一种分层结构MoTe2/C纳米花、制备方法及其应用

文档序号:33703757发布日期:2023-03-31 20:43阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种分层结构mote2/c纳米花的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将钼源加入1,4-丁二醇中,配制成溶液a,溶液a中钼离子浓度为0.01~0.03mol/l;将碳源加入去离子水中,配制成浓度为0.008~0.02mol/l的溶液b;2)将溶液b按照体积比1:(0.3~0.8)滴加至溶液a中,得到混合液,将所述混合液在室温下搅拌4~6小时,反应结束后,进行洗涤,真空干燥,得到前驱体;3)将前驱体在氩气环境下400~500℃煅烧2~3小时,接着按前驱体与碲源质量比为1:(1~3)加入碲源,在氩氢气环境下煅烧,得到分层结构mote2/c纳米花。2.根据权利要求1所述的分层结构mote2/c纳米花的制备方法,其特征在于,在步骤1)中,所述钼源为乙酰丙酮钼、钼酸钾或者钼酸。3.根据权利要求1所述的分层结构mote2/c纳米花的制备方法,其特征在于,在步骤1)中,所述碳源为2-羟基乙酰苯胺、2,4-二羟基苯乙胺或4-(2-氨基乙基)-1,2-苯二酚。4.根据权利要求1所述的分层结构mote2/c纳米花的制备方法,其特征在于,所述步骤2)中,洗涤3~4次,真空干燥温度为50~70℃,干燥时间为10~12小时。5.根据权利要求1所述的分层结构mote2/c纳米花的制备方法,其特征在于,所述步骤3)中,所述碲源为碲粉。6.根据权利要求1所述的分层结构mote2/c纳米花的制备方法,其特征在于,所述步骤3)中,氩气与氢气的体积比为(10~15):1,煅烧温度为500~700℃,煅烧时间为5~7小时。7.一种分层结构mote2/c纳米花,其特征在于,根据权利要求1~6任一项所述方法制备得到。8.权利要求7所述的分层结构mote2/c纳米花作为钠离子电池负极材料的应用。

技术总结
本发明公开了一种分层结构MoTe2/C纳米花、制备方法及其作为应用,属于微纳米材料合成领域。本发明的制备方法以成本较低的钼源、碲源作为反应原料,通过简便的液相搅拌、煅烧,制备出MoTe2/C纳米材料。本发明原料易得,工艺简单,成本较低,适合工业化生产,应用前景广阔。本发明的制备方法,通过改变反应参数可以对MoTe2/C纳米材料的尺寸进行调控,制备出的MoTe2/C纳米材料形貌特征鲜明,具有独特的分层结构纳米花形状,作为钠离子电池负极材料,具有较好的电化学性能。具有较好的电化学性能。具有较好的电化学性能。


技术研发人员:张利锋 白嘉玺 李帅 王凯 郭守武
受保护的技术使用者:陕西科技大学
技术研发日:2022.09.09
技术公布日:2023/3/30
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