧6-12h,冷却至室温,得到磷掺杂多孔g-c3n4;
[0026]
(3)向反应瓶中加入溶剂乙二醇、氨基硫脲、四氯化锡、磷掺杂多孔g-c3n4,三者的质量比为30-45:45-65:10,分散均匀,移入反应釜内,在160-200℃下反应8-16h,冷却至室温,抽滤,用无水乙醇、去离子水洗涤干净并干燥,得到sns2纳米花修饰p掺杂g-c3n4的超级电容器材料;
[0027]
(4)向反应瓶中加入n-甲基吡咯烷酮、导电剂炭黑、粘合剂聚偏氟乙烯、sns2纳米花修饰p掺杂g-c3n4的超级电容器材料,分散均匀,将得到的碳浆均匀涂抹在石墨纸上并干燥,得到超级电容器工作电极。
[0028]
实施例1
[0029]
(1)向反应瓶中加入去离子水、聚苯乙烯、亚磷酸、二氰二氨,三者的质量比为30:2.5:100,在60℃下搅拌均匀,移入反应釜内,在160℃下反应8h,离心并干燥,得到磷掺杂g-c3n4前驱体;
[0030]
(2)将磷掺杂g-c3n4前驱体置于管式炉中,管式炉包括底座,底座的顶部活动连接有炉体,炉体的中间活动连接有炉管,炉管的右侧活动连接有端盖,端盖的右侧活动连接有阀门,阀门的右侧活动连接有气瓶,端盖的左侧活动连接有气孔,气孔的底部活动连接有集气瓶,集气瓶的顶部活动连接有排气管,炉管的内部活动连接有温度计,温度计的左侧活动连接有导线,炉体的顶部活动连接有控制模块,炉体的内部活动连接有电阻丝,进行煅烧过程,煅烧过程为在氮气氛围中500℃下煅烧6h,冷却至室温,得到磷掺杂多孔g-c3n4;
[0031]
(3)向反应瓶中加入溶剂乙二醇、氨基硫脲、四氯化锡、磷掺杂多孔g-c3n4,三者的质量比为30:45:10,分散均匀,移入反应釜内,在160℃下反应8h,冷却至室温,抽滤,用无水乙醇、去离子水洗涤干净并干燥,得到sns2纳米花修饰p掺杂g-c3n4的超级电容器材料;
[0032]
(4)向反应瓶中加入n-甲基吡咯烷酮、导电剂炭黑、粘合剂聚偏氟乙烯、sns2纳米花修饰p掺杂g-c3n4的超级电容器材料,分散均匀,将得到的碳浆均匀涂抹在石墨纸上并干燥,得到超级电容器工作电极。
[0033]
实施例2
[0034]
(1)向反应瓶中加入去离子水、聚苯乙烯、亚磷酸、二氰二氨,三者的质量比为36:3:100,在70℃下搅拌均匀,移入反应釜内,在170℃下反应9h,离心并干燥,得到磷掺杂g-c3n4前驱体;
[0035]
(2)将磷掺杂g-c3n4前驱体置于管式炉中,管式炉包括底座,底座的顶部活动连接有炉体,炉体的中间活动连接有炉管,炉管的右侧活动连接有端盖,端盖的右侧活动连接有阀门,阀门的右侧活动连接有气瓶,端盖的左侧活动连接有气孔,气孔的底部活动连接有集气瓶,集气瓶的顶部活动连接有排气管,炉管的内部活动连接有温度计,温度计的左侧活动连接有导线,炉体的顶部活动连接有控制模块,炉体的内部活动连接有电阻丝,进行煅烧过程,煅烧过程为在氮气氛围中530℃下煅烧8h,冷却至室温,得到磷掺杂多孔g-c3n4;
[0036]
(3)向反应瓶中加入溶剂乙二醇、氨基硫脲、四氯化锡、磷掺杂多孔g-c3n4,三者的质量比为35:51:10,分散均匀,移入反应釜内,在170℃下反应10h,冷却至室温,抽滤,用无水乙醇、去离子水洗涤干净并干燥,得到sns2纳米花修饰p掺杂g-c3n4的超级电容器材料;
[0037]
(4)向反应瓶中加入n-甲基吡咯烷酮、导电剂炭黑、粘合剂聚偏氟乙烯、sns2纳米花修饰p掺杂g-c3n4的超级电容器材料,分散均匀,将得到的碳浆均匀涂抹在石墨纸上并干燥,得到超级电容器工作电极。
[0038]
实施例3
[0039]
(1)向反应瓶中加入去离子水、聚苯乙烯、亚磷酸、二氰二氨,三者的质量比为43:3.5:100,在85℃下搅拌均匀,移入反应釜内,在185℃下反应10h,离心并干燥,得到磷掺杂g-c3n4前驱体;
[0040]
(2)将磷掺杂g-c3n4前驱体置于管式炉中,管式炉包括底座,底座的顶部活动连接有炉体,炉体的中间活动连接有炉管,炉管的右侧活动连接有端盖,端盖的右侧活动连接有阀门,阀门的右侧活动连接有气瓶,端盖的左侧活动连接有气孔,气孔的底部活动连接有集气瓶,集气瓶的顶部活动连接有排气管,炉管的内部活动连接有温度计,温度计的左侧活动连接有导线,炉体的顶部活动连接有控制模块,炉体的内部活动连接有电阻丝,进行煅烧过程,煅烧过程为在氮气氛围中560℃下煅烧9h,冷却至室温,得到磷掺杂多孔g-c3n4;
