技术特征：
1.一种玻璃基板，包括：第一主表面，所述第一主表面包括周期性第一纹理和与所述第一纹理共定位的各向同性的第二纹理，所述第一纹理在沿第一轴的第一方向上包括第一幅度和第一空间周期，所述第一纹理沿所述第一轴延伸的长度等于或大于所述第一空间周期的两倍，所述第二纹理包括等于或小于约1纳米的平均表面粗糙度sa。2.如权利要求1所述的玻璃基板，其中所述第一幅度在约2纳米至约500纳米的范围内。3.如权利要求2所述的玻璃基板，其中所述第一空间周期在约0.1毫米至约100毫米的范围内。4.如权利要求1所述的玻璃基板，其中所述第一主表面进一步包括与所述第一纹理共定位的周期性第三纹理，所述第三纹理包括沿不同于所述第一轴的第二轴的第二幅度和第二空间周期，所述第二纹理沿所述第二轴延伸的长度等于或大于所述第二空间周期的两倍。5.如权利要求4所述的玻璃基板，其中所述第二轴正交于所述第一轴。6.如权利要求4所述的玻璃基板，其中所述第二幅度在约2纳米至约500纳米的范围内。7.如权利要求6所述的玻璃基板，其中所述第二空间周期在约0.1毫米至约25毫米的范围内。8.如权利要求7所述的玻璃基板，其中所述第一主表面进一步包括与所述第三纹理共定位的周期性第四纹理，所述第四纹理包括沿所述第二轴的第三幅度和第三空间周期，所述第四纹理沿所述第二轴延伸的长度等于或大于所述第三空间周期的两倍。9.一种纹理化玻璃基板的方法，包括：在输送方向上沿输送路径输送所述玻璃基板；当输送所述玻璃基板时，以第一预定图案将掩蔽材料施加至所述玻璃基板的第一主表面；在施加所述掩蔽材料之后并在输送所述玻璃基板时，将蚀刻剂施加在所述第一主表面的第一区域上方，所述蚀刻剂蚀刻所述第一主表面，去除所述掩蔽材料，并且在所述第一区域中形成第一纹理，所述第一纹理具有沿第一轴的第一幅度与第一空间周期。10.如权利要求9所述的方法，其中所述第一幅度在约2纳米至约100纳米的范围内。11.如权利要求10所述的方法，其中所述第一空间周期在约0.1毫米至约100毫米的范围内。12.如权利要求9所述的方法，其中所述第一纹理是各向异性的。13.如权利要求9所述的方法，其中所述蚀刻在所述第一主表面上形成第二纹理，所述第二纹理具有小于约1纳米的平均表面粗糙度sa。14.如权利要求13所述的方法，其中所述第二纹理是各向同性的。15.如权利要求13所述的方法，其中所述蚀刻形成与所述第一纹理共定位的第三纹理，所述第三纹理包括沿不同于所述第一轴的第二轴的第二幅度和第二空间周期。16.如权利要求15所述的方法，其中所述第三纹理是各向异性的。17.如权利要求15所述的方法，其中所述第二轴正交于所述第一轴。18.如权利要求15所述的方法，其中所述蚀刻形成与所述第一纹理共定位的第四纹理，所述第四纹理包括沿所述第二轴的第三幅度和第三空间周期。
19.如权利要求9所述的方法，其中所述第一图案包括平行的、间隔成行的交替的峰和谷。20.如权利要求9所述的方法，其中在施加所述蚀刻剂时，所述掩蔽材料不固化。21.如权利要求9所述的方法，其中所述掩蔽材料包括聚合物。22.如权利要求21所述的方法，其中所述掩蔽材料包括聚氨酯、聚烯烃、丙烯酸酯、酚醛清漆或硅酮。23.如权利要求9所述的方法，其中所述掩蔽材料包括马来酸苯乙烯酯。24.如权利要求9所述的方法，其中所述蚀刻剂对所述掩蔽材料的去除率小于所述基板表面的溶解率。25.如权利要求9所述的方法，其中在所述蚀刻期间，所述掩蔽材料完全地从所述第一主表面去除。26.如权利要求9所述的方法，其中所述施加所述掩蔽材料包括用包括多个脊的滚筒施加所述掩蔽材料。27.如权利要求26所述的方法，其中所述多个脊与所述滚筒的轴同心。28.如权利要求26所述的方法，其中所述多个脊由沿与所述输送方向正交的多个旋转轴布置的轮形成。29.如权利要求26所述的方法，其中所述多个脊与所述滚筒的轴平行。30.如权利要求26所述的方法，其中所述施加所述掩蔽材料包括用多个滚筒组件施加所述掩蔽材料。31.如权利要求9所述的方法，其中所述蚀刻剂包括hf。32.如权利要求9所述的方法，其中所述蚀刻剂包括h3po4。33.一种纹理化玻璃基板的方法，包括：在输送方向上沿输送路径输送所述玻璃基板；在输送所述玻璃基板时，以预定图案在所述玻璃基板的第一主表面上施加蚀刻剂，所述蚀刻剂蚀刻所述第一主表面并形成第一纹理，所述第一纹理具有沿第一轴的第一幅度和第一空间周期。34.如权利要求33所述的方法，其中所述蚀刻在所述第一主表面上形成与所述第一纹理共定位的第二纹理，所述第二纹理包括小于约1纳米的表面粗糙度sa。