技术特征：
1.一种用于碳化硅晶体生长的坩埚，其特征在于，包括：埚体和盖体；坩埚环，所述坩埚环的第一端与所述埚体的开口可拆卸连接，所述坩埚环的第二端与所述盖体可拆卸连接；导流筒，所述导流筒穿设在所述坩埚环中，所述导流筒的第一端限位在所述坩埚环的第一端的内壁处，所述导流筒的第二端与所述盖体内侧设置的籽晶生长台相配合。2.根据权利要求1所述的用于碳化硅晶体生长的坩埚，其特征在于，所述坩埚环的埚体从第二端至第一端逐渐减小，且所述坩埚环的第一端位置处的通道直径与所述导流筒第一端外径相同。3.根据权利要求1或2所述的用于碳化硅晶体生长的坩埚，其特征在于，所述坩埚环的第一端和第二端均设置有内螺纹；所述埚体的开口处设置外螺纹；所述盖体靠近边沿位置向内侧凸出的设置一周凸沿，所述凸沿外侧一周设置外螺纹；其中，所述坩埚环与所述埚体和所述盖体螺纹连接。4.根据权利要求3所述的用于碳化硅晶体生长的坩埚，其特征在于，所述坩埚环的第一端的内壁形成有第一台阶，所述坩埚环第一端的内螺纹延伸至所述第一台阶处；所述埚体的开口处于外壁形成第二台阶，所述埚体的开口处的外螺纹延伸至所述第二台阶处；所述坩埚环第一端端部与所述第二台阶相贴合，所述埚体的开口的端部与所述第一台阶相贴合，所述埚体的内壁与所述坩埚环的内壁相接处平滑过渡。5.根据权利要求3所述的用于碳化硅晶体生长的坩埚，其特征在于，所述坩埚环的第二端的内壁形成有第三台阶，所述坩埚环第二端的内螺纹延伸至所述第三台阶处；所述盖体本体与所述凸沿之间形成所述籽晶生长台，所述凸沿外侧的外螺纹延伸至第四台阶处；所述坩埚环第二端端部与第四台阶相贴合，所述凸沿的端部与所述第三台阶相贴合。6.根据权利要求1或2所述的用于碳化硅晶体生长的坩埚，其特征在于，所述坩埚环的数量为多个，且多个所述坩埚环的第一端至第二端的高度不同；所述导流筒的数量与所述坩埚环的数量相同，且多个所述导流筒的高度与多个所述坩埚环的高度一一对应相同。7.根据权利要求1或2所述的用于碳化硅晶体生长的坩埚，其特征在于，所述导流筒的第一端的外壁设置有第一支撑环，所述第一支撑环的外侧一周与所述坩埚环的第一端的内壁贴合，所述导流筒的第二端与所述籽晶生长台套接。8.根据权利要求7所述的用于碳化硅晶体生长的坩埚，其特征在于，所述导流筒的第二端的外壁设置有第二支撑环，所述第二支撑环的外侧一周与所述盖体贴合。9.根据权利要求1所述的用于碳化硅晶体生长的坩埚，其特征在于，所述导流筒的通道从第二端至第一端逐渐增大。
10.根据权利要求1所述的用于碳化硅晶体生长的坩埚，其特征在于，所述埚体、所述盖体、所述坩埚环以及所述导流筒均为石墨材质。
技术总结
本申请提供一种用于碳化硅晶体生长的坩埚。所述用于碳化硅晶体生长的坩埚，包括：埚体、盖体、坩埚环以及导流筒；所述坩埚环的第一端与所述埚体的开口可拆卸连接，所述坩埚环的第二端与所述盖体可拆卸连接；所述导流筒穿设在所述坩埚环中，所述导流筒的第一端限位在所述坩埚环的第一端的内壁处，所述导流筒的第二端与所述盖体内侧设置的籽晶生长台相配合。所述用于碳化硅晶体生长的坩埚增设有坩埚环和导流筒，能够提高坩埚内物理气相运动空间，保证气相分布均匀提高碳化硅晶体产出的良率；以及可以有效的避免整个盖体上均生长碳化硅晶体，进而避免了盖体与埚体因碳化硅的生长而导致的不易分离的情况发生。致的不易分离的情况发生。致的不易分离的情况发生。
技术研发人员：秦俊 申慧 王小刚 翟虎 宋亚滨
受保护的技术使用者：江苏吉星新材料有限公司
技术研发日：2022.08.09
技术公布日：2022/12/13