[0041]
(3)向反应瓶中加入溶剂乙二醇、氨基硫脲、四氯化锡、磷掺杂多孔g-c3n4,三者的质量比为40:58:10,分散均匀,移入反应釜内,在185℃下反应13h,冷却至室温,抽滤,用无水乙醇、去离子水洗涤干净并干燥,得到sns2纳米花修饰p掺杂g-c3n4的超级电容器材料;
[0042]
(4)向反应瓶中加入n-甲基吡咯烷酮、导电剂炭黑、粘合剂聚偏氟乙烯、sns2纳米花修饰p掺杂g-c3n4的超级电容器材料,分散均匀,将得到的碳浆均匀涂抹在石墨纸上并干燥,得到超级电容器工作电极。
[0043]
实施例4
[0044]
(1)向反应瓶中加入去离子水、聚苯乙烯、亚磷酸、二氰二氨,三者的质量比为50:4:100,在100℃下搅拌均匀,移入反应釜内,在200℃下反应12h,离心并干燥,得到磷掺杂g-c3n4前驱体;
[0045]
(2)将磷掺杂g-c3n4前驱体置于管式炉中,管式炉包括底座,底座的顶部活动连接有炉体,炉体的中间活动连接有炉管,炉管的右侧活动连接有端盖,端盖的右侧活动连接有阀门,阀门的右侧活动连接有气瓶,端盖的左侧活动连接有气孔,气孔的底部活动连接有集气瓶,集气瓶的顶部活动连接有排气管,炉管的内部活动连接有温度计,温度计的左侧活动连接有导线,炉体的顶部活动连接有控制模块,炉体的内部活动连接有电阻丝,进行煅烧过程,煅烧过程为在氮气氛围中600℃下煅烧12h,冷却至室温,得到磷掺杂多孔g-c3n4;
[0046]
(3)向反应瓶中加入溶剂乙二醇、氨基硫脲、四氯化锡、磷掺杂多孔g-c3n4,三者的质量比为45:65:10,分散均匀,移入反应釜内,在200℃下反应16h,冷却至室温,抽滤,用无水乙醇、去离子水洗涤干净并干燥,得到sns2纳米花修饰p掺杂g-c3n4的超级电容器材料;
[0047]
(4)向反应瓶中加入n-甲基吡咯烷酮、导电剂炭黑、粘合剂聚偏氟乙烯、sns2纳米花修饰p掺杂g-c3n4的超级电容器材料,分散均匀,将得到的碳浆均匀涂抹在石墨纸上并干燥,得到超级电容器工作电极。
[0048]
对比例1
[0049]
(1)向反应瓶中加入去离子水、聚苯乙烯、亚磷酸、二氰二氨,三者的质量比为20:2:100,在80℃下搅拌均匀,移入反应釜内,在180℃下反应10h,离心并干燥,得到磷掺杂g-c3n4前驱体;
[0050]
(2)将磷掺杂g-c3n4前驱体置于管式炉中,管式炉包括底座,底座的顶部活动连接有炉体,炉体的中间活动连接有炉管,炉管的右侧活动连接有端盖,端盖的右侧活动连接有阀门,阀门的右侧活动连接有气瓶,端盖的左侧活动连接有气孔,气孔的底部活动连接有集
气瓶,集气瓶的顶部活动连接有排气管,炉管的内部活动连接有温度计,温度计的左侧活动连接有导线,炉体的顶部活动连接有控制模块,炉体的内部活动连接有电阻丝,进行煅烧过程,煅烧过程为在氮气氛围中550℃下煅烧8h,冷却至室温,得到磷掺杂多孔g-c3n4;
[0051]
(3)向反应瓶中加入溶剂乙二醇、氨基硫脲、四氯化锡、磷掺杂多孔g-c3n4,三者的质量比为25:35:10,分散均匀,移入反应釜内,在180℃下反应12h,冷却至室温,抽滤,用无水乙醇、去离子水洗涤干净并干燥,得到sns2纳米花修饰p掺杂g-c3n4的超级电容器材料;
[0052]
(4)向反应瓶中加入n-甲基吡咯烷酮、导电剂炭黑、粘合剂聚偏氟乙烯、sns2纳米花修饰p掺杂g-c3n4的超级电容器材料,分散均匀,将得到的碳浆均匀涂抹在石墨纸上并干燥,得到超级电容器工作电极。
[0053]
以铂片为对电极,聚乙烯微孔膜为隔膜,电解液为质量比为4:1的聚乙烯醇和koh的50ml水溶液,再分别与实施例和对比例中得到的超级电容器工作电极,在氩气手套箱中组装,得到sns2纳米花修饰p掺杂g-c3n4的纽扣电池,采用dh7000型电化学工作站进行充放电测试,测试标准为gb/t34870.1-2017。
[0054][0055]
当前第1页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1