35.如权利要求33所述的方法，其中所述第一纹理是各向异性的。36.如权利要求34所述的方法，其中所述第二纹理是各向同性的。37.如权利要求33所述的方法，其中所述第一幅度在约2纳米至约100纳米的范围内。38.如权利要求33所述的方法，其中所述第一周期在约0.1毫米至约100毫米的范围内。39.如权利要求34所述的方法，其中所述蚀刻形成与所述第一纹理共定位的第三纹理，所述第三纹理包括沿不同于所述第一轴的第二轴的第二幅度和第二空间周期。40.如权利要求39所述的方法，其中所述第三纹理是各向异性的。41.如权利要求40所述的方法，其中所述蚀刻形成与所述第一纹理共定位的第四纹理，所述第四纹理包括沿第二轴的第三幅度和第三空间周期。42.如权利要求39所述的方法，其中所述第二轴正交于所述第一轴。43.如权利要求33所述的方法，其中所述第一图案包括平行的、间隔成行的交替的峰和
谷。44.如权利要求33所述的方法，其中所述滚筒包括多个脊。45.如权利要求44所述的方法，其中所述多个脊由沿与所述输送方向正交的旋转轴对准的轮形成。46.如权利要求33所述的方法，其中所述施加所述蚀刻剂包括用多个滚筒组件接触所述第一主表面。47.如权利要求33所述的方法，其中所述蚀刻剂包括hf。48.如权利要求33所述的方法，其中所述蚀刻剂包括h3po4。49.一种玻璃基板，所述玻璃基板包括第一表面，所述第一表面包括第一化学组成，所述第一化学组成中的至少一种成分的浓度沿第一轴随第一空间周期周期性地变化。50.如权利要求49所述的玻璃基板，其中所述至少一种成分的所述浓度沿不同于所述第一轴的第二轴随第二空间周期周期性地变化。51.如权利要求50所述的玻璃基板，其中在所述第一轴与所述第二轴之间的角度大于零度并等于或小于90度。52.一种制造具有各向异性表面化学组成的玻璃基板的方法，包括：在输送方向中沿输送路径输送玻璃板；在输送所述玻璃基板时，以第一预定图案将掩蔽材料施加到所述玻璃基板的第一主表面的第一区域，所述第一主表面包含第一化学组成；在输送所述玻璃基板时，在所述第一主表面上施加浸出剂，所述浸出剂从所述第一主表面浸出所述第一化学组成中的至少一种成分并去除所述掩蔽材料，在浸出之后所述第一化学组成中的至少一种成分的浓度沿第一轴随第一空间周期周期性地变化。53.如权利要求52所述的方法，其中所述第一空间周期在约0.1毫米至约100毫米的范围内。54.如权利要求52所述的方法，其中所述至少一种成分的所述浓度沿不同于第一轴的第二轴随第二空间周期周期性地变化。55.如权利要求54所述的方法，其中沿所述第二轴的所述浓度是各向异性的。56.如权利要求54所述的方法，其中所述第二轴正交于所述第一轴。57.如权利要求52所述的方法，其中在施加所述浸出剂时，所述掩蔽材料不固化。58.如权利要求52所述的方法，其中所述掩蔽材料包括聚合物。59.如权利要求58所述的方法，其中所述掩蔽材料包括聚氨酯或聚烯烃。60.如权利要求52所述的方法，其中所述掩蔽材料包括马来酸苯乙烯酯。61.如权利要求52所述的方法，其中在所述蚀刻期间，所述掩蔽材料完全地从所述第一主表面去除。62.如权利要求52所述的方法，其中所述施加所述掩蔽材料包括用包括多个脊的滚筒接触所述第一主表面。63.如权利要求62所述的方法，其中所述多个脊由沿与输送方向正交的多个旋转轴对准的轮形成。64.如权利要求62所述的方法，其中所述施加掩蔽材料包括用多个滚筒组件施加所述掩蔽材料。
65.如权利要求52所述的方法，其中所述浸出剂包括例如hcl、h2so4、h3po4或hno3中的至少一种。66.如权利要求52所述的方法，其中所述至少一种成分包括mg、ca、sr、al或b的至少一种。
技术总结
用于处理基板的设备和方法，例如纹理化基板。在一些实施例中，将掩蔽材料按预定图案施加至所述基板的表面，然后用去除所述掩蔽材料的蚀刻剂接触所述表面。用所述蚀刻剂接触所述表面产生多个共定位纹理。在其他实施例中，可消除所述掩蔽步骤，并以预定图案施加所述蚀刻剂，以产生多个共定位纹理。在又其他实施例中，所述基板具有化学组成，并且所述基板暴露在浸出剂中，所述浸出剂浸出所述化学组成中的至少一种成分，以产生在所述基板表面处具有不同化学组成的基板。学组成的基板。学组成的基板。
技术研发人员：加布里埃尔
受保护的技术使用者：康宁公司
技术研发日：2021.01.05
技术公布日：2022/10